• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.36 no.1
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• pp.51-56
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• 1992

X-ray diffraction analysis and infrared spectrophotometry were used to investigate the crystal structures and the bonding characteristics in $Pb(Zr_{1-y}Ti_y)O_3$ (PNZT), which has a perovskite structure. As $Pb^{2+}$ of PZT was substituted by 8${\sim}$12 atom% $Nd^{3+}$ ion, the structures were changed to cubic from tetragonal and its transmission had maximum value. Transmission increased as the stretching force constant $(k_s)$ of unit cell increased. It is supposed that the electro-optic characteristics might occur due to electron-transition from HOMO to LUMO of titanium ion.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.10 no.2
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• pp.110-113
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• 1999

x의 범위가 0.5

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.30-31
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• 2009

전하가 다른 두 종류의 토너입자를 ITO 기판에 격벽 높이의 차이를 두어 제작한 패널을 사용하였다. 토너입자를 충전할 때 동일한 격벽 높이의 패널을 사용하는 것과 서로 다른 패널을 사용하여 합착, 2가지 type을 제작하였다. 제작된 패널을 전압별로 구동하고 각 구동전압에서의 광특성을 측정하였다. 셀 내부에 충전되어 있는 입자보다 운동량이 적은, 즉 셀 내부에서도 격벽 표면에 흡착되어 있는 토너입자들이 구동과 광특성에 어떠한 영향을 미치는지 평가하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.2
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• pp.98-108
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• 1993

전자 전기 회로는 낙뢰, 인체에 대전된 전하의 방전 및 스위칭 동작에 의해서 생긴 광도 써어지 전압이 침입하는 경우가 종종 발생하게 된다. 그러한 이상전압에 대해서 회로를 보호하기 위해서 회로의 절연내력을 증기시키거나 보호장치를 부착한다. 일반적으로 경제적인 면을 고려하여 보호장치를 부착하는 방법을 채택하고 있다. 지금까지 과전압 흡수소자로서 SiC, 제너 다이오드, 방전갭 및 ZnO 바리스터의 구조, 제조방법, 전기적인 특성, 응용범위 및 앞으로의 개발 과제에 대해서 소개하고져 한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.2
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• pp.1-1
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• 2001

DRAM에서 셀 캐패시터의 누설 전류 영향을 고려하여 소프트 에러율을 예측하였다. DRAM의 동작 과정에서 누설 전류의 영향으로 셀 캐패시터는 전하량이 감소하고, 이에 따른 소프트 에러율을 DRAM의 각 동작 모드에 대하여 계산하였다. 누설 전류가 작을 경우에는 /bit mode가 소프트 에러에 취약했지만, 누설전류가 커질수록 memory 모드가 소프트 에러에 가장 취약함을 보였다. 실제 256M급 DRAM의 구조에 적용하여, 셀 캐패시턴스, bit line 캐패시턴스, sense amplifier의 입력 전압 감도들이 변화할 때 소프트 에러에 미치는 영향을 예측하였고, 이 결과들은 차세대 DARM 연구의 최적 셀 설계에 이용될 수 있다.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.339-343
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• 2016

본 연구에서는 양자역학적 전하수송 모델링을 바탕으로 channel length ($L_{ch}$), equivalent oxide thickness (EOT), supply voltage ($V_{DS}$) 등의 소자 파라미터들에 초점을 맞춰 저전력 소자를 구현하였다. 본 연구에서 나타낸 최적의 소자 특성으로부터 ITRS에서 제시하고 있는 2021년 예측되는 소자 특성에 비하여 더 낮은 $V_{DS}$에서 동작을 하면서 더 높은 $I_{on}$과 낮은 SS 로서 구동하는 것이 가능할 것으로 기대된다. 뿐만 아니라 inverter 동작에 있어서 ideal inverter에 가까운 동작을 할 것으로 기대된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.613-613
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• 2013

그래핀은 저차원계 구조에서 기인하는 뛰어난 전기적, 물리적, 기계적 성질을 지니고 있어 실리콘 기반 기술을 대체할 전계 효과 트랜지스터 이외에도 투명전극, 초고용량 커패시터, 전계방출 디스플레이 등 다양한 응용분야에 적용 가능하다. 최근에는 이러한 응용 연구분야에서 그래핀과 탄소나노튜브 각각의 단점을 최소화하고 장점을 극대화하기 위한 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조에 대한 연구들이 진행되고 있는 추세이다. 이전 연구들에서 환원된 그래핀 산화물(Reduced Graphene Oxide, RGO)을 이용한 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조가 제작되었는데, 이는 RGO의 제작과정에서 복잡한 공정과 긴 합성과정이 요구될 뿐 아니라, 복합 물질에서 탄소나노튜브의 밀도 제어가 어렵다는 단점을 지닌다. 또한 현재까지 제작된 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조의 경우, 열 화학기상증착법으로 합성된 다층(few-layers)의 그래핀과 탄소나노튜브 혼성 나노구조를 제작하였다 [1-6]. 본 연구에서는 우수한 전기적 특성을 가진 단층(monolayer)의 그래핀을 열 화학기상증착법으로 합성한 후, 그래핀 위에 단일벽 탄소나노튜브를 성장시킴으로써 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조를 제작하였다. 합성된 그래핀-탄소나노튜브의 구조적 특징은 주사 전자 현미경과 라만 분광기 측정을 통해 확인하였고, 촉매의 표면 형상 및 화학적 상태는 원자힘 현미경과 X선 광전자 분광법을 통해 확인하였다. 또한 그래핀 기반의 전계 효과 트랜지스터의 경우, 상온에서 그래핀은 우수한 전하 이동도를 가지며 웨이퍼 스케일에서 제작하기 쉬우나 밴드 갭이 없으므로 높은 Ion/Ioff를 가지는 그래핀 기반의 트랜지스터를 만드는 것이 과제이다. 반면 탄소나노튜브는 큰 에너지 갭을 가지고 있으므로 높은 Ion/Ioff를 구현하는 소자 제작이 가능하다. 그리하여 제작된 그래핀-탄소나노튜브 혼성 나노구조의 소자 제작을 통해 전기적 특성을 조사하였다.

• Journal of the Korean Recycled Construction Resources Institute
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• v.11 no.4
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• pp.449-457
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• 2023

In this study, the structural limit for concrete was experimentally determined against corrosion of steel. The structural limit was taken as (1) the deformation of concrete at yielding, (2) the maximum pull-out strength and (3) the pull-out strength at the level for uncorroded specimen. Corrosion of steel was accelerated by extracting charges from steel surface to govern degree of steel corrosion. As a result, an increase in the steel diameter resulted in an increase in the corrosion degree to reach the concrete deformation at yielding. Again, an increase in the steel diameter resulted in an increase in the extracted charge to meet the maximum and uncorroded-equivalent level for the bond strength. However, the mass loss was marginally affected by the steel size, reflecting that these parameters could be used to alert the structural limit.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.2 no.4
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• pp.248-256
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• 1992

This paper has reviewed some of the basic principles that underlie the field of defect chemistry in simple ATi$O_3$(A=Ca, Sr, Ba) perovskites. Frenkel defects in perovskite structure is very much unlikely, and Schottky defects and intrinsic electronic defects in undoped materials are negligibly small compared with background acceptor impurities. The electrical properties of perovskite ceramics are dependent on the aliovalent impurities. Since perovskite structure is a ternary system, the stoiohiometry between cations as well as cation-anion ratio will affect defect structure and electrical properties. BaTi$O_3$and SrTi$O_3$show a limited deviation from the cation stoichiometry while CaTi$O_3$has significant excess CaO and Ti$O_2$solubility.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.372-372
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• 2013

기존의 MOSFET 구조의 소자는 비례 축소에 의한 단 채널효과, 누설전류, 신뢰성 문제 같은 어려움에 직면해 있다. 이로 인해 20 nm 이하 소자 크기에서 기존의 MOSFET을 대체할 여러가지 차세대 소자에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 그 중에서 FinFET 소자는 비례 축소에 용이하고 누설전류 문제에 대한 장점으로 인해 활발한 연구가 진행되고 있다. 기존의 FinFET 소자에 대한 연구는 FinFET 구조를 이용한 메모리 소자의 전기적 특성의 향상, fin의 크기에 따른 소자의 특성 변화와 FinFET 구조의 물질 변화에 따른 전기적 특성 변화에 대한 연구가 많이 이루어져 왔다. 실제 공정에서의 fin의 형태 변화에 따른 전기적 특성변화에 대한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 fin의 모서리의 모양의 변화에 따른 FinFET 소자의 전기적 특성 변화를 관찰하였고 전하 수송 메커니즘을 규명하였다. 실제 FinFET 소자의 공정에서 fin의 형태는 이상적인 직육면체 모양이 아니라 옆면이 기울고 모서리가 곡선이 되게 된다. 이로 인한 전자의 이동도 변화로 인해 소자의 성능이 변화하게 된다. FinFET의 경우 채널을 구성하는 fin의 각 면의 Si의 orientation이 다르다. 또한 fin의 모서리의 모양이 변화 함에 따라 채널영역의 orientation이 변화 하게 된다. 이에 따라 fin의 모서리 모양의 변화에 따른 소자의 전기적 특성 변화를 multi-orientation mobility model을 포함한 three-dimensional TCAD 시뮬레이션을 통해 계산하였다. 옆면과 윗면이 만나는 모서리의 모양의 곡률의 크기를 증가하여 다양한 fin의 형태에서 전기적 특성을 관찰하였다. Fin의 옆면과 윗면이 만나는 모서리의 곡률이 증가함에 따라 depletion 영역의 크기 변화와 채널에서의 전자의 밀도와 이동도의 변화를 관찰하였고 이를 토대로 fin의 형태 변화가 FinFET 소자의 전기적 특성에 미치는 영향을 조사하였다.