• 제목/요약/키워드: 극초단펄스

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극초단 펄스 색소레이저의 특성과 응용 (Characteeristics of a Ultrashort Pulse Dye Laser and its Application)

  • 임용식;김광훈;문희종;고춘수;이재형;장준성
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 1995년도 광학 및 양자전자학 워크샵 논문집
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    • pp.177-184
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    • 1995
  • 피고초 및 펨퍼초 펄스를 얻기 위한 동기형(Synchrous mode-locking) 및 혼합형 모드결합(Hybrid mode-locking) 방식이 색소레이저에서의 출력특성에 대하여 연구하였다. 피고초 및 펨퍼스 펄스의 발생원리에 대하여 논하고, 군속도 분산과 자기위상변조와 같은 펨퍼토 펄스의 형성원리 사이의 연관성에 대하여 논한다. 또한 펨도초 펄스의 시분해 응용으로 축퇴 4광파 혼합법으로 미소반도체 CdSSe(Re645)에서 위상이완시간(Dephasing time)의 측정에 관하여 논한다.

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극초단 펄스 Cr4+:YAG 레이저의 제작 및 동작 특성 (Construction and operational characteristics of a Ultra-Short pulse Cr4+:YAG laser)

  • 이봉연;이동한;이치원;윤석범;추한태
    • 한국광학회지
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    • 제15권5호
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    • pp.455-460
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    • 2004
  • 1.064 $\mu\textrm{m}$ 파장의 연속발진 Nd:YAG 레이저를 펌핑 광원으로 하여 적외선 영역에서 광대역으로 파장 가변되는 연속발진 및 극초단펄스 C $r^{4+}$ :YAG 레이저를 자체 제작하였다. C $r^{4+}$ :YAG 레이저의 연속발진 및 펄스의 출력특성과 파장 가변 영역은 다음과 같다. 연속발진일 경우 1.436 $\mu\textrm{m}$에서 600 mW의 평균출력을 보였으나, 복굴절 필터를 삽입했을 경우는 1.492 $\mu\textrm{m}$근처에서 400 mW의 평균출력을 보였다. 펄스발진일 경우 1.436 $\mu\textrm{m}$에서 최초로 평균출력 320 mW의 모드록킹된 펄스가 발생하였지만 물 흡수대의 영향으로 불안정함을 피할 수 없었다. 따라서, 복굴절 필터를 사용하여 중심파장을 1.492 $\mu\textrm{m}$로 이동시켰으며 이 영역에서 안정한 상태의 모드록킹된 43 fs의 극초단 펄스를 생성하였다. 이 때의 평균출력은 280 mW이고, 반치폭(FWHM)은 45 nm이었다.

초고속 반도체 레이저와 광통신 응용

  • 이창희
    • 광학과기술
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    • 제1권2호
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    • pp.56-64
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    • 1997
  • 본 기술해설에서는 초고속 반도체 레이저의 특성을 알아보고 광통신에의 응용을 검토하였다. 먼저 반도체 레이저의 동작 원리를 설명하였고, 초고속 반도체 레이저의 소신호 및 대신호 변조특성에 대해서 기술하였다. 또한, 반도체 레이저를 이용하여 극초단 펄스를 생성하는 방법으로 이득/Q 스위칭법, 외부변조기와 집적화된 반도체 레이저를 이용하는 방법, 모드 록킹법에 대해서 검토하고 펄스 압축법에 관해서도 기술하였다. 초고속 반도체 레이저의 응용으로는 초고속 광통신, 솔리톤 광통신, 전광 시분할 다중/역다중에 관해서 기술하였다.

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펨토초급 극초단 펄스레이저에 의해 가열된 실리콘 내의 열전달 특성에 관한 수치해석 (Numerical Analysis on Heat Transfer Characteristics in Silicon Boated by Picosecond-to-Femtosecond Ultra-Short Pulse Laser)

  • 이성혁;이준식;박승호;최영기
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제26권10호
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    • pp.1427-1435
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    • 2002
  • The main aim of the present article is numerically to investigate the micro-scale heat transfer phenomena in a silicon microstructure irradiated by picosecond-to-femtosecond ultra-short laser pulses. Carrier-lattice non-equilibrium phenomena are simulated with a self-consistent numerical model based on Boltzmann transport theory to obtain the spatial and temporal evolutions of the lattice temperature, the carrier number density and its temperature. Especially, an equilibration time, after which carrier and lattice are in equilibrium, is newly introduced to quantify the time duration of non-equilibrium state. Significant increase in carrier temperature is observed for a few picosecond pulse laser, while the lattice temperature rise is relatively small with decreasing laser pulse width. It is also found that the laser fluence significantly affects the N 3 decaying rate of Auger recombination, the carrier temperature exhibits two peaks as a function of time due to Auger heating as well as direct laser heating of the carriers, and finally both laser fluence and pulse width play an important role in controlling the duration time of non-equilibrium between carrier and lattice.

극초단 펄스레이저 광이 입사된 금속박막의 열적반응 중 비정상반사율의 영향 (Effects of transient thermo reflectance on the thermal responses of metal thin film exposed to ultrashort laser heating)

  • 박승호;국정진
    • 설비공학논문집
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    • 제11권4호
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    • pp.528-536
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    • 1999
  • This work studies the effects of transient reflectance on the thermal responses of a metal(gold) thin-film during ultrashort laser heating. The heating process is calculated using the conventional conduction model (parabolic one-step: POS), parabolic two-step model (PTS) with and without variable properties, hyperbolic two-step model (HTS). Results from the HTS model are very similar to those from the PTS model, since the laser heating time in this study is greater than the electron relaxation time. PTS model with variable properties, however, results in totally different temperature profiles compared to those from POS models or calculation with constant properties. Transient reflectances are estimated from electron temperature distributions and based on the linear relationship between the electron temperature and complex dielectric constants. Reflectance of the front surface can be changed with respect to dielectric constants, while those of the rear surface remain unchanged.

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