• Title/Summary/Keyword: 광 방출

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Study on Carbon Nano Fiber Emitter for Field Emission Lamp (전계방출광원용 카본나노파이버 에미터 연구)

  • Kim, Kwang-Bok;Lee, Sun-Hee;Yu, Seung-Ho;Kim, Dae-Jun;Kim, Yong-Won
    • Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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    • 2008.05a
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    • pp.21-24
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    • 2008
  • Properties of carbon nano fiber (CNF) as field emitters were described. Carbon nano fiber (CNF) of herringbone was prepared by thermal chemical vapor deposition(CVD). Field emitters mixed with organic binders, conductive materials and were prepared by screen-printing process. In order to increase field emissions, the surface treatment of rubbing & peel-off was applied to the printed CNF emitters on cathode electrode. The measurements of field emission properties were carried out by using a diode structure inline vacuum chamber. CNF of herringbone type showed good emission properties that a turn on field was as low as 2.1 $V/{\mu}m$ and current density was as large as 0.15 $mA/cm^2$ of 4.2 $V/{\mu}m$ with electric field. Through the results. we propose that CNFs are suitable for application of electron emitters in Field Emission Devices.

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Reporting on the High Efficiency of Anode Phosphor Electrode for Filed Emission Lamp - Metal Layer (전계방출광원용 아노드 난반사 연구)

  • Yun, Han-Na;Kim, Yun-Il;Kim, Dae-Jun;Kim, Kwang-Bok
    • Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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    • 2008.05a
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    • pp.29-32
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    • 2008
  • The electron charging and degradation of anode phosphor layers are showed major problems in high electric field with anode electrode of field emission devices. An AI metal layer on the phosphor layer may get rid of these problems. This Hetero-metal-oxide phosphor layer are formed with the roughness of phosphor surface layer without interlayer and cannot be given rise to enhance the luminance efficiency. In order to enhance the brightness, an anode layer need to be flated between phosphor layer and AI metal layer in anode electrode. After optimizing the anode phosphor layer, an anode layer with AI metal and inter layer increased the brightness and luminescence efficiency 1.2 times more than only phosphor laver in anode.

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The dual emitter structure for field emission light source (전계방출광원용 듀얼 에미터 특성 연구)

  • Kim, Kwang-Bok;Lee, Sun-Hee;Park, Ho-Seop;Yang, Dong-Wook;Kim, Dae-Jun
    • Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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    • 2008.05a
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    • pp.151-154
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    • 2008
  • The field emission lamps have the advantages to their cold cathode-characteristic and the eco-friendly, We realized that the dual emitter system showed very simple structure which gate and cathode electrodes are formed on the same glass surface. In this paper, we reported the properties of dual emitters depended on variation of gate width and spacing for optimum panel structure. In combination of dual emitter structure and bi-polar driving, electron beam spreads more than normal gate structure or diode structure, and emission uniformity increased in dual emitter structure at 5"-diagonal.

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Analysis of Ammonia Gas Using Ion Chromatography (이온 크로마토그래피에 의한 기체상 암모니아의 분석법 확립)

  • Lee, Jong-Hae;Min, Byung-Hun;Jeon, Ryong;Kim, Jin-Seok;Kim, Yong-Du
    • Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.366-367
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    • 2003
  • 암모니아 가스는 무색의 기체이지만 자극성이 크면서 부식성이 있고 수용액이 알칼리성인 대표적인 악취물질이다. 보통의 경우는 굴뚝 등에서 배출가스의 형태로 대량 방출되기도 하지만 자연상태에서도 여러 가지 생물학적 또는 화학적 반응 등을 통하여 생성되므로, 일상적인 생활 공간에서도 쉽게 검출될 수 있는 물질이다. 대기 중 암모니아의 농도는 기체상 시료를 직접 분석하는 가스 크로마토그래피와 시료를 액체상으로 변환시킨 후 암모늄 양이온의 농도를 분광광도법이나 중화적정법으로 측정한다. (중략)

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Optically Pumped Stimulated Emission from Column-III Nitride Semiconductors. (III족 질화물반도체의 광여기 유도방출)

  • 김선태;문동찬
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 1994.11a
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    • pp.50-53
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    • 1994
  • In this study. we report the properties of optically pumped stimulated emission at room temperature (RT) from column-III nitride semiconductors of GaN, GaInN, AlGaN/GaN double hetero-structure (DH) and AlGaN/GaInN DH which grown by low pressure metal-organic vapor phase epitaxy on sapphire substrate using an AIN buffer-layer. The peak wavelength of the stimulated emission at RT from AlGaN/GaN DH is 370nm and the threshold of excitation pumping power density (P$\_$th/) is about 89㎾/$\textrm{cm}^2$, and they from AlGaN/GaInN DH are 403nm and 130㎾/$\textrm{cm}^2$, respectively. The P$\_$th/ of AlGaN/GaN and AlGaN/GaInN DHs are lower than the bulk materials due to optical confinement within the active layers of GaN and GaInN. The optical gain and the polarization of stimulated emission characteristics are presented in this article.

A study of conversion efficiency from ammonia gas to ammonium ion (기체상 암모니아의 액상 변환 효율에 관한 연구)

  • Lee, Jong-Hae;Jeon, Ryong;Min, Byung-Hun;Kim, Tae-Ho;Kim, Jin-Seok;Lee, Jin-Hong
    • Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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    • 2001.11a
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    • pp.311-312
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    • 2001
  • 암모니아는 무색의 기체이지만 자극성이 크면서 부식성이 있고 수용액이 알칼리성인 대표적인 악취물질이다. 보통의 경우는 굴뚝 등에서 배출가스의 형태로 대량 방출되기도 하지만 자연상태에서도 여러가지 생물학적 또는 화학적 반응 등을 통하여 생성되므로, 일상적인 생활 공간에서도 쉽게 검출될 수 있는 물질이다. 대기 중 암모니아의 농도는 기체상 시료를 직접 분석하는 가스 크로마토그래피와 시료를 액체상으로 변환시킨 후 암모늄 양이온의 농도를 분광광도법이나 중화적정법으로 측정한다. (중략)

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대기압 플라즈마 젯의 산소 첨가량에 따른 세포 예정사 효과

  • Jo, Hye-Min;Jeong, Tae-Hun;Bae, Se-Hwan;Im, Seon-Hui
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.452-452
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    • 2012
  • 저온 플라즈마를 발생시키는 대기압 마이크로-플라즈마 젯(Micro-plasma jet)을 이용하여 플라즈마와 세포와의 상호작용에 대한 연구를 진행하였다. 실험에 사용된 세포는 인체의 방광암 세포(Human bladder carcinoma cell, EJ)이며, 플라즈마 처리 후 bioassay를 통하여 세포 예정사 효과를 확인하였다. 수십 kHz (low frequency)의 펄스파 전압을 인가하여 발생시킨 플라즈마는 형성 기체로 헬륨을 사용하였고, 광 방출 분광법으로 산소의 첨가량에 따른 활성 종들의 변화를 비교해 보았다. 플라즈마 처리 후에는 DAPI staining을 통하여 세포 예정사에서 형성되는 apoptotic body를 확인하였고, 세포막 외부로 이동하는 Phosphatidic Serin (PS)과 결합하는 Annexin-V assay를 통하여 apoptosis rate를 측정하였다. 이를 바탕으로 암세포에 미치는 플라즈마 활성종의 영향을 분석하였다.

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SPEM & PEEM (Scanning Photoelectron Microscopy & PhotoEmission Electron Microscopy)

  • Sin, Hyeon-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.83-83
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    • 2012
  • 본 강연에서는 방사광 연X-선 분광현미경학(spectro-microscopy) 중에서, 표면에서 방출되는 광전자를 이용하는 SPEM (Scanning Photoelectron Microscopy)과 PEEM (Photoemission Electron Microscopy)을 소개하고자 한다. SPEM은 입사하는 X-선을 작은 크기로 집속하여 특정의 작은 공간에서 광전자분광학(XPS) 데이터를 얻거나 특정 광전자에너지의 공간분포를 얻게 해주며, PEEM은 입사한 X-선에 의해 발생한 광전자를 전자렌즈 원리로 영상을 맺히게 하여 광전자의 발생 분포를 구하게 한다. 이들은 균일하지 아니한 이종의 표면 연구에 매우 유용한 측정기법들이지만, 그 원리 및 구성은 많은 차이점들을 가지고 있다. 예를 들어, SPEM은 시료를 scanning하면서 XPS에 보다 충실한 타입이고 PEEM은 full field imaging 타입으로 표면변화의 동역학 연구에 강점이 있다. 본 강의에서는 이들 각각의 원리, 장점들에 대해서 설명하고, 활용 예를 제시하고자 한다. 활용 분야에 있어서, SPEM의 경우는 포항가속기연구소의 SPEM으로 수행되었던 DMS, graphene, nano-lithography, OLED, 등 반도체 및 나노 소재, 소자에의 활용에 대한 예를 제시할 것이다. PEEM의 경우는 포항가속기연구소의 응용 예와 박막 형태의 magnetic material에 대한 예들을 제시할 것이다.

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이종 금속 입자를 도핑한 이산화 티타늄박막의 굴절률 및 광학 특성 변화

  • Lee, Jae-Hyeok;Lee, Su-Min;Kim, Seon-Min;Seo, Mun-Seok;Sim, Gwon-U;Han, Jong-Hun;Kim, Tae-Geun;Jo, Jin-U
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.233-233
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    • 2011
  • 건물 내부의 에너지 효율을 높이기 위해 창호의 단열 효율을 높이는 연구가 최근 큰 주목을 받고 있다. 특히 고굴절률과 저굴절률의 소재를 이용한 다층 박막 구조를 형성하여 높은 광투과율을 유지하면서도 적외선 에너지를 선택적으로 차단하는 창호의 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 고굴절률 특성을 가진 TiO2박막을 이종 금속 이온을 sol-gel법을 이용해 첨가 복합화한 후 유리 기판에 스핀 코팅후 열처리하여 성막하였다. 생성된 막은 atomic force microscopy (AFM), 전계 방출 전자현미경, UV-vis를 이용해 각각의 금속 이온에 대한 박막 표면의 형상 변화와 광학적 특성 변화를 확인하였다.

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Analysis of a modulated pulse plasma system by a triple probe and ICCD-OES (삼중 프로브와 ICCD-OES를 이용한 modulated pulse plasma의 분석)

  • Choe, Ji-Seong;Yang, Won-Gyun;Ju, Jeong-Hun;Jang, Dong-Su;Lee, Jeong-Jung
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2012.11a
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    • pp.192-193
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    • 2012
  • 2차 플라즈마를 사용하지 않고도 스퍼터링된 입자의 높은 이온화율을 얻을 수 있는 고전력 마그네트론 스퍼터링 기술은 최대 $MW/cm^2$의 높은 투입 전력을 이용하지만 타겟 재료의 높은 열전도 요구때문에 실제로 사용할 수 있는 재료가 Cu를 비롯한 몇가지 금속에 제한된다. 수 백 $kW/cm^2$의 중간 전력 밀도를 가질 수 있도록 펄스를 다중 부분 세트로 제어하는 modulated pulse plasma 시스템을 구축하고 전자 온도, 밀도를 고속으로 계측할 수 있는 삼중 프로브와 고증폭 CCD를 이용하여 공정 진단을 한 결과 전자 온도는 최고 15.9 eV, 전자 밀도는 $4.25{\times}10^{12}{\sharp}/cm^3$였으며 weak ionization 조건과 strong ionization 조건에서 Ar I (811.5 nm)의 방출광 세기가 6배 증가하는 것으로 분석되었다.

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