• Title/Summary/Keyword: 광 다이오드

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Application of a Diode Laser Colormetric Spectrometer to Determination of Cetylpyridinium Chloride (다이오드 레이저 비색 분광기를 이용한 Cetylpyridinium Chloride거 농도분석)

  • Keun-Woo Park;Se-Yun Kim;Chul-Min Shin;Jeong-Woon Seo;Hye-Jin Hyun;Hae-Seon Nam;Sung-Ho Kim
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.4 no.3
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    • pp.257-259
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    • 2003
  • 본 논문은 다이오드 레이저와 광 다이오드를 사용한 이중 빗살형 다이오드 레이저 비색 분광기를 개발하여 항균 성분의 양이온 계면 활성제로 널리 사용되고 있는 cetylpyridinium chloride(CPC)의 농도를 측정하였다 분광기의 안정도는 광원의 세기, 감도, 재현성을 측정한 예비 실험을 통하여 검증이 되었다 또한 상용화된 UV/VIS분광기와의 비교 결과를 나타내었다. 다이오드 비색 분광기는 3×10/sup -5/M에서 1.1×10/sup -4/M의 CPC 농도 범위에서 0.9635의 상관계수를 나타내었다. 이러한 결과는 CPC의 농도 분석을 위한 간편한 다이오드 레이저 비색 분광기 개발의 가능성을 나타내었다.

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고굴절률 레진의 임프린팅 기술을 이용한 발광 다이오드의 광추출효율 향상 연구

  • Byeon, Gyeong-Jae;Jo, Jung-Yeon;Jo, Han-Byeol;Kim, Jin-Seung;Lee, -Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.63.2-63.2
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    • 2011
  • 본 연구에서는 질화물 계 발광 다이오드의 광추출효율을 향상시키키 위해서 발광 다이오드의 ITO 투명전극 층 상부에 임프린팅 공정을 이용하여 고굴절률 레진 패턴을 형성하였다. 고굴절률 레진은 단량체 기반의 열경화성 임프린트 레진에 ZnO 나노 파티클을 분산시켜 제작하였고 ZnO 나노 파티클의 함량비를 달리하여 레진의 굴절률을 조절하였다. 고굴절률 레진으로 이루어진 패터닝 층은 열경화 임프린팅 공정으로 제작되었고 300 nm 크기의 dot 또는 hole 격자 패턴 및 moth-eye 형상의 저반사 나노 패턴 등으로 형성되었다. 발광 다이오드에 형성된 패터닝 층의 굴절률, 구조에 따른 광추출효율 향상 정도를 분석하기 위하여 electroluminescence 측정을 하였으며 I-V characteristics를 통해서 임프린팅 공정에 의하여 발광 다이오드 소자의 전기적 특성이 저하되지 않았음을 확인하였다.

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A widely tunable sampled-grating distributed feedback laser diode integrated with sampled-grating distributed bragg reflector (추출격자 분포 브래그 반사기가 집적된 광대역 파장가변 추출격자 분포 궤환 레이저 다이오드)

  • 김수현;정영철
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.15 no.4
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    • pp.369-374
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    • 2004
  • In this paper, we propose a new tunable laser diode structure. The laser diode consists of a sampled-grating distributed feedback laser diode monolithically integrated with a sampled-grating distributed-Brags-Reflector. For a specific design, the possibility of continuous/discrete wavelength tuning over 27nm is confirmed by a numerical analysis using a split-step time domain model. Because the laser diode can be directly coupled with optical fiber without the intervention of the passive section, the laser diode exhibits higher output power than the conventional laser diode.

Compensation of Laser Diode Nonlinearity in the Optical SCM System for CDMA RF Signal Transmission (CDMA RF 신호 전송용 광 SCM 트래시버에서 레이저 다이오드의 비선형 왜곡 보상)

  • 최영우;유진태;이길성;박진우
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.25 no.12A
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    • pp.1766-1773
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    • 2000
  • 이동통신망에서 RF 신호를 송수신하는 기지국(base station)과 이동 통신 신호의 교환 전송을 담당하는 중앙국(central station)을 광섬유로 연결하여 구성하는 SCM (Subcarrier Multiplexing) 전송 시스템은 미래의 음성, 영상, 데이터 서비스 등의 이동통신 시스템에 적용할 수 있기 때문에 최근 관심사가 커지고 있다. 이동통신망을 위한 SCM 광전송 시스템의 유용성에도 불구하고, CDMA RF 신호를 전송하는 과정에서 많은 물리적인 제약이 있다. 특히, 많은 가입자의 CDMA RF 신호가 하나의 레이저 다이오드(LD: Laser Diode)를 구동시킬 때, RF 신호의 합이 레이저 다이오드의 선형영역을 벗어나면 클리핑(clipping)이나 비선형 왜곡이 발생하여 시스템의 성능을 저하시키게 된다. 본 논문에서는 CDMA RF 신호의 SCM 광전송 성능분석을 통해 레이저 다이오드에 의해 발생하는 비선형 왜곡의 영향을 분석하고, 분석 결과로부터 레이저 다이오드에 의한 비선형 효과를 최소화 할 수 있는 비선형 왜곡 보상구조를 제안하였다. 또한 제안된 레이저 다이오드 비선형 보상기의 성능을 시뮬레이션과 실험을 통해 얻어진 BER로부터 측정하였다.

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Light Amplification in Diode-pumped Cesium Vapor Cell (다이오드 펌프 세슘 원자 증기에서의 증폭)

  • Hwang, Jongmin;Jeong, Taek;Moon, Han Seb
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.29 no.6
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    • pp.247-252
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    • 2018
  • We report amplification of a small signal in a diode-pumped Cs vapor cell with 500 torr of ethane buffer gas, in the low-pump-power regime of 200 mW or less. For efficient amplifier operation, the pump and signal beams were coupled to a single-mode optical fiber, and completely overlapped in the Cs vapor cell. We investigated the amplification of the small signal according to cell temperature, signal power, and pump power. An amplification factor of 56 was achieved under the conditions of cell temperature of $115^{\circ}C$, signal power of 0.1 mW, and pump power of 200 mW.

Electrical Characteristics of 808 nm InAlAs Quantum Dot Laser Diode Structure (808 nm InAlAs 양자점 레이저 다이오드 구조의 전기적 특성)

  • Seo, Yu-Jeong;Kim, Tae-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2010.06a
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    • pp.338-338
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    • 2010
  • 지난 20여년 동안 반도체 레이저 다이오드는 주로 CD (DVD) 픽업용 (파장: 640 nm 이하) 및 통신용 (파장 1550 nm) 광원 분야에서 집중적으로 개발되어 왔다. 그러나 기술의 개발과 더불어 파장조절이 비교적 자유로워지고 광출력이 증대 되면서 기존의 레이저 고유의 영역까지 그 응용분야기 확대되고 있고, 이에 따라 고출력 반도체 레이저 다이오드의 시장 규모도 꾸준히 증가되고 있는 상황이다. 고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핑용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. MBE(Molecular Beam Epitaxy)로 성장된 InAlAs 에피층 (epi-layer)을 사용하여 고출력을 갚는 레이저 다이오드를 제작함에 있어서, 에피층은 결함 (defect)이 없는 우수한 단결정이 요구되지만, 실제 결정 성장 과정에서는 성장온도와 Al 조성비 등의 성장 조건의 변화에 따라 전기적 광학적 특성 및 신뢰성에 큰 영향을 받는 것으로 보고되고 있다. 이에 본 연구에서는 DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) 방법을 이용하여 InAlAs 양자점 에피층의 깊은 준위 거동을 조사하였다. DLTS 측정 결과, 0.3eV 부근의 point defect과 0.57 ~ 0.70 eV 영역의 trap이 조사되었으며, 이는 갈륨 (Ga) vacancy와 산소 원자의 복합체에 기인한 결함으로 분석된다.

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Development of low cost module for proliferation control of cancer cells using LED and its therapeutic effects (LED를 활용한 저가의 암세포 증식제어 모듈 개발 및 효과)

  • Cho, Kyoungrae;Choe, Se-woon
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.22 no.9
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    • pp.1237-1242
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    • 2018
  • Photodynamic therapy has been suggested as an alternative treatment to current cancer therapy which resulting in a variety of side effects because photodynamic therapy targets specific cancer cells and does not have a significant effect on normal cells. Typically, laser was used as a photodynamic therapy, but this was limited due to high cost and heat reaction. However, compact light emitting diodes that can emit light of various wavelengths have been developed at a low cost, which has a great influence on the low cost development of photodynamic therapy equipment. On the other hand, in the study of photodynamic therapy, the data on the direct effect of visible light are relatively small. Therefore, in this paper, we propose a novel cancer therapeutic module by developing a cancer cell proliferation inhibition module based on an Arduino that is relatively inexpensive, and able to use light of various wavelengths.

다이오드 레이저를 이용한 이방 전도성 필름(ACF) 접합

  • 류광현;서명희;남기중;곽노흥
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2005.09a
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    • pp.45-48
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    • 2005
  • 디스플레이 모듈에서 hot plate를 이용한 이방 전도성 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film) 접합의 공정을 고출력 다이오드 레이저를 이용한 공정으로 대체하였다. 다이오드 레이저를 이용한 ACF 접합은 공정 시간을 기존보다 줄일 수 있으며 평탄도 및 응용성에 있어서 hot plate 공정보다 뛰어나다. 또한 다양한 샘플에도 지그 및 레이저광의 자유로운 변형으로 응용성이 매우 뛰어나다. 에너지 분포가 고른 선광을 이용하여 ACF 접합을 수행하였다. 레이저 에너지 밀도 $100\;W/cm^2$, 압력 20 kg, 레이저 조사시간 4초 이상에서 800 gf/cm 이상의 인장력을 얻을 수 있었고 기존의 공정 시간을 두 배 이상 단축하였다.

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Impact of facet reflectivity on self-pulsations in multi-section DFB lasers (다중 전극 DFB 레이저에서 단면 반사율이 self-pulsation에 미치는 영향)

  • 김상택;지성근;김부균
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2002.07a
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    • pp.154-155
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    • 2002
  • 완전 광 3R(Retiming, Reshaping, Reamplification) 재생기는 WDM 시스템과 광 네트워크의 크기를 확장시키기 위하여 필요한 매우 중요한 소자이다. 완전 광 3R 재생기의 구현에서 입력 광 신호로부터 광 클락 추출은 가장 핵심적인 요소이다. 이러한 광 클락 추출을 위하여 모드락 레이저 다이오드와 다중 전극 DFB 레이저에서 self-pulsating 현상을 이용하는 방법이 많이 연구되고 있다. 독일의 HHI는 다중 전극 DFB 레이저에서 self-pulsating 현상을 이용하여 80 GHz 초고속 광 클락 추출과 25-82 GHz 전기적 튜닝 특성을 보였다. (중략)

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Characteristics of Injection-Locked High Power Diode Laser (고출력 다이오드 레이저의 주입-잠금 과정 연구)

  • 문한섭;김중복;이호성;양성훈;김점술
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.6 no.3
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    • pp.222-227
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    • 1995
  • A single mode, 100-mW diode laser was injection-locked by the master laser which was spectrally narrowed with Littman-type grating feedback. In the incomplete-injection-locking, we observed that two frequencies were simultaneously generated from the slave laser. The power ratio and frequency shift of two frequency components were proportional to the square of injected laser intensity. When the ratio of the injection intensity to the slave laser intensity was about $10^{-3}$, the injection-locking bandwidth was to be about 1.4 GHz. The bandwidth proportionally increased to the square root of the injection intensity, which was in good agreement with the theoretical predictions. The Iinewidth of the locked-laser was about 2.5 MHz, which was five times as narrow as that of free-running operation. ation.

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