• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.345.1-345.1
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• 2016

구리 피막은 열 및 전기를 잘 전달하는 특성으로 인해 전기 배선이나 Heat Sink 재료 등에 이용되고 있다. 최근에는 전자파 차폐나 FCCL (Flexible Copper Clad Laminate) 등의 피막으로 널리 이용되면서 연속 코팅 및 후막 제조를 위한 고속 소스의 필요성이 증가하고 있다. 연속코팅 설비에 적용하거나 후막을 경제적으로 제조하기 위해서는 정지상태의 기판을 기준으로 시간당 $100{\mu}m$ 이상의 증착 속도가 요구된다. 기존 마그네트론 스퍼터링 소스의 경우 일반적으로 증착율이 시간당 $20{\mu}m$ 이내이며, 고전력을 이용하는 소스의 경우도 $60{\mu}m$를 넘지 못하고 있다. 본 발표에서는 자기장 시뮬레이션을 통해 자석의 배열을 최적화하고 냉각 효율을 고려한 소스 설계를 통해 고속 스퍼터링 소스를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 제작된 소스는 구리 코팅을 위한 스퍼터링 공정 조건을 도출하고 다양한 기판에 $20{\mu}m$ 이상의 구리 후막을 코팅하여 미소 형상 및 코팅 조직을 분석하였다.

• 공업화학
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• 제2권3호
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• pp.289-299
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• 1991

후막 구리도체에 적합한 유리를 얻기 위하여 연붕규산계 및 무연 붕규산계 유리를 기반으로 하는 9종의 유리를 제조하고 후막 구리도체에의 적합성을 시험하였다. 그 결과 모든 유리들이 후막 구리도체의 쉬트 저항치, 납땜성 및 땜납 침식저항에는 양호하게 기여하는 것을 확인하였다. 그러나 후막과 알루미나 기판간의 노화후의 부착강도는 연붕규산계 유리로 만들어진 구리 도체막 만이 유용한 값을 가졌고, 그 외의 유리로 만들어진 구리 도체막의 노화후 부착강도는 사용하기에 부적합할 정도로 낮은 것이었다. 특히 $Cu_2O$ 가 첨가된 연붕규산계 유리가 후막 구리도체 제조에 가장 양호한 것으로 확인되었다.

• 공업화학
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• 제2권3호
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• pp.193-198
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• 1991

후막 구리도체는 귀금속계 도체에 비하여 가격이 저렴하고 전기전도도, 납땜성, 땜납 침식저항, 와이어 본딩성등의 양호한 성질 때문에 매우 중요성을 갖는다. 그러나 우수한 후막 구리도체를 형성하는 것은 구리가 높은 온도에서 쉽게 산화하는 성질로 인해 상당히 복잡하다. 양호한 구리후막을 얻기 위하여 하이브리드 마이크로회로업계는 질소분위기, 반응성분위기 또는 공기분위기를 사용한다. 이 글에서는 후막 구리도체의 소성공정과 세종류의 소성분위기에 대하여 종합적으로 고찰하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.242-244
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• 2002

고집적 반도체 소자에서 발생하는 열의 효과적인 전달을 위한 구리 모재의 초소형 히트파이프를 제작하였다. 제작된 초소형 히트 파이프는 높이 100 ${\mu}m$의 채널 어레이가 형성되어 있는 하부 구리 기판과 그것을 덮는 상부 구리 기판으로 구성된다. 채널의 개수는 44개이고. 길이는 24 mm이다. 하부 구리 기판 위에 음성 후막 감광제 JSR THB 151N을 도포하고 사진 현상 공정으로 미세 채널 몰드를 형성한 후, 구리 전기 도금을 이용하여 채널 격벽을 제작한다. 미세 채널 몰드는 습식 방법으로 완전하게 제거된다. 제작된 하부 구리 기판은 에폭시로 상부 구리 기판과 부착 후 옆면에 구리 전기 도금으로 완전히 접합한다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.37-37
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• 2008

에어로졸데포지션법을 이용하여 집적화 기판을 위한 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막을 상온에서 구리 기판 위 에 제조하였다. XRD, FT-IR 분석을 통해 코팅된 막은 $Al_2O_3$와 PMMA의 혼합물로 존재함을 확인하였으며 성막 중 $Al_2O_3$. PMMA의 상호작용과 PMMA 파우더의 거동에 대한 분석을 통해 $Al_2O_3$-PMMA 복할체 후막의 성막 양상을 확인할 수 있었다. 또한 기판 거칠기에 따라 초기 계면의 양상이 달라질 수 있음을 확인하였고 이러한 초기 계면의 상태가 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막의 제조에 있어 매우 중요함을 알 수 있었다. 본 연구에서는 에어로졸데포지션법을 이용한 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막의 성막 양상을 통해 세라믹-폴리머 복합체의 제조에 있어서의 주요 변수들을 알아보고 $Al_2O_3$-PMMA 복합체 후막의 전기적인 특성을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제36회 동계학술대회 초록집
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• pp.137.1-137.1
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• 2009

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.224-224
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• 2008

고주파용 집적회로 기판소재로의 응용을 위해 세라믹 특유의 취성을 개선한 $Al_2O_3$-polyimide 복합체 후막을 에어로졸데포지션법을 이용해 제조하고 그 특성을 평가하였다. 그 결과 기공이 거의 없이 치밀한 구조를 갖는 $Al_2O_3$-polyimide 복합체 후막이 구리 및 유리 기판 상에 성막 되었음이 SEM 및 EDS을 통해 확인되었다. 상용 $Al_2O_3$ 출발 파우더를 사용한 복합체 제조시 1 MHz에서 유전율은 6.7, 유전 손실률은 0.026 이었다. 유전특성의 향상을 위하여 에어로졸데포지션법으로 성막된 $Al_2O_3$-polyimide 복합체 후막의 후속 열처리 결과 유전손실율이 0.026에서 0.007로 감소하였다. 또한 집적회로 기판소재로의 응용을 위한 저온화 제조공정 확립을 위하여 $Al_2O_3$ 출발 파우더의 공정 전 열처리 후 상온에서 성막한 경우에도 어떠한 후속 열처리 없이 유전손실률이 0.007로 감소하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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• pp.13-14
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• 2008

A high rate magnetron sputtering source (HRMSS) was employed to deposit thick copper films. The HRMSS was manufactured by changing the magnet size, arrangement, and field intensity. For the preparation of thick copper films, the copper sputtering conditions using HRMSS were characterized based on the deposition parameters such as discharge characteristics, I-V characteristics of the source, and change of deposition rate. The deposition rate of copper turned out to be more than 5 times than that of conventional magnetron sputtering source. Thick copper films having thickness of more than $20{\mu}m$ were prepared by using HRMSS. The morphology and orientation of the films were investigated by scanning electron microscopy and x-ray diffraction.

• 전기화학회지
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• 제5권3호
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• pp.125-130
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• 2002

다공성 그물구조 금속을 반도체 칩 방열재료로써 활용하기 위한 실험을 실시하였다. 이를 위해 다공성 그물구조 구리와 반도체 칩 사이의 열팽창 차이를 최소화하기 위한 시도로써 다공성 구리에 대한 Fe/Ni 합금전착을 수행하였다. Fe/Ni 합금전착 실험으로 표준 Hull Cell을 구성하고 전류밀도 분포에 따른 Fe/Ni 합금층 내의 조성변화를 관찰하였으며, 실험결과 합금전착시 이상공석현상으로 인하여 전해액의 교반정도에 따라 합금층 조성이 크게 영향을 받는 것으로 나타났다. 본 실험에서는 paddle type 교반기를 사용하여 전해질의 확산을 제어하는 방법으로 원하는 조성의 Fe/Ni 합금층을 얻을 수 있었으며, 얻어진 Fe/Ni 후막을 대상으로 TMA 열분석을 실시한 결과 구리에 비해 훨씬 낮은 열팽창율을 보이는 것으로 나타났다. 또한, 본 실험에서 Fe/Ni 합금전착을 통하여 제작한 다공성 그물구조 금속을 대상으로 방열성능을 측정한 결과 구리 평판 대비 최대 2배 이상의 방열성능을 보여 반도체 칩 방열재료로의 활용 가능성을 높여 주었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권4호
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• pp.349-358
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• 2000

Fabrication and Characterization of Bi$_{2}$/Sr$_{2}$/CaCu$_{2}$/O$_{8}$(Bi2212) superconductor thick films were fabricated successfully on C tapes by liquid reaction between Cu-free precursors of Bi$_{x}$/SrCaO/$_{y}$(x=1.2-2) and Cu tapes. Cu-free Bi-Sr-Ca-O powder mixtures were screen-printed on Cu tapes and heat-treated at 850-87$0^{\circ}C$ for several minutes in air oxygen nitrogen and low oxygen pressure. In order to obtain the optimum heat-treatment condition we studied the effect of the precursor composition the printing thickness and the heat-treatment atmosphere on the superconducting properties of Bi2212 films and the reaction mechanism. Microstructures and phases of thick films were analyzed by films and the reaction mechanism. Microstructures and phases of thick films were analyzed by optical microscope and XRD. The electric properties of superonducting films were examined by the four probe method. At heat-treatment temperature the thick films were in a partially molten state by liquid reaction between CuO of the oxidized copper tape and the precursors which were printed on Cu tapes. During the heat-treatment procedure Bi2212 superconducting particle nucleate and grow in preferred orientations.ons.s.