• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.79-80
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• 2008

최근 질화물 계 발광다이오드의 광추출효율을 향상시키기 위하여 발광다이오드의 발광면을 texturing하는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 직접 패터닝 방식인 나노 임프린팅 공정을 이용하여 blue 발광다이오드의 indium tin oxide (ITO) 투명전극 층에 sub-micron 크기의 hole이 주기적으로 정렬된 구조의 폴리머 패턴을 형성하였으며 임프린팅 공정 후 건식 식각 공정을 통해서 ITO 층을 식각하였다. 그 결과 ITO 투명전극 층에 발광다이오드의 광추출효율을 향상시키기 위한 sub-micron 급의 주기적인 hole 패턴이 형성되었다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2003.10a
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• pp.288-288
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• 2003

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.21.2-21.2
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• 2009

발광다이오드는 에너지 변환 효율이 높고 친환경적인 장점으로 인하여 차세대 조명용 광원으로 각광받고 있다. 하지만 현재 발광다이오드는 낮은 광추출효율로 인하여 미래의 수요를 충족시킬 수 있을 만큼 충분한 성능의 효율을 나타내지 못하고 있다. 발광다이오드의 낮은 광추출효율은 반도체소재와 외부 공기와의 큰 굴절률 차이로 인하여 발생하는 전반사 현상에 기인한 것으로 이 문제를 해결하기 위하여 발광다이오드 소자의 발광면 및 기판을 텍스처링하는 방법이 중요하게 인식되고 있다. 하지만 현재까지 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석한 연구는 미진한 상황이다. 본 연구에서는 임프린팅 및 건식식각 공정을 이용하여 다양한 구조의 나노 및 micron 급 패턴을 발광다이오드의 p-GaN층에 형성하였다. 발광다이오드 기판 위에 하드마스크로 사용하기 위한 SiO2를 50nm 증착한 후 그 위에 UV 임프린팅 공정을 진행하여 폴리머 패턴을 형성시켰다. 임프린팅 공정으로 형성된 폴리머 패턴을 CF4CHF3 플라즈마를 이용하여 SiO2를 건식식각하였고, 이후에 SiCl4와 Ar 플라즈마를 이용한 ICP 식각 공정을 진행하여 p-GaN층을 100nm 식각하였다. 마지막으로 BOE를 이용한 습식식각 공정으로 p-GaN층에 남아있는 SiO2층을 제거하여 p-GaN층에 sub-micron에서 micron급의 홀 패턴을 형성하였다. Photoluminescence(PL) 측정을 통해서 발광다이오드 소자에 형성된 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석하였다.

• Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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• v.41 no.2
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• pp.152-156
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• 2014

The purpose of this study is to compare efficiency of broad spectrum LEDs ($VALO^{(R)}$, Ultradent, USA) with conventional LED curing lights ($Elipar^{TM}$ Freelight 2, 3M ESPE, USA) using a microhardness test. The light curing units used were $VALO^{(R)}$ in three different modes and $Elipar^{TM}$ Freelight 2. The exposure time was used according to the manufacturer's instructions. After cured resin specimens were stored in physiological saline at $37^{\circ}C$ for 24 hours, microhardness was measured using Vickers microhardness tester. The microhardness of upper and lower sides of the specimens were analyzed separately by the ANOVA method (Analysis of Variance) with a significance level set at 5%. At upper side of resin specimens, an increased microhardness was observed in the broad spectrum LED curing light unit with a high power mode for 4 seconds and plasma emulation mode for 20 seconds (p < 0.05). However, at the lower side of resin specimens, there were no significant differences in microhardness between broad spectrum LED curing light unit and conventional LED curing light unit.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.15 no.1
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• pp.96-102
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• 2004

In this paper, optical noise is reduced by a differential detector, which is composed of a beam splitter and two photodiodes whose spectral responses are different each other. In this configuration, the automatic gain control circuit is not required for noise cancellation because the noise intensities at the two photodiodes are kept equal by a beam splitter. The signal to noise ratio in a differential detector with a beam splitter was improved to be 14 ㏈ higher than in a single photodiode with optical filtering.

• 전기의세계
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• v.24 no.6
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• pp.39-44
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• 1975

발광반도체로 사용하는 재료는 주로 화합물반도체로 최근 주입형 발광 다이오드가 미소 전력으로 동작하고 수명이 길명 신뢰성이 높다는 장점때문에 실용화가 급진전되었다. 이중 GaAs를 사용한 적외발광 다이오드는 비교적 일찍 부터 개발되어 각종 발광소자와 조합하여 이용되었고 더욱 기술의 개발로 GaP, GaAl$_{1-x}$ Asx GaAsrxPx를 사용한 적외발광 다이오드를 중심으로 표시광원이나 수자, 문자 표시 소자로서 이미 양산화 단계를 이루어 다방면에 실용화가 이룩되고 있다. 또 최근 보다 많은 정보를 표시하기 위하여 적색 이외 가시다이오드의 개발이 요망되고 Gap, SiC, NaN등의 녹색발의 실현이 주목되고 있다. 이와같이 전기 에너지가 광에너지로 변환되는 것은 첫째 물질을 고온으로 가열할 때 그 물질에서 발생하는 열복사로서 전구 SiC에서 나오는 광이 이에 속하고 둘째로 아아크 방전, 그로우 방전을 이용한 영사기의 광원을 들 수 있고 셋째 루미네선스로 음극 루미네선스와 광루미네선스 및 EL 루미네선스 등이 있다. EL. 루미네선스도 전기에너지를 광에너지로 직접변환 하므로 변환효율이 높은 것이 특징으로 여기서는 EL 루미네선스에 관해 논하기로 한다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 2008.08a
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• pp.296-299
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• 2008

최근 통신시스템과 핸드폰, PDA등의 통신기기들의 발전에 따라 사용자들은 높은 데이터 전송률과 고속의 통신서비스를 요구하고 있다. 이러한 상황에서 유 무선 통합 시스템인 Radio-over-Fiber(RoF) 시스템은 그 대안으로 대두되고 있다. 본 논문에서는 광전자소자를 선 왜곡 방식에 적용하여 광 송신기의 선형성을 향상시키는 방법을 제안하였다. 선 왜곡 방식은 두 개의 루프로 구성되어 있으며, 광 부품인 레이저 다이오드와 포토 다이오드 그리고 RF 부품인 위상변위기, 감쇄기, RF 결합/분배기, RF 증폭기를 사용하였다. 메인 루프에서 주 레이저 다이오드의 비선형성에 의해 발생된 왜곡신호성분은 보조 루프에서 부 레이저 다이오드를 이용하여 추출된 선 왜곡신호에 의해서 제거된다. 제안된 선형화 기법을 적용하여 2.4 GHz에서 선형화 기법을 적용하기 전보다 3차 상호변조 왜곡성분이 약 30dB 향상된 결과를 얻었다.

• 전기의세계
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• v.33 no.2
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• pp.84-96
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• 1984

본고의 내용은 다음과 같다. 1. 반도체 레이저 2. 발광 다이오드 3. 광검출기 4. 광 파이버의 전송로 5. 광회로 6. 집적광 디바이스의 시작

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2008.05a
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• pp.31.1-31.1
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• 2008

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.92-93
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• 2003

초고속 광전송 네트워크에 사용되는 광부품으로 단일 모드 광섬유와의 낮은 광 결합 손실을 가지는 레이저 다이오드 개발이 필수적이다. 이러한 레이저 다이오드의 요구되는 특성으로써 저가의 광부품 제작을 위해 thermoelectric cooler 없이 고온에서 안정된 동작을 하는 uncooled type에, 광 isolator 도움없이 광반사에 의한 광손실을 줄여야 한다. 이러한 요건을 충족시키기 위하여 선택적 영역 MOCVD성장을 이용한 InP／InGaAsP 계열의 SSC-LD(spot-size converter integrated LD)를 연구하여 왔다. (중략)