• Journal of Ginseng Research
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• 제17권3호
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• pp.224-227
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• 1993

Weight (g/root) and bulk density (g/$cm^3$) of tap root in 15-root-grade of 4-year-old white ginseng were investigated by specific gravity and weight-volume method. Bulk density measured by specific gravity ranged from 0.8 to 1.2g/$cm^3$ with almost normal distribution in frequency (number 1 of roots). Bulk density measured by volume-weight method had significant correlation with root weight. The percentage of high bulk density root (above 1.0) showed significant positive correlation with mean root weight or mean bulk density of root weight, indicating that the growth conditions for large root provide the better compactnes of root tissue.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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• pp.240-241
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• 2000

최근에 개발된 강력한 레이저는 원자가 tunneling 이온화 될 수 있는 충분한 세기를 가지고 있다$^{(1)}$ . Tunneling 이온화 된 전자는 원자의 Coulomb 퍼텐셜 보다 레이저 장에 의한 영향이 훨씬 크므로 기존의 perturbation 이론으로는 이들간의 상호작용을 설명하기에 부족하였다. 뿐만 아니라 이온화된 전자가 레이저 장의 방향이 바뀜에 따라 재결합함으로써 발생되는 고차조화파는 기존의 perturbation 이론으로는 설명될 수 없는 발생효율이 차수에 상관없이 거의 일정한 평탄영역을 가지고 있음이 실험적으로 관측되었다$^{(2)}$ . 강력한 레이저 장과 원자들과의 상호작용에 의해서 생성된 고차조화파는 기존의 비선형 현상으로 설명되어지는 이차 조화파나 삼차 조화파와 같이 레이저의 간섭성을 그대로 물려 받으므로 극자외선 영역의 간섭광원으로써 이의 활용가치가 높을 것으로 보고 있다. 현재에는 기존의 엑스선 레이저로 가능했던 고밀도 플라즈마 밀도 측정등과 같이 극자외선 간섭광이 필요로 하는 연구등에 활용 되어지고 있다. 뿐만 아니라 고차조화파는 효율이 거의 일정한 넓은 파장 영역인 평탄 영역을 가지므로 이의 넓은 파장 영역을 이용하면 아토초 수준의 짧은 극자외선 광원을 만들 수 있을 것으로 이론적으로 예견되어 지고 있다$^{(3)}$ . (중략)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.471-471
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• 2010

대면적 디스플레이나 태양전지를 만들기 위해 식각 공정에 주로 이용되는 capacitively coupled plasma 장비의 크기에 대한 관심이 높아지고 있다. 특히, RF power를 사용함에 따라 높은 주파수로 올라갈수록 전극에 발생하는 standing wave effect로 인해 챔버 안의 전자기장의 세기가 균일하지 않고 그로 인해 plasma의 밀도 역시 균일하지 않다.[1] 이러한 plasma의 non-uniformity를 전극에 들어가는 power의 feeding 방법을 바꿔 가면서 해결해 보려고 하였다. ($0.48\;m\;{\times}\;0.48\;m$)크기의 사각전극과 50 MHz의 RF power를 사용하였다. plasma의 분포는 ion probe를 통해 살펴 보았다.

• 한국광학회지
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• 제12권2호
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• pp.98-102
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• 2001

포화흡수체$Cr^{4+}:YAG$와 유기염료 박막을 사용한 $1.06{\mu}m$ Nd:YAG 공진기에서 수동 큐스위칭 동작시 나타나는 포화흡수체의 포화특성을 분석하였다. 정상모드와 수동 큐스위칭 레이저의 문턱에너지 차이로 광손실을 측정하여 큐스위칭 동작에서 나타나는 포화흡수체의 포화투과도와 불포화 기저상태 밀도수를 분석하였다.

• 한국환경농학회지
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• 제19권1호
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• pp.62-66
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• 2000

도라지 재배지의 토양 화학성과 미생물상을 진주 6, 김해 7, 고성 3, 함안 6, 거창 4개소, 강원도 홍천 6개소 등 32개소를 대상으로 97년부터 98년까지 조사한 결과는 다음과 같다. 발병율은 함안, 홍천지역이 각각 56.8, 52.5%로 높게 나타났고 고성, 진주지역이 30.0, 32.2%로 낮게 나타났다. 정상근과 장해근 표토의 K, EC 및 $NH_4-N$ 함량은 장해토양이 정상토양 보다 높고 Mn함량은 낮게 나타나 유의성이 인정되었다. 뿌리의 CaO함량과 수량과는 $Y=20505X-367.9(R^2=0.129^{\ast})$의 정의상관이 있었고 정상근은 장해근에 비해 Fe, Zn 함량이 높은 반면 T-N, $P_2O_5$, $K_2O$ 함량은 낮은 경향을 나타내어 과다양분 흡수에 의한 도라지 근의 병발생 조건이 증가된 것으로 판단되었다. 정상재배지의 토양 세균, 방선균 및 세균/사상군 수치는 장해지보다 높은 반면 사상균의 밀도는 낮았다.

• 대한치과보철학회지
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• 제36권6호
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• pp.900-913
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• 1998

임플란트 치과 임상에서, 협, 설측의 골조직 상태는 임플란트 재료의 높은 밀도 때문에 구내용 방사선사진으로는 파악할 수 없으나, 디지털 분석을 이용한 정량적 방사선 분석법을 사용하여 이 부위를 파악하고자 하였다. 건조 하악골에 10개의 직경 3.3mm인 solid screw형태의 $ITI^{(R)}$ 임플란트(Institute Straumann, Waldenberg, Switzerland)을 매식한 다음, 이들을 10개의 골 시편으로 절단한 후, 방사선사진 촬영을 시행했다. 일련의 중첩상을 얻기 위해, 특별히 고안된 방사선필름 고정기와 D속도 필름($Ultra-speed^{(R)}$, Kodak, USA)을 사용했으며, 고 해상도의 디지털 분석을 위해, 비디오카메라($Kodak-Eikonix^{TM}$, USA)로 필름을 scan하고 software(LaboImage, Computing Science Center, Geneva University)를 이용해 정량적 분석을 시행했다. 방사선 촬영은 4 방향(통상적인 periapical projection에 의한 근, 원심(MD)방향 및 협, 설(BL) 조사위, 통상적인 occlusal projection에 준한 25도 경사진 근, 원심(OMD) 및 25도 경사진 협, 설(OBL)조사위)으로 시행했으며, 각 시편에서 4장의 연속 중첩 방사선사진(superimposable radiograph)을 임플란트 매식공 천공 후, 임플란트 매식 후, 임플란트 주변(협,설) 골 손상 후, 임플란트 제거 후의 상황에서 표준화된 방법으로 촬영해서 얻었다. 기술적인 어려움에도 불구하고, occlusal projection으로 촬영하고, 이를 디지털 농도 분석한 방법에서. 치과 임플란트 주변 협, 설측의 미세골 변화를 파악할 수 있을 것으로 보였다. 특히, occlusal projection이 periapical projection에 비해 더욱 민감한 골 변화를 인지하는 것으로 나타났다. 비록 이 실험의 결과가 제한된 조건에서 얻어졌지만, 실제 임플란트 임상에서 임상가들에게 진단적 차원에서의 새로운 가능성과 다양성을 제시해 줄 수 있으리라 사료된다.

• 정보처리학회논문지B
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• 제9B권3호
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• pp.311-318
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• 2002

문서영상 구조분석은 문서영상을 세부 영역으로 분할하는 과정과 분할된 영역을 문자, 그림, 표 등으로 분류하는 과정을 포함한다. 이 중 영역분류 과정에서 영역의 크기, 흑화소 밀도, 화소 분포의 복잡도는 영역을 분류하는 기준이 된다. 그러나 그림의 경우 이러한 기준들의 범위가 넓어 경계를 정하기 어려우므로 다른 형태에 비해 상대적으로 오분류의 비율이 높다. 본 논문에서는 그림과 문자를 분류하는 과정에서 영역의 크기, 흑화소 밀도, 화소 분포의 복잡도에 의한 영향을 줄이기 위하여 메디안 필터를 이용하고, 영역확장 필터(region expanding filter)와 제한 조건들을 이용하여 영역분류에서의 오분류를 수정함으로써 상용제품을 포함한 기존 방법에 비해 그림과 문자의 분류가 우수한 문서영상 구조 분석 방법을 제안한다.

• 한국추진공학회지
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• 제21권2호
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• pp.32-40
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• 2017

탄소섬유/에폭시 복합재의 기공함유율을 정량적으로 평가하기 위한 절차를 제시하였다. 고려한 복합재는 두 종류이며 오토클레이브 공법과 필라멘트와인딩 공법에 의해 제작하였다. 탄소섬유/에폭시 복합재의 기공함유율은 공기 중에서와 물 속에서의 무게에서 구한 복합재의 밀도와 구성재의 밀도, 그리고 산처리법과 고온연소법을 적용하여 구한 무게함유율과 부피함유율을 이용하여 평가하였다. 또한 FE-SEM을 통해 탄소섬유 표면을 관찰하여 복합재 내의 수지 제거 여부도 조사하였다. 연구결과에 따르면 복합재 내의 수지는 산처리법이나 고온연소법을 적용하면 충분히 제거할 수 있으며 구성재의 무게함유율과 부피함유율 그리고 복합재의 기공함유율은 본 연구에서 제시된 절차를 적용하면 정량적으로 평가할 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.64-64
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• 1999

다결정 실리콘-게르마늄(poly-SiGe)은 태양전지 및 TFT-LCD와 같은 소자 응용에 있어서 중요하게 연구되고 있는 물질이다. 우리는 수소화된 비정질 실리콘-게르마늄 (a-Si1-xGex:H) 박막을 증착시키고 고상결정화시키며 XRD(x-ray diffraction) 및 ESR (electron spin resonance) 측정을 수행하였다. PECVD 증착가스는 SiH4과 GeH4가스를 사용하였고 Ge의 성분비는 x=0.0, 0.1, 0.5 정도로 조절되었다. 기판은 Corning 1737 glass를 사용하였고, 기판 온도는 20$0^{\circ}C$ 이었다. 증착압력과 r.f. 전력은 각각 0.6Torr와 3W이었다. 증착된 SiGe 박막은 고상결정화를 위해 $600^{\circ}C$ N2 분위기에서 가열되고, 그에 따른 XRD 및 ESR spectrum의 변화를 관찰하였다. ESR 측정은 X-band 그리고 상온에서 행해졌다. 먼저 XRD 측정으로부터 박막의 고상결정화 정도를 알 수 있었고, 고상결정화 과정이 초기 핵형성 단계와 결정화 단계, 그리고 더 이상 결정화가 일어나지 않는 완료 단계로 구분될 수 있음을 보여주었다. X값이 증가함에 따라 결정화 시간은 훨씬 단축되었다. ESR로 측정된 스핀 밀도는 a-Si1-xGex:H 박막이 처음 가열됨에 따라 전체적으로 크게 증가했다가, 결정화가 일어나면서 다시 감소하여 나중에는 거의 변화가 없었다. ESR 신호의 초기 증가는 수소 이탈에 의한 dangling bond의 증가에 기인하며, 다음 단계의 감소 및 안정 상태는 결정화에 따른 결정경계 영역의 감소와 결함들의 안정성에 기인하는 것으로 생각된다. 그러나 흥미로운 것은 Si1-xGex 합금의 경우 가열시간이 증가됨에 따라 Si-db(Si-dangling bond)와 Ge-db에 의한 신호가 서로 분리되어 나타났으며, 이 Si-db 스핀 밀도와 Ge-db 스핀밀도의 변화정도는 x값에 크게 의존함을 보여준 것이다. 즉 순수한 a-Si:H의 경우 Si-db 의 스핀밀도의 증가시간은 4시간 정도였고, 그리고 다시 감소하였으며, x=0.1 인 박막에서 Si-db와 Ge-db의 변화 시간은 순수 S-db 변화의 경우와 거의 유사하였다. 그러나 x=0.5 샘플에서는 Si-db의 변화가 빨라져서 0.1 시간 안에 증가되었고, Ge-db의 변화는 더 빠르게 수 분 동안에 증가 된후 다시 감소하였다. 이것은 수소의 Si에 대한 친화력 뿐 만아니라 Si-H과 Ge-H 결합에너지가 주위 원자들의 구성에 크게 영향받을 수 있는 가능성을 제시해준다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.402-402
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• 2012

최근 반도체 공정 중 fluorocarbon (CxHyFz) 가스와 함께 플라즈마 밀도가 큰 유도결합형 플라즈마을 사용한 식각장비가 많이 사용되고 있다. 특히 저 유전상수 값을 가지는 박막을 밀도가 큰 플라즈마와 함께 fluorocarbon 가스를 이용하여 식각을 하게 되면 매우 복잡한 현상이 생긴다. 따라서 식각률에 대한 모델을 세우고 적용하는 일이 매우 어렵다. 본 연구에서는 CF4가스를 Ar가스와 함께 혼합하고 기판 플라즈마와 유도결합형 플라즈마를 동시에 가진 식각장비를 사용하여, 저 유전상수 값을 갖는 박막을 식각하였다. 또한, 간단한 식각모델인 Langmuir adsorption model를 이용하여 식각률(Etch rate)에 대한 합리적인 이해를 얻기 위해, 기판과 유도결합형 플라즈마의 파워에 따른 식각률을 계산하고, 식각모델에서 사용되는 매개변수인 이온플럭스(Ion Flux)와 식각수율(Etch yield)을 연구하였다. 기판의 플라즈마 파워가 20에서 100 W 증가하면서 식각률이 269에서 478 nm/min로 증가하였으며, 식각수율이 0.4에서 0.59로 증가하는 것을 관찰하였다. 반면에 기판의 플라즈마 파워 증가에 따라 이온 플럭스는 3.8에서 $4.7mA/cm^2$로 변화가 크지 않았다. 또한, 유도결합형 플라즈마의 파워가 100에서 500 W 증가하면서, 식각률이 117에서 563 nm/min로 증가하였으며, 이온플럭스가 1.5에서 $6.8mA/cm^2$으로 변화하였다. 그러나, 식각수율은 0.46에서 0.48로 거의 변화하지 않았다. 그러므로 저 유전상수 값을 가지는 박막 식각의 경우, 기판의 플라즈마는 식각수율을 증가시키며 유도결합형 플라즈마는 이온 플럭스를 증가시켜 박막 식각에 기여하는 것으로 사료된다.