• 제목/요약/키워드: 구리 전기도금

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극소형 전자기파 송수신기의 제작 및 전기도금된 구리박막의 칩단위 근접 전자기장 차폐효과 분석 (Microfabrication of Microwave Transceivers for On-Chip Near-Field Electromagnetic Shielding Characterization of Electroplated Copper Layers)

  • 강태구;조영호
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제25권6호
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    • pp.959-964
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    • 2001
  • An experimental investigation on the near-field electromagnetic loss of thin copper layers has been presented using microfabricated microwave transceivers for applications to multi-chip microsystems. Copper layers in the thickness range of 0.2$\mu$m∼200$\mu$m have been electroplated on the Pyrex glass substrates. Microwave transceivers have been fabricated using the 3.5mm$\times$3.5mm nickel microloop antennas, electroformed on the silicon substrates. Electromagnetic radiation loss of the copper layers placed between the microloop transceivers has been measured as 10dB∼40dB for the wave frequency range of 100MHz∼1GHz. The 0.2$\mu$m-thick copper layer provides a shield loss of 20dB at the frequencies higher than 300MHz, whereas showing a predominant decreases of shield loss to 10dB at lower frequencies. No substantial increase of the shield effectiveness has been found for the copper shield layers thicker that 2 $\mu$m.

고종횡비 금속 나노튜브 기반 투명전극 제조기술 (Fabrication of Long Metal Nanowire by Electrospinning Process for the Transparent Electrode)

  • 이창면;허진영;이홍기
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.132.1-132.1
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    • 2017
  • 본 연구에서는 투명전극 제조를 목적으로 전기방사법을 이용하여 미세구리 패턴을 형성하는 방법에 대하여 연구하였다. $Ag^+$이온이 용해된 폴리비닐부티랄(PVB) 고분자 용액을 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)와 같은 투명기판 위에 전기방사 하여 $Ag^+$이온/PVB 복합나노와이어를 제조한 후 이를 UV 조사로 환원하여 선택적으로 촉매를 형성하였다. 이후 연속적인 무전해 구리 도금을 통하여 촉매 위에 미세구리배선을 형성함으로써, 투명전극을 제조하였다. 개발 공정을 통해 제조된 투명전극은 기존 Ag나노와이어 기반 투명전극에서 발생하던 접촉저항에 대한 문제를 해결함으로써 전기적, 광학적 특성이 우수한 차세대 유연 디스플레이에 적용 가능성을 보여주었다.

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구리전해도금에서 양쪽이온성 계면활성제인 (Dodecyldimethylammonio)propanesulfonate의 영향 연구 (Study on the Effect of (Dodecyldimethylammonio)propanesulfonate Zwitterionic Surfactant on Cu Electrodeposition)

  • 신영민;김인의;방대석;조성기
    • 전기화학회지
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    • 제24권3호
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    • pp.35-41
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    • 2021
  • 본 연구에서는, 양쪽이온성 계면활성제가 구리전해도금에 미치는 영향을 cyclic voltammetry를 이용해 분석해보았다. 대표적인 양쪽이온성 계면활성제인(dodecyldimethylammonio)propanesulfonate (DDAPS)를 전해도금액에 첨가할 경우, Cu2+의 환원반응이 억제되는 것을 확인할 수 있었으며, 이러한 억제 효과는 음이온성 계면활성제가 아닌 양이온성 계면활성제와 유사한 특성에 해당한다. 뿐만 아니라, DDAPS는 염소이온과 상호작용을 나타내었고, 억제효과가 물질전달 조건에 따라 변화하는 특성을 가지고 있었으며, 구리도금막의 거칠기 또한 미약하게 감소시켰다. 이러한 특성은, 양이온성 계면활성제의 특성과 유사하나 다소 약화된 모습이었으며, 이를 통해 DDAPS의 작용은 양전하의 친수성 머리에 의해 주도되며, 이 양전하는 음전하 친수성 머리에 의해 shielding 되어 있음을 확인할 수 있었다.

온도에 따른 펄스 전해도금 구리박막의 물성변화 (The Effects of Temperature on Mechanical Properties in Pulse-Electrodeposited Cu Thin Film)

  • 박상우;서성호;진상현;왕건;유봉영
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.55-55
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    • 2015
  • 오늘날 전해동박은 리튬이온전지의 집전체, PCB, FPCB등의 핵심부품으로써, 산업 전반에 걸쳐 널리 사용되고 있다. 그러나 전자 회로의 미세화로 인한 열 발생, 낮은 강도에 의한 신뢰성 하락 등이 문제가 되고 있는 실정이다. 구리에 나노 쌍정을 높은 밀도로 형성하게 되면, 전기 저항의 변화 없이 기계적 강도를 높이는데 도움이 된다. 특히 펄스 전해증착에서는 높은 전류밀도가 인가되기 때문에 고밀도의 나노쌍정을 얻을 수 있다는 점이 여러 논문에서 보고되었다. 이번 연구에서는 펄스도금 조건에서 온도 조건의 변화를 통해 강도가 향상됨을 알 수 있었다.

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전기도금한 교정용 스테인레스스틸 선재의 세포독성에 관한 연구 (Evaluation of cytotoxicity of electroplated stainless steel orthodontic wire)

  • 이계형;조진형;이기헌;황현식
    • 대한치과교정학회지
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    • 제35권2호
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    • pp.127-136
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    • 2005
  • 광도 차이를 보이지 않았지만 전기도금한 선재 (p<0.001). 스테인레스스틸 선재 (p <0.05). 구리 (p<0.001) 는 배지만을 첨가한 경우보다 통계적으로 유의한 흡광도 감소를 보였다 ISO 10993, part 5에 따라 구리는 "강한 독성"을 보이는 반면 티타늄과 스테인레스스틸 선재는 "무독성". 그리고 전기도금 선재는 "중등도 독성"으로 나타났다 이상의 결과는 전기도금을 이용하여 교정용 선재의 직경을 증가시키는 방법이 임상에 적용되기 위해서는 세포독성을 줄이기 위한 추가의 연구가 필요함을 시사하였다.

전기구리도금에 미치는 Mercapto화합물의 전기화학적 특성 (The Electrochemical Characteristics of Mercapto Compounds on the Copper Electroplating)

  • 손상기;이유용;조병원;이재봉;이태희
    • 전기화학회지
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    • 제4권4호
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    • pp.160-165
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    • 2001
  • 황산원자를 포함하는 mercapto화합물은 도금시 전착속도를 증가시키는 첨가제로 알려져 있는데, 이 중 4가지의 mercapto 화합물을 선정하여 농도를 변화시켜가며 Hull cell test, Haring-Blum cell test, cathodic polarization, EQCM(Electrochemical Quartz Crystal Microbalance)등을 이용하여 도금특성 및 throwing power를 알아보았다. Cathode polarization 및 EQCM을 통한 구리 전착량을 알아본 결과 4가지의 mercapto 화합물 중 3-mercapto-1-propanesulfonic acid가 activator로서 가장 적당하였으며, 그 농도가 20 ppm에서 throwing power를 증가시키고, 농도 및 활성 과전압이 오직 $Cl^-$만 포함되었을 때보다 cathodic scan시 100 mV 만큼 shift되어 증착속도를 증가시킴을 알 수 있었다.

무전해 도금방식을 이용한 PET 필름 위 선택적 Ni-Cu 박막의 특성분석

  • 김나영;백승덕;이연승;김형철;나사균;최성창
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.387.2-387.2
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    • 2014
  • 최근 이동통신 LED 에너지 자동차 산업분야에서 제품의 고기능화 고성능화를 위한 신소재 개발 및 친환경적인 신공정 개발에 있어, PI 또는 PET와 같은 유연성 소재 위에 선택적 패턴 도금 기술, 고기능성 나노/복합 도금 등이 주목 받고 있다. 또한 전 세계적으로 유해물질의 수 출입 규제 움직임이 강력하게 제기되고 있다. 본 연구에서는 유연성 소재인 PET 위에 친환경적 방법으로 구리를 선택적으로 도금하기 위한 실험을 진행하였다. 준비된 PET 필름 위에 Ag paste를 Screen Printing법을 이용하여 Ag 전극을 패턴하고, 그 위에 무전해 도금방식을 이용하여 Ni과 Cu가 도금 되도록 하였다. Ni 무전해 도금은 pH6.5, 65도에서 시행되었으며, Cu 무전해 도금은 환경규제물질인 포름알데히드 대신에 차아인산나트륨을 사용하여 70도에서, 중성근처의 pH 농도(pH7과 pH8)에서 시행되었다. 이들 다층 박막에 대해 X-ray diffraction (XRD), SEM (Scanning Electron Microscope), XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) 등을 이용하여 물리-화학적/전기적 특성들을 이용하여 조사 분석하였다.

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고종횡비 비아상의 스퍼터링을 이용한 씨드층 형성 (Seed layer deposition using sputtering for high aspect ratio via)

  • 송영식;임태홍;이재호;김종렬
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.68-69
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    • 2013
  • 금속 씨드 층(seed layer)을 직경 $10{\mu}m$, 깊이 $100{\mu}m$, 고종횡비 10:1 비아에 스퍼터링하였다. 금속 씨드 층의 두께는 스퍼터링 시간, 압력, 및 타겟파워를 변화하여 조절하였다. 금속 씨드층 스퍼터링 후 전기도금에 의해 구리 충전을 시도하였다. 비아의 고종횡비가 증가하면 비아 폭이 좁아져 비아의 하부층과 하단 측면 두께는 비아 상부 측면 두께만큼 충분하지 않아 문제가 될 수 있다. 스퍼터링 조건을 최적화 함으로써 씨드층의 특성을 높이고, 비아 홀 지름의 감소 속도를 줄일 수 있었다. 종래의 스퍼터링 방식을 이용하여 비아 입구의 opening percentage를 약 64%로 하고, 하부 씨드층 두께가 46.7 nm 인 금속 씨드층을 형성할 수 있었다. 이 씨드층 상에 전기도금으로 Cu filling을 성공적으로 할 수 있었다.

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차량용 주석 도금된 구리 커넥터에서 미세진동에 의한 전기접촉 저항변화에 관한 연구 (A study on change in electric contact resistance of the tin-plated copper connector of automotive sensor due micro-vibration)

  • 유환신;박형배
    • 한국항행학회논문지
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    • 제12권6호
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    • pp.653-658
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    • 2008
  • 자동차에 적용되는 각종 전자 부품의 복잡도는 21세기를 맞이하면서 급속도로 변화하고 있다. 특히, 각종 전기, 전자 시스템의 급증은 자동차의 안전과 직결되는 문제로 인식되고 있다. 차량의 전장 및 전자부품을 연결해주는 커넥터는 인간의 신경망과 같아서 조그마한 접촉 불량도 차량의 운전에 심각한 영향을 미칠 수 있다. 차량의 진동과 커넥터 단자의 열 변형으로 인한 프레팅 부식은 산화막을 형성하여 접촉저항을 증가시키고 특히 산화층은 진접촉면적의 감소와 상승저항 등 터널 효과에서 급격한 상승을 보이는 결과로 제어신호를 왜곡하여 작동기의 동작오류를 초례한다. 본 논문에서는 이러한 프레팅 부식 현상을 검증하기 위한 주석으로 도금된 구리 커넥터에 스텝핑 모터를 사용하여 일정한 변위를 갖는 미세 진동을 유발하여 프레핑 부식의 진행과 접촉저항의 변화를 고찰하여 이에 대한 대비책을 강구하고자 한다.

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MOCVD 방법으로 증착된 TaN와 무전해도금된 Cu박막 계면의 열적 안정성 연구 (Thermal Stability of the Interface between TaN Deposited by MOCVD and Electroless-plated Cu Film)

  • 이은주;황응림;오재응;김정식
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제11권12호
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    • pp.1091-1098
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    • 1998
  • Thermal stability of the electroless deposited Cu thin film was investigated. Cu/TaN/Si multilayer was fabricated by electroless-depositing Cu thin layer on TaN diffusion barrier layer which was deposited by MOCVD on the Si substrate, and was annealed in $H_2$ ambient to investigate the microstructure of Cu film with a post heat-treatment. Cu thin film with good adhesion was successfully deposited on the surface of the TaN film by electroless deposition with a proper activation treatment and solution control. Microstructural property of the electroless-deposited Cu layer was improved by a post-annealing in the reduced atmosphere of $H_2$ gas up to $600^{\circ}C$. Thermal stability of Cu/TaN/Si system was maintained up to $600^{\circ}C$ annealing temperature, but the intermediate compounds of Cu-Si were formed above $650^{\circ}C$ because Cu element passed through the TaN layer. On the other hand, thermal stability of the Cu/TaN/Si system in Ar ambient was maintained below $550^{\circ}C$ annealing temperature due to the minimal impurity of $O_2$ in Ar gas.

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