Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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1992.10a
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pp.321-324
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1992
산업기술이 급속히 발전함에 따라 전자.통신기기, 광학기기 및 정밀 공작기기 부문에서 핵심부품의 치수, 형상 운동 정밀도가 높아지게 되었고, 이를 가공하기 위한 고정밀 가공기술이 요구되게 되었으며 특히, 고정밀 가공을 위해서 고정밀 주축이 필요하게 되었다. 따라서 본 연구에서는 연삭기와 같이 요구정도가 매우 높은 경우 동력전달요소로서 V벨트 및 평벨트가 회전정도에 미치는 영향을 실험적으로 검토하여 연삭기 주축 등에 응용되는 유정압 주축의 고정도화를 실현하기 위한 지침이 될 수 있는 정량적인 자료를 제시하는 것을 목적으로 하고 있다.
Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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2002.11a
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pp.68-69
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2002
대기 중에 존재하는 에어로졸 입자의 특성을 이해하기 위해서는 입자의 크기뿐만 아니라 질량 밀도에 대한 정보를 아는 것이 매우 유용하다. 본 연구에서는 광산란과 동시에 입자의 동력학적 속도를 측정함으로써 밀도에 대한 정보도 동시에 알 수 있는 측정방법에 대하여 연구하였다. 이를 위하여 크기가 0.5$\mu\textrm{m}$-3.15$\mu\textrm{m}$이고 굴절률이 1.59이며, 질량 밀도가 1.05g/mL인 구형의 PSL(polystyrene Latex) 표준입자를 사용하여 광산란 및 동력학적 속도를 측정하였다. (중략)
We determined the optical constants and thickness of organic electroluminescence thin films using variable angle spectroscopic ellipsometry. Using the measured transmittance spectra and the spectroscopic ellipsomeoy data of the organic films on glass substrates in the optically transparent region, we determined the effective thickness and the refractive indices of organic thin films. Then by applying a numerical inversion method to variable angle spectro-ellipsometry data, we determined the complex refractive index at each wavelength including the optically absorbing region, as well as the thickness and surface micro-roughness of the organic thin films. The calculated transmittance spectra showed a tight agreement with the measured ones, confining the validity of the present model analysis.
O, Jae-Won;Gwon, Se-Ra;Ryu, Mi-Lee;Jo, Byeong-Gu;Kim, Jin-Su
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.332-332
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2012
분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy)를 이용하여 GaAs 기판에 성장한 InAs 양자점(QDs: quantum dots)은 성장 온도, 압력, As/In의 공급비 등의 성장 조건에 따라 다른 변수(parameter)를 갖는다. 따라서 성장변수에 따라 양자점의 모양과 크기, 밀도가 달라져 균일한 양자점 형성에 어려움이 있어 많은 연구가 진행되고 있다. 예를 들면 In-interruption 법으로 성장한 양자점의 특성이 S-K mode (Stranski-Krastanov mode)로 성장한 양자점에 비해 광학적 특성이 향상되었다. 본 연구에서는 In pre-deposition (IPD) 법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성을 PL(photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs QDs 시료들은 In과 As 공급시간을 각각 1초와 19초 (QD1), 2초와 18초 (QD2), 3초와 17초 (QD3)로 조절하여 성장하였으며, In이 공급되는 시간 동안 As shutter를 차단하여 As 공급을 중단하였다. In과 As의 차단 없이 S-K mode로 성장한 시료를 기준시료로 사용하였다 (QD0). AFM (atomic force microscope) 측정결과, In 공급시간이 1초에서 2초로 증가할 때, 양자점의 밀도와 종횡비(aspect ratio)가 증가하였고, 양자점의 균일도가 증가하였다. 그러나 QD3 시료는 QD1 시료에 비해 밀도와 종횡비, 균일도가 감소하였다. 10 K에서 PL 피크는 In 공급 시간이 증가할 때, 970 nm에서 1020 nm로 적색편이 하였고 반치폭 (FWHM: full width at half maximum)은 75 meV에서 85 meV로 증가하였다. QD2 시료의 PL 피크 에너지가 가장 낮았고, 가장 강한 PL 세기를 보였다. IPD 시간이 증가함에 따라 PL 피크에서 측정한 PL 소멸은 점차 빨라졌다. IPD 기법으로 성장한 양자점의 빠른 PL 소멸은 양자점 밀도와 종횡비 향상에 의한 파동함수 중첩의 증가와 구속 에너지 증가에 의한 것으로 설명된다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.277.2-277.2
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2016
현재 화합물 반도체 나노구조는 광학적, 전기적 특성을 기반으로 하는 단전자 트랜지스터, 적외선 검출기, 레이저, 태양전지와 같은 분야에 응용하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 양자점은 3차원으로 구속되어 있는 상태 밀도를 갖고 있어 레이저 응용 시 낮은 문턱 전류 밀도, 높은 이득, 높은 열적 안정성을 기대되고 있지만 양자점의 운반자 수집과 열적 안정성의 한계가 여전히 존재한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 다양한 방법이 연구되고 있으며, 그 중 단층 양자점에 비해 운반자 수집과 열적 안정성이 뛰어난 다층 양자점이 결합된 구조에 대한 연구가 활발히 이루어지고, 다층으로 성장된 양자점 구조는 양자점의 크기 분포 조절이 용이하고 양자점 층간의 전기적 결합력이 강한 특성이 있다. 본 연구에서는 분자 선속 에피 성장법(Molecular Beam Epitaxy; MBE)과 원자 층 교대 성장법(Atomic Layer Epitaxy; ALE)으로 CdTe/ZnTe 다층 양자점을 ZnTe 장벽층의 두께를 변화하면서 성장 후 광학적 특성을 연구하였다. 저온 광루미네센스 측정(Photoluminescence; PL)을 통하여 ZnTe 장벽층 두께가 증가할수록 양자점의 PL 피크가 높은 에너지로 이동함을 알 수 있었는데, 이는 ZnTe 장벽층의 두께가 증가할수록 양자점 층간의 결합력이 감소하면서 양자점의 크기가 작아졌기 때문이다. 그리고 ZnTe 장벽층의 두께가 증가할수록 PL 세기가 커지는 것을 알 수 있었는데, 이는 ZnTe 장벽층의 두께가 증가할수록 더 많은 운반자가 양자점으로 구속되기 때문이다. 또한 온도 의존 광루미네센스 측정 결과 ZnTe 장벽층의 두께가 증가할수록 열적 활성화 에너지가 커지는 것을 관찰하였고, 시분해 광루미네센스 측정을 통해 ZnTe 장벽층의 두께에 따른 운반자 동역학에 대해 연구하였다. 이와 같은 결과 CdTe/ZnTe 다층 양자점 구조에서 장벽층의 두께에 따른 광학적 특성에 대해 이해 할 수 있었다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.297-297
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2012
양자점은 공간적으로 세 방향 모두 전하의 운동을 제한하는 0차원 구조로 불연속적인 상태 밀도를 가진다. 이런 양자점의 특성은 광통신용 소자, 레이저 다이오드 등과 같은 광학 및 전자 장치에 응용될 수 있기 때문에 많은 주목을 받아 활발히 연구되어 왔다. 본 연구에서는 MBE 장비를 이용하여 GaAs 기판위에 InAs 양자점을 성장시키는 동안 As의 공급을 임의로 차단시켜 양자점 형성 조건을 변화시킨 시료들의 광학적 특성을 Photoluminescence (PL) 와 Time-resolved PL (TRPL) 실험을 이용하여 분석하였다. GaAs (001) 기판 위에 GaAs buffer layer를 $610^{\circ}C$에서 성장한 후, $470^{\circ}C$에서 As 공급 조건 변화에 따른 InAs 양자점을 성장하였다. 양자점을 성장한 후 GaAs cap layer를 $610^{\circ}C$에서 성장하였다. InAs 양자점 시료들은 In을 20초 공급하는 동안 As의 공급과 차단을 각각 1초, 2초, 3초의 일정한 간격으로 반복하였다. 10 K에서 각각의 시료들의 PL을 측정한 결과 As 공급과 차단을 2초씩 반복한 T2시료에서 PL 세기가 가장 좋게 나타났으며, 3초씩 반복한 T3시료에서 가장 나쁘게 나타났다. PL 피크는 공급과 차단을 1초씩 반복한 T1 시료가 1.23 eV, T2 시료가 1.24 eV, T3 시료가 1.26 eV에 나타났으며, As의 차단시간이 증가함에 따라 PL 피크가 높은 에너지로 이동함을 보였다. 발광파장에 따른 PL 소멸은 파장이 증가함에 따라 점차 느려지다가 PL 피크 근처에서 가장 느린 소멸곡선을 보이고, 파장이 더 증가하였을 때 점차 빠르게 소멸하였다. As 공급 조건의 변화에 따라 InAs 양자점의 크기와 밀도, 모양 등이 변하는 것을 Atomic Force Microscope (AFM) image를 통하여 확인하였으며, PL과 TRPL을 이용하여 InAs 양자점의 광학적 특성을 분석하였다.
Recently, as Synthetic Aperture Radar (SAR), communication, and signal surveillance missions of spacecraft have become more advanced, research has been actively conducted on the deployable large mesh antenna system with excellent storage efficiency compared to the deployment area, and light weight. Deployable Mesh antennae are characterized by an increase in the number of Openings Per Inch (OPI), which is a measure of mesh weaving density as the mission frequency band increases, and this OPI change directly affects the thermal optical properties of the mesh antenna, so research on this is required. In this paper, to verify the thermal relationship between the optical properties of the mesh and antenna reflector, thermal sensitivity analysis between the mesh and the antenna reflector is performed by in-orbit thermal analysis with various optical characteristics of the mesh based on existing overseas research cases. In addition, the temperature gradient effect of the mesh reflector is analyzed.
소자의 추세로는 고정밀도화 및 소형(소경)화 및 복합화가 키워드라고 할 수 있으며, 중요한 것은 이들 키워드를 달성하기 위하여 독자적인 설계 기술과 독자적인 제조 기술이 요구된다 할 수 있다. 기존의 가공법이라도 양성해 온 노하우나 기술을 바탕으로 고정밀화와 소형화 및 환경 대응을 위한 대처 방안이 중요하며, 또한 그 이전에 요구되는 소자의 고기능화 및 복합화에 대하여 종래의 생각에 구애받지 않는 새로운 소자 설계 기술이나 그를 유지할 가공법에 대한 개발이 중요하다. 본 고에서는 제품이나 용도의 관점에서 최근의 유리 렌즈가 요구되는 양상을 소개하고, 앞으로의 유리 렌즈 제조 추세를 제안하기로 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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