• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.43 no.8 s.350
• /
• pp.1-5
• /
• 2006

At-wavelength inspection system of extreme Ultra-violet lithography was developed and the inspection results were compared with the optical mask inspection system by cross correlation experiments. In at-wavelength EUV mask inspection system, a raster scan of focused euv light is used to illuminate euv light to mask blank and specularly and non-specularly reflected euv light are detected by photo diode and microchannel plate. The cross correlation results between at-wavelength inspection tool and optical inspection tool shows strong correlation. Far-field scattering fringe pattern from programmed phase and opqque defect, which were detected by phosphor plate and CCD camera shows that distinct diffraction fringes were observed with fringe spacing dependent on the defect size.

• Bulletin of the Korean Space Science Society
• /
• 2003.10a
• /
• pp.84-84
• /
• 2003

태양의 극자외선관측은 오존층에서 흡수되어 지상에서는 불가능하다. 그럼에도 불구하고, 우주발사체나 로켓을 이용하여 계속적인 관측이 행하여지는 이유는 지구에 영향을 미치는 태양의 활동을 알아내는데 중요한 영역이기 때문이다. 이러한 관측이 그동안 어떻게 진행되어져 왔으며, 어느 정도의 데이터를 확보하고 있는지에 대해서 정리해 보았다. 국내에서도 극자외선 영역의 관측이 가능한 기기를 만들어 자체적인 우주환경 예보 시스템을 구축할 수 있어야 할 것이다. 본 연구진은 극자외선 태양망원경 EM 개발을 통하여 해외의 기술을 조사하고, 본 개발에 도입하여 국내에서의 제작이 가능한지에 대해 알아보았다 개발에 이용된 자료들과 개발 결과에 대해서 논의하겠다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2007.04a
• /
• pp.57-58
• /
• 2007

최근들어 극자외선을 이용한 리소그라피가 차세대 리소그라피 기술로 각광받고 있다. 극자외선 리소그라피 기술에서 마스크 제조 기술이 매우 중요하다. 이번 연구에서는 마스크 제작에 있어서 필요한 식각 공정을 유도 결합형 플라즈마 장치를 이용하여 여러 가지 공정 조건에 따라 실험하였다.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
• /
• v.18 no.2
• /
• pp.145-152
• /
• 2001

For the research of solar EUV (extreme ultraviolet) radiation, we have designed a small-sifted engineering model of solar EUV telescope, which is suitable for a Korean satellite. The EUV sole. telescope was designed to observe the sun at $584.3AA$(He I) and $629.7AA$(OV) The optical system is an f/8 Ritchey-Chr rien, and the effective diameter and focal length are 80mm and 640mm, respectively. The He I and 0V filters are loaded in a filter wheel. In the detection part, the MCP (Microchannel Plate) type is Z-stack, and the channel-to-diameter radio is 40:1. MCP and CCD are connected by fiber optic taper. A commercial optical design software is used for the analysis of the optical system design.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
• /
• v.20 no.4
• /
• pp.327-338
• /
• 2003

The aim of this paper is to describe the results of the study on the extreme-ultra-violet (EUV) solar telescope, which is designed to. a possible satellite mission. Since the EUV band can not be observed on the ground, the observation in EUV should be performed in space using a satellite or a rocket. Design of the Extreme-Ultra-Violet solar Telescope (BUVT) in this study is based on "Designing a small-sized engineering model of solar EUV telescope for a Korean satellite" (Han et al. 2001). Our EUVT design is satisfied with the requirements for a satellite in size and input voltage. The major goal of the study is to confirm if we can detect the specific wavelength (58.4nm to 62.9nm) with the EUVT. We describe re-designing of the EUVT to decrease a shelter ratio. Also we describe the technics in the optic system and the detector, which were used to manufacture the EUVT. We explain the detective program, which is to calculate the amount of the solar radiation, and the image data processing system.ng system.

• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
• /
• v.42 no.2
• /
• pp.83.1-83.1
• /
• 2017

SDO/AIA와 STEREO/EUVI 두 태양 관측 위성의 193 파장에서의 실시간 영상 이미지를 이용하여 Stonyhurst Heliographic Map을 작성하고 각각의 위성 데이터 분석으로부터 얻어진 결과들을 종합적으로 재구성하여 태양 전면 및 후면의 활동 영역들을 동시에 표출하는 태양 활동성 지도 (Solar Activity Monitoring Map)를 작성하는 프로그램을 제작하였다. 태양 활동성 지도를 이용하여 태양 후면에서의 극자외선 밝기 분포를 경도에 따라 등간격으로 나눈 후 각 지역에서 얻은 극자외선량을 실시간으로 갱신하며 그래프를 작성하는 프로그램도 함께 제작하고 그로부터 태양 후면 영역의 활동성이 향후 지구에 어떠한 방식으로 영향을 미칠 것인지 사전에 예측 가능하도록 하였다. 또한 태양 후면에서 발생하는 활동 영역 (Active Region) 및 코로나홀들을 자동적으로 탐지한 후 실시간으로 변화 정도를 추적 및 기록하는 프로그램도 제작하였다. 태양 활동성 지도는 193 파장에서 뿐만 아니라 두 위성이 공유하는 세 개의 동일 혹은 유사한 파장대 (171,211,304)에서 얻어진 데이터들도 함께 이용하여 각 파장대에서 독립적으로 작성하였는데 이로 인해 각각의 에너지 영역의 특성에 해당하는 태양 활동성을 동시에 표출하는 것이 가능하게 되었다. 이러한 프로그램을 이용하여 태양 후면에서의 활동 영역의 발생 및 변화를 사전에 인식하고 그들이 태양 전면으로 나타나기 전에 대비할 수 있는 예보 장치가 마련되었다. 본 연구들과 더불어 극자외선 영역에서의 태양 활동성 조사로부터 플레어의 발생을 예측할 수 있을 것인지의 가능성 여부를 타진하기 위해 과거 극자외선 관측에서 얻어진 활동 영역들의 데이터와 연 X-선 관측으로부터 기록된 플레어 발생 여부의 상관관계를 조사하는 연구가 현재 진행 중이다. 이러한 연구로부터 긍정적인 결과가 도출되는 경우 극자외선 영역에서의 관측 데이터를 이용하여 플레어 발생 가능성을 예측하는 새로운 방법을 제시하는 것이 가능해질 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2013.02a
• /
• pp.518-518
• /
• 2013

자외선이 생체를 파괴하거나 탄생시킬 수 있는 중요한 요소라는 것은 잘 알려져있다. 이 때문에 생체 시료를 보통 자외선 파장대인 250~350 nm보다 짧은 10 nm 영역에 있는 극자외선에 노출되었을 때 그 상호작용 및 변화를 찾아서 분석하는 것을 목표로 삼는다. 먼저 이에 대한 기초내용으로, 앞으로 활용하게 될 플라즈마 집속장치에서의 전극형태에 따른 EUV 광원의 특성을 알아보는 실험을 진행하였다. 이 실험은 집속 플라즈마 발진장치의 2가지 전극인 마테르 (Mather) 형태의 전극과, 초사이클로이달 핀치(Hypercycloidal pinch) 핀치 형태의 전극에서 발진된 극자외선(Extreme Ultraviolet : EUV) 집속 플라즈마의 전자온도와, 전자밀도, power를 분석하였다. 그리고 EUV 광원 발생장치에 Ar 가스와, Ne-Xe 가스내 환경에서 2 종류의 전극에 의해 만들어진 고밀도 플라즈마로부터 발생된 EUV의 특성을 알아보았다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
• /
• 2002.05a
• /
• pp.241-246
• /
• 2002

극자외선 노광공정(EUVL: Extreme Ultraviolet Lithography)은 반도체 공정에서 0.1$\mu\textrm{m}$ 이하의 해상도를 실현하기 위해 연구되고 있는 유력한 차세대 노장공정(NGL: Next Generation Lithography)이다. [1] 본 연구에서는 극자외선 노광공정에서 사용되는 반사형 다층박막 미러를 제조하기 위해서 직접 제작한 전산모사 도구를 이용하여 130~135$\AA$의 파장 영역에서 고반사도를 가지는 효율적인 다층박막의 구조인자를 예측하였으며, 그러한 구조인자를 실현하기 위해서 상온(~300K)에서 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 다층박막을 증착하였다. 증착조건 중에서, 공정압력에 따른 다층박막 계면 성장의 질적 의존성이 나타났으며, 결과적으로는 낮은 공정압력에서 더좋은 계면특성을 가지는 다층박막이 형성되었다. 다층박막의 구성물질로 Ru, Mo, Si을 사용하였으며, 다층박막의 구조분석은 high/low angle XRD, 단면 TEM images 등을 이용하여 분석되었다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
• /
• 2000.08a
• /
• pp.240-241
• /
• 2000

최근에 개발된 강력한 레이저는 원자가 tunneling 이온화 될 수 있는 충분한 세기를 가지고 있다$^{(1)}$ . Tunneling 이온화 된 전자는 원자의 Coulomb 퍼텐셜 보다 레이저 장에 의한 영향이 훨씬 크므로 기존의 perturbation 이론으로는 이들간의 상호작용을 설명하기에 부족하였다. 뿐만 아니라 이온화된 전자가 레이저 장의 방향이 바뀜에 따라 재결합함으로써 발생되는 고차조화파는 기존의 perturbation 이론으로는 설명될 수 없는 발생효율이 차수에 상관없이 거의 일정한 평탄영역을 가지고 있음이 실험적으로 관측되었다$^{(2)}$ . 강력한 레이저 장과 원자들과의 상호작용에 의해서 생성된 고차조화파는 기존의 비선형 현상으로 설명되어지는 이차 조화파나 삼차 조화파와 같이 레이저의 간섭성을 그대로 물려 받으므로 극자외선 영역의 간섭광원으로써 이의 활용가치가 높을 것으로 보고 있다. 현재에는 기존의 엑스선 레이저로 가능했던 고밀도 플라즈마 밀도 측정등과 같이 극자외선 간섭광이 필요로 하는 연구등에 활용 되어지고 있다. 뿐만 아니라 고차조화파는 효율이 거의 일정한 넓은 파장 영역인 평탄 영역을 가지므로 이의 넓은 파장 영역을 이용하면 아토초 수준의 짧은 극자외선 광원을 만들 수 있을 것으로 이론적으로 예견되어 지고 있다$^{(3)}$ . (중략)

• Applied Chemistry for Engineering
• /
• v.17 no.2
• /
• pp.158-162
• /
• 2006

Poly[4-hydroxystyrene-co-2-(4-methoxybutyl)-2-adamantyl methacrylate] was synthesized and evaluated as a matrix resin for extreme UV (EUV) chemically amplified resist. The resist system formulated with this polymer resolved 120 nm line and space (pitch 240 nm) positive patterns using a KrF excimer laser scanner (0.60 NA). The well defined 50 nm line positive patterns (pitch 180 nm) were obtained using an EUV lithography tool. The dry etching resistance of this resist for a $CF_{4}$-based plasma was 1.1 times better than that of poly(4-hydroxystyrene).