• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.14 no.1
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• pp.27-32
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• 2011

The electorchemical properties of $Li_4Ti_5O_{12}$ added with Cr was tested. The addition or substitution of atoms to $Li_4Ti_5O_{12}$ are expected to modify the crystal structure, and therefore to change the electrochemical performances of $Li_4Ti_5O_{12}$. After the spinel structure $Li_4Ti_{5-x}Cr_xO_{12}$ (x = 0~0.2) were obtained via sol-gel method, the gel was heated in a muffle furnace at $800{\sim}850^{\circ}C$ for 12 h in air. The physical properties of the samples were characterized by TG-DTA, XRD, SEM, FT-IR, and the electrochemical properties were tested with battery cycler at 0.01~2.0 V range. The $Li_4Ti_5O_{12}$ exhibited 169.9 mAh/g at 1C and capacity recovery was 97.5% of the initial capacity at 0.1C. $Li_4Ti_{4.9}Cr_{0.1}O_{12}$ (Cr 1% added) showed best performance of 193.8 mAh/g at 1C and the capacity recovery was increased to 98.8% of the initial capacity at 0.1C.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.15 no.1
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• pp.73-80
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• 2004

In this paper, the implementation and embedding method of the existing air-filled waveguide-filters at millimeter-wave on general PCB substrate is introduced by systematically inserting the vias inside waveguide and mathematically manipulating the simple equations obtained ken the classical circular-post waveguide filter design. All the metal structures placed vertically such as side wall fur perfect ground plane and circular-post for signal control in the air-filled WR-22 waveguide are replaced with several types of via for constructing the bandpass-filter. Side wall and poles inside waveguide are realized by placing a series array of via and tuning the via diameter. The lengths of x, y, z axis are reduced in proportion to root square of employed substrate dielectric constant and especially the length of z axis can be more reduced due to the characteristics of the wave propagation. Because the mass production on PCB is possible without fabricating a large-scaled metal waveguide of WR-22 as input/output ports at millimeter-wave regime, the manufacturing cost is reduced considerably. Finally, when using multilayer process like LTCC for small-sized module, it is one of advantages to use only one layer f3r the filter fabrication. To evaluate the validity of this novel technique, order-3 Chebyshev BPF(Bandpass-Filter) centered at 40 GHz-band with a 2.5 ％ FBW (Fractional Bandwidth) were used. The employed substrate has relative dielectric constant of 2.2 and thickness of 10 mil of Rogers RT/Duroid 5880. Accroding to design and measurement results, a good performance of insertion loss of 2 ㏈ and return loss of -30 ㏈ is achieved at full input/output ports.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1998.05a
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• pp.21-21
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• 1998

새로운 에너지원으로 각광받고 있는 연료전지는 우주선 동력윈으로서의 이용이래, 보다 실용적인 발전 시스템을 목적으로 많은 연구개발이 시도되고 있다. 이러한 연료전지는 사용하는 전해질의 특성으로 인하여 저온형($<300^{\circ}C$) 과 고온형($500^{\circ}C<$)으로 구분된 수 있는데, 저온형 연료전지의 경우는 전극반응 특성상 귀금속 촉매가 필요한 데 비해, 고온형 연료전지는 이러한 귀금속 촉매가 필요없다는 점등에서 다양한 장점을 가지게 된다. 즉, 저온형에 비해 다양한 연료가 가능하고, 대형화에 유리함며, 고온 페열을 이용할 수 있는 점 등을 들 수 있다. 용융탄산염형 연료전지(MFCFC)는 이러한 고온형 연료진지의 장점을 배경으로 현재 대규모의 개발이 진행되고 있다. 그러나 여기에 주로 사용되는 Li-K, Li-Na와 같은 용융탄신엽은 고부식성 전해질로서 대부분의 금속이 산화물을 형성하는 것으로 알려져 있다. MCFC의 분리판은 셀간을 전기적으로 이어주는 역할, 가스의 유로제공 및 가스 Sealing의 역할을 담당하는 부분으로서, 분리판의 부식은 이러한 특성의 저하 및 전해질의 소모를 유발시켜 MCFC의 내구성에 커다란 영향 을 미치는 요인으로 생각되고 있다. 이러한 배경으로부터 Uchida 그룹은 MCFC의 분라판 재료 의 부식거동을 계동적으로 검토하였다. 먼저 Fe에 Ni 과 Cr을 첨가한 재료를 산화성가스 분위기하에서 $(Li+K)CO_3$에 대하여 검토한 결과, Ni과 Cr 둘다 20wt%이상 첨가시, 내식성융 가지는 결 과를 보고하였다2) 이 경우 보호피막으로서 NiO 와 $LiCrO_2$가 작용하는데, $LiCrO_2$가 용융탄산염 중에서 보다 안정한 것으로 부터, Cr의 첨가가 내식성에 기여하는 것으로 판단하였다. 다음 단계 로서 Fe/Cr재료에 용-융탄산염 중에서 안정한 산화물을 형성하는 Al의 첨가효과를 검토하였다. Al의 첨가는 더욱 내식성을 향상시키는 것이 발견되었고, 약 4wt%의 첨가로 충분한 내식성을 가지 는 것을 보고 하였다. 그러나 이러한 안정한 산화물에 의한 내식성 향상은 전기진도도의 희생을 바탕으로 한 것으로서, 다읍 단계로서 Ti산화물의 반도체적인 특성을 이용하고자 제 4의 원소로서 Ti첨가를 시도하였다. 그러나 Fe/Cr/AVTi재료가 뛰어난 내식성을 가지는 것은 관찰되었으나, 전도도 향상에는 기여하지 못하는 것이 보고되었다. 현재 MCFC는 실용화를 위한 고성능화의 하나로서 가압하에서의 운전을 시도하고 있다. 이 러한 가압하에서의 운전은 기전력의 향상 및 전극반응의 촉진 등으로 출력의 향상을 가져오나. 현재 문제로 되고 있는 Cathode극인 NiO의 용해/석출 현상을 가속화하는 결과를 초래해, 이에대 한 대책으로서 Li-K보다 NiO의 용해가 적은 Li-Na탄산염으로의 전환이 진행되고 있다. 이러한 배경으로부터 Uchida그룹에서 개발한 FeiCr/AVTi재료와 현재 분리판 재료로 사용증인 SUS 310, S SUS 316재료에 대해. 산화성 분위기의 5기압까지의 가압하에서, Li-K, Li-Na탄산염에 대하여 부 식거동을 검토한 결과, 가압하에서 내식성이 향상되는 것이 발견되었다. 이유로서는 가압하에서 용융탄산엽의 증가된 산화력으로 보다 치밀한 내식성 산화물 피막이 형성되기 때문으로 생각되고 있다. 또한 Li-K, Li-Na탄산염에서의 부식의 정도에는 차이가 거의 없었으나, SUS 316의 경우 탄산염에 젖은 부분에서 내식성 피막이 형성되지 않는 이상부식현상이 관찰되었다. 재료간의 내식성 정도에서는 Fe/Cr/Al/Ti이 가장 내식성이 뛰어났으며, SUS 310 또한 뛰어난 내식성을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 1998.05a
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• pp.108-108
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• 1998

일반적으로 탄소강은 수용액 중에 노출될 경우 전면부식에 의한 손상을 받는다. 그러나 부식방지를 위하여 부식억제제를 적용할 경우, 탄소강의 부식거동은 현저한 변화를 겪게된다. 이러한 부식거동의 변화는 첨가되는 부식억제제의 종류에 따라 분 류할 수가 있는데, 양극부식억제제, 음극부식억제제 그리고 이들의 혼합부식억제제로 분류할 수가 있다. 현장에 적용된 부식억제제 시스템 중에는 자동차용 부동액과 가스히터용 열전달 매체액이 있다. 이러한 부식억제제가 적용된 시스댐은 정확한 부식억제능의 평가에 의한 그 교체 시기의 결정이 매우 중요하다. 교체 시기가 빠를 경우, 유지비용이 과다하게 소요되는 문제가 있으며, 교체시기가 늦을 경우 설비의 부식을 초래하는 문제 가 있다. 따라서 부식억제제의 정확한 성능 평가법은 매우 중요하며, 이에 대한 다양 한 연구가 진행 중이다. 부식억제제가 함유된 용액의 부식억제성능을 평가하는 방법에는 대표적으로 무게 감량법을 이용하고 있다. 이 방법은 다종의 금속이 적용된 자동차용 부동액을 실제 사용조건과 유사한 실험 조건에서 단기간, 가혹조건에서의 무게 감량에 의해 부식억 제능을 평가하는 방법이다. 그러나 이러한 방법은 특히 국부부식이 진행될 경우 부 식억제능을 정량화 하는데 어려움이 있다. 한편 전기화학적 측정방법으로는 분극곡선법을 이용한 $E_P$(공식개시전위), $E_R$(재부동태 화전위)의 측정법이 있다. 또한 부식억제피막의 안정성을 측정하기 위한 방법으로 인 위적인 양극전류 인가에 의한 피막의 파괴후에 피막이 복원가능 여부 및 그 속도 측 정에 의해 부식억제제의 건전성을 확인할 수가 었다. 본 연구에서는 가스히터의 주구성 재료인 A210 Gr Al의 탄소강을 사용하여, 사용기간이 5년 이상되어 부식억제 기능을 거의 상실한 것으로 여겨지는 열전달 매체액 과 신규 부식억제제가 적용된 시스템 등 객관적으로 확인된 부식억제제 시스랩에 대 하여 다양한 평가 방법을 동원 비교분석하고자 하였다. 실험은 KSM 2142에 의한 무게감량법, 분극곡선 측정에 의한 $E_P$(공식개시전위), $E_R$(재부동태화전위) 측정, 시간에 따른 자연전위 변화 측정 빛 이때의 부식속도(선형분극법), 인위적인 피막 파괴 전,후 의 전위 변화 및 부식속도 측정법에 의한 국부부식 발달 저지능 등을 평가하여 각 실험결과를 비교분석하여 보았다.

• Applied Biological Chemistry
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• v.41 no.7
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• pp.489-495
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• 1998

The optimum culture condition of Scopulariopsis brevicaulis for the production of ${\alpha}$-galactosidase was as follows: Tryptone 1.5%, $NH_4NO_3$ 0.2%, Raffinose 2.5%, $KH_2PO_4$ 0.5%, yeast extract 0.5%, pH 7.0, $27^{\circ}C$. The optimum pH and temperature for the enzyme activity of ${\alpha}$-galactosidase producing Scopulariopsis brevicaulis were pH 7.0 and $27^{\circ}C$, respectively. The enzyme was relatively stable at $pH\;6.0{\sim}8.0$ and at temperature below $40^{\circ}C$. The activity of the enzyme was inhibited by $Ag^{2+},\;Hg^{2+},\;Cu^{2+}$, p-chloromercuribenzoic acid and Iodine. These results would indicate the presence of -SH groups in the catalytic site of the enzyme. Km value was 1.9 mM for $p-nitrophenyl-{\alpha}-D-galactopyranoside$ and Vmax value was $9.66{\times}10^2\;{\mu}M/min$. Sugar constituents of culture broth were identified by HPLC that the enzyme liberated sucrose, glucose and fructose from raffinose and raffinose was significantly decreased.

• Applied Biological Chemistry
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• v.39 no.5
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• pp.349-354
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• 1996

The Polyvinyl alcohol(PVA) oxidase involved in PVA degradation by microorganism has been purified to homogeneity from culture broth of Xanthomonas campestris J2Y grown in a minimal medium containing PVA as a sole carbon source. The enzyme was purified by DEAE-cellulose chromatograpy and Sephadex G-150 gel filtration. The purified PVA oxidase was electrophoretically homogeneous both in the absence and presence of SDS. The molecular weight of the enzyme was estimated to be about 55,000 daltons by SDS-polyacrylamide gel electrophoresis and Sephadex G-150 gel filtration. The native enzyme existed as a monomer. The optimal pH and temperature was shown to be pH 7 and $37^{\circ}C$ respectively. The activity of enzyme was stable below $55^{\circ}C$ and between pH range of $5{\sim}11$. The enzyme activity was significantly inhibited by metal compounds such as $Ag^{2+},\;Hg^{2+}$. While, metal ions such as $Mn^{2+},\;and\;Cu^{2+}$ stimulated the reaction. Km value of the enzyme for PVA was $7.04{\times}10^{-2}mmol/{\ell}$.

• Applied Biological Chemistry
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• v.35 no.5
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• pp.375-381
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• 1992

An exoinulase-producing bacterium was isolated from soil, and identified as Streptomyces sp. The maximum inulase production was achieved when inulin as carbon source and soybean meal as organic nitrogen source were included in the culture. The exoinulase was considered to be a constitutive enzyme produced not only by inulin but also by soluble starch or glucose. The purified enzyme on DEAE-cellulose and Sephadex G-200 column showed the maximal activity at $pH\;5.5{\sim}6.0$ and $50^{\circ}C$, but lost 65% inulase activity at $50^{\circ}C$ after 1 hour incubation. This exoinulase was activated by $Mn^{+2}$, wherease more that 80% inactivation was observed with $Ag^+$, $Hg^{+2}$ and $Fe^{+3}$. The enzyme was possibly a metalloenzyme in that EDTA and 8-hydroxyquinoline inhibited the enzyme. Km values for inulin (16.51 mM) and sucrose (14.62 mM) were in very close range suggesting mostly equal affinity toward the subatrates. However, the maximum velocity for inulin was 10 times greater than for sucrose.

• Applied Biological Chemistry
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• v.47 no.2
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• pp.244-250
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• 2004

Biological activities and application of Sanguisorbae officinalis L. were investigated. In the enzymological physiological activities, the electron donating ability (EDA) was 54.9% in 10 ppm and it was over 90% over 50 ppm and SOD-like activity was high as 65.4% in 1000 ppm, it was gradual increased. As inhibitory effect of xanthine oxidase, it was 17.9% in 200 ppm and little low as 36.9% in 500 ppm and inhibitory effect of tyrosinase. As the result of measuring the lipid oxidation, all the concentrations of medical ion treatments had the ability to keep it from acidification and metal ion blocking effects about the lipid oxidation promoting factors ($Fe^{2+}$ and $Cu^{2+}$), $Fe^{2+}$ was better than $Cu^{2+}$ and all concentrations of medical ion treatments was 40% in 50 ppm. When it was applied into normal skin-softener it showed safe effect so that we can expect that as the natural material of cosmetics.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.21 no.1
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• pp.439-447
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• 2020

Re-coating of the mirror is one of the important things to maintain the performance of a telescope. The metal coated on the mirror reflects light, and if the reflectance decreases, then the telescope's performance decreases, so the mirror must be periodically recoated. It is important to predict re-coating cycles for military telescopes and to develop maintenance plans not only for performance, but also for the telescope's availability for missions and the maintenance costs for long-term use. However, most similar telescopes used for astronomy research determine recoating cycles based on experience and operating conditions, and not for prediction of recoating. Therefore, this study predicts the cleaning cycles and re-coating cycles of a military telescope's mirror by using simulation. First, this study analyzed similar cases of domestic and foreign astronomy research institutes and the study also reviewed the need for re-coating and predicting re-coating cycles. Second, this study developed simulation for predicting cleaning and re-coating cycles according to data analysis and modeling. Finally, the study predicts cleaning cycles and re-coating cycles according to varying reflectance reduction (5%, 10%, 15%, 20%) and cleaning conditions (per 3 months, 6 months, 1 year and 2 years). As a result, this study suggests reference criteria to develop the planning for military telescopes and their maintenance.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.125-125
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• 2010

극성 [0001] 방향으로 성장된 질화물 기반의 LED (light emitting diode) 는 분극현상에 의해 발생하는 강한 내부 전기장의 영향을 받게 된다. 이러한 내부 전기장은 양자우물 내의 전자와 정공의 공간적 분리를 야기하고 quantum confined Stark effect (QCSE)에 의한 발광 파장의 적색 편이가 발생하며 양자효율의 저하를 가져오게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 InGaN/GaN이나 AlGaN/GaN 양자 우물구조를 GaN의 m-plane (1$\bar{1}$00) 이나 a-plane (11$\bar{2}$0) 등 비극성면 위에 성장하려는 시도를 하고 있다. 그러나 비극성 면의 비등방성 (anisotropy) 으로 인하여 결정성이 높은 비극성 GaN을 성장하는 데에는 많은 어려움이 있다. GaN 층의 표면을 평탄화하고 결정성을 향상시키기 위해서 저온 GaN 또는 AlN 버퍼층을 성장하는 2단계 방법이나 고온 버퍼층을 이용하여 성장하는 연구들이 많이 진행되고 있다. 본 연구에서는 고온 GaN 버퍼층을 이용하여 기존의 2단계 성장과정을 단순화한 비극성 a-plane GaN을 r-plane 사파이어 기판위에 유기금속 화학증착법 (MOCVD)으로 성장하였다. 사파이어 기판위에 AlN 층을 형성하기 위한 nitridation 과정 후 1030 도에서 두께 45 ~ 800 nm의 고온 GaN 버퍼층을 성장하고 총 박막 두께가 2.7 ~ 3 um 가 되도록 a-plane GaN을 성장하여 표면 양상의 변화와 결정성을 확인하였다. 또한 a-plane GaN 박막 성장 시에 성장 압력을 100 ~ 300 torr 로 조절하며 박막 성장의 변화 양상을 관찰하였다. 고온 GaN 버퍼층 성장 두께가 감소함에 따라 결정성은 증가하였으나 표면의 삼각형 형태의 pit 밀도가 증가함을 확인하였다. 또한 성장 압력이 감소함에 따라 표면 pit은 감소하였으나 결정성도 감소하는 것을 확인하였다. 성장 압력과 버퍼층 성장 두께를 조절하여 표면에 삼각형 형태의 pit이 존재하지 않는 RMS roughness 0.99 nm, 관통전위밀도 $1.78\;{\times}\;10^{10}/cm^2$, XRD 반가폭이 [0001], [1$\bar{1}$00] 방향으로 각 798, 1909 arcsec 인 a-plane GaN을 성장하였다. 이 연구를 통해 고온 GaN 버퍼 성장방법을 이용하여 간소화된 공정으로 LED 소자 제작에 사용할 수 있는 결정성 높은 a-plane GaN을 성장할 수 있는 가능성을 확인하였다.