• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.8 no.3
• /
• pp.352-356
• /
• 1995

Native oxide layer on MCT (HgCdTe) has been grown uniformly in H$\_$2/O$\_$2/ electrolyte through anodic oxidation method. It has been determined that anodic oxidation of HgCdTe in H$\_$2/O$\_$2/ electrolyte proceeds immediately with the input of constant currents without any induction time required for anodic oxideation in KOH electrolyte. Oxide layer with the resistivity of 2*10$\^$10/.ohm.cm and the refractive index of 2.1 suggested the possibility of well matching combination layer with ZnS for MCT MIS device. XPS results indicated that the major components of oxide layer grown in H202 solution is TeO$\_$2/ with the possibility of small amounts of CdTeO$\_$3/.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
• /
• v.8 no.2
• /
• pp.129-134
• /
• 2003

A wide variety of unsaturated vinyl derivatives can be induced to undergo free-radical chain polymerization. The capability to carry out a thermodynamically feasible polymerization relies on its kinetic feasibility on whether the proceeds at a reasonable rate under a given set of reaction conditions. Initiator or promoter is often required to achieve the kinetic feasibility. Only a few unsaturated monomers including methyl methacrylate(MMA) are known to absorb light between 250 and 500 nm which is the most convenient wavelength range. Also, the polysilanes with unusual optical and electronic properties have been used as ceramic precursors, deep UV photoresists, photoconductors. The hydrosilation has been used to make many interesting types of silicon containing polymers such as copolymer, dendrimers. Bulk polymerization of monomers with different molar radio of hydrosilanes(9:1 through 1:9) were performed. A quartz test tube charged with monomer and hydrosilane was degassed and irradiated with 250 nm UV for 6 hours. The polymer was taken in toluene, precipitated in hexane, filtered off, and dried. It was found that the initiators appeared to competitively and concurrently function as both chain initiation and transfer agents in the polymerization of vinyl monomers.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.1 no.4
• /
• pp.184-190
• /
• 1991

Oxygen chemisorption on single crystal ZrC(111) surface was studied by high-resolution electron energy loss and ultraviolet photoelectron spectroscopy. At a low amount of oxygen exposure, adsorbed oxygen atoms construct $(\sqrt{3}{\times}\sqrt{3})R30^{\circ}$ structure. On the other hand, oxygen adsorption changes into $1{\times}1$ structure as the amount of oxygen exposure increases. The adsorbed oxygen atoms show smaller vertical distance from the Zr topmost layer in the $1{\times}1$ structure than in the $(\sqrt{3}{\times}\sqrt{3})R30^{\circ}$ structure and approach to the bridge site rather than 3-fold hollow site. The two different oxygen adsorption behavior comes from the two different surface stales of the clean ZrC(111) surface.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.168-168
• /
• 2012

Al doped ZnO (AZO)는 태양전지, 평판 디스플레이, OELD 등 광전자 소자에 적용되는 투명전도막용 재료인 ITO의 대체 재료로서 최근에 가장 각광받고 있는 물질이다. 하지만, $2.5{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$의 낮은 비저항과 90% 이상의 투과도를 갖는 ITO의 비해 AZO의 특성은 아직 부족한 상황이다. 수십 년간 많은 연구자들에 의해 다양한 제조 방법과 공정 조건들로 전기적, 광학적 특성을 향상시키기 위한 노력들이 진행되어 왔다. 하지만 실리콘 반도체와는 달리 II-VI족 물질의 정확한 근본적인 원리는 아직 불분명한 상태이다. 지금까지 AZO의 특성 향상의 원인을 결정립 크기, 주상구조의 우선 방위, 결정성, Zn-O 구조내의 산소 결핍 등의 메커니즘으로 설명해 왔다. 하지만, 본 연구에서는 지금까지 제안된 상기 요인의 변화 없이 전기적, 광학적 특성을 향상시키는 것이 짧은 열처리만으로도 가능했다. AZO 박막의 전기적, 광학적 특성에 큰 영향을 미치는 보다 근본적인 원인은 도핑 효율이다. ZnO 내에 도핑된 Al의 양보다 실제로로 활성화된 Al의 비율을 올리는 것이 중요하다. 본 연구에서 구조적, 조성적 변화 없이 도핑효율을 8.9%에서 66.7%까지 증가시켰으며, 이동도는 박막 표면의 및 결정립계 사이의 과잉산소를 줄임으로서 optical phonon scattering 감소를 통하여 증가시킬 수 있고, 이러한 과잉산소의 감소는 deep level emission을 감소시킴으로서 투과도 증가에도 영향을 준다. 본 연구에서 짧은 열처리를 통해 구조적 변화 없이 도핑효율의 증가만으로 $4.8{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$의 비저항과 90%의 투과도를 갖는 AZO 박막을 제조하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2010.05a
• /
• pp.30.1-30.1
• /
• 2010

Hydrogen silsesquioxane (HSQ)는 spin-on glass (SOG)의 일종으로 spin-coating이 가능하며 $400^{\circ}C$ 이상의 고온에서의 어닐링을 통해 silica로 변환되는 물질이다. 이 물질은 가시광선 영역에서 95% 이상의 높은 투과도를 나타내며 산화물로의 변환 공정이 간단하며 표면 개질이 용이하기 때문에 나노 바이오, 반도체, 광전자 소자 등의 다양한 분야로의 적용이 기대되는 물질이다. 최근 나노 기술의 발전에 따라 다양한 나노 구조물을 이용하여 소자들의 효율을 향상시키는 연구가 활발하게 진행되고 있다. 따라서 HSQ를 이용하는 소자의 효율을 높이기 위해서는 쉽고 간단하면서 생산성이 높은 HSQ 나노 구조물 제작 기술에 대한 연구가 필요하다. 현재 개발된 대면적 HSQ 나노 구조물 제작 기술로는 e-beam lithography, x-ray lithography, room temperature nanoimprint lithography 등이 있다. 하지만 이와 같은 나노 패터닝 기술들은 생산성이 낮거나 공정이 복잡한 단점이 있다. 본 연구에서는 poly(dimethylsiloxane) (PDMS) mold를 이용한 직접 printing 기술을 통해 HSQ 나노 구조물을 제작하는 기술을 개발하였다. 이 기술은 대면적에 간단한 기술로 HSQ 나노 패턴을 제작할 수 있으며 master mold의 패턴이 그대로 HSQ layer로 전사되기 때문에 제작이 까다로운 아날로그 패턴도 손쉽게 제작할 수 있는 장점을 가지고 있다. 따라서 이와 같은 HSQ 직접 printing 기술을 이용하여 HSQ 아날로그 나노 패턴을 제작하고 이의 응용기술에 대한 연구를 진행하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.02a
• /
• pp.101-101
• /
• 2011

투명전도성산화물(transparent conducting oxides, TCOs) 박막으로써 널리 쓰이는 산화인듐주석(indium tin oxide, ITO)은 전기 전도성과 광 투과성이 우수하여 주로 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)의 전극, 발광다이오드(light-emitting diode, LED)의 current spreading 층 및 태양전지(solar cell)의 윈도우층(window layer) 등의 광전자 소자로 응용되고 있으나, 고가의 indium 가격과 인체에 유해한 독성 등이 문제점으로 지적되고 있다. 따라서 indium의 함량을 저감한 새로운 조성의 TCO 또는 indium을 함유하지 않은 친환경적인 TCO 대체 재료 개발의 필요성이 증대되고 있다. 이러한 재료 중 하나인 AZO (Al-doped zinc oxide, $Al_2O_3$: 2 wt.%)는 3.82eV의 넓은 에너지 밴드갭을 가지며, 가시광선 및 근 적외선 파장 영역에 대하여 90% 이상의 높은 투과율을 나타낸다. 또한, 습식식각이 가능하며, 매우 풍부하여 원가가 매우 저렴하고, 독성이 없다. 본 연구에서는 박막 증착율이 높고, 제작과정의 조정이 용이한 RF magnetron 스퍼터를 이용하여 glass 기판 위에 AZO 박막을 성장하고, $N_2$ 분위기에서 다양한 온도 조건에서 열처리(rapid thermal annealing, RTA)하여 전기 및 광학적 특성에 대하여 비교 분석하였다. 또한, 이후에 기존의 성장방법과 달리 고가의 진공 장비를 사용하지 않고, 저온에서도 간단한 구조의 장비를 이용하여 균일한 나노구조를 성장시킬 수 있는 전기화학증착법(electrochemical deposition)으로 AZO 박막위에 ZnO 나노로드를 다양한 성장조건에 따라 성장시켜 광학적 특성을 비교 분석하였다.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.13 no.3
• /
• pp.188-192
• /
• 2000

In this study PZT etching was performed using planar inductively coupled Ar/Cl$_2$/BCI$_3$ plasma. The etch rate of PZT film was 2450 $\AA$/min at Ar(20)/BCl$_3$(80) gas mixing ratio and substrate temperature of 8$0^{\circ}C$. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) analysis for films composition of etched PZT surface was utilized. The chemical bond of PbO is broken by ion bombardment and Cl radical, and the peak of metal Pb in a Pb 4f narrow scan begins to appear upon etching. As increasing additive BCl$_3$content the relative content of oxygen decreases rapidly in contrast with etch rate of PZT thin film. So we though that the etch rate of PZT thin film increased because abundant B and BCl radicals made volatile oxy-compound such as B$_{x}$/O$_{y}$ and/or BClO$_{x}$ bond. We achieved etch profile of about 80$^{\circ}$ at Ar(20)/BCl$_3$(80) gas mixing condition and substrate temperature of 8$0^{\circ}C$TEX>X>.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.6 no.4
• /
• pp.379-387
• /
• 1996

본 연구에서는 GaAs 소자제작 및 epi-layer 성장 공정에 있어 이용되어지는 HCI, H3PO4, 탈이온수(de-ionized water:DIW)를 통한 습식제정후 공기중 노출에 따른 오염을 최소화하여 표면상태 변화를 진성적(intrinsic)으로 관찰하고자 모든 세정처리를 아르곤 가스(argon gas)로 분위기가 유지되는 glove box에서 수행하였으며, 표면조성 및 결합상태 변화에 대한 관찰은 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 이루어졌다. 고진공하에서 GaAs를 벽개하여 관찰함으로써 Ga이 대기중 산소이온과 우선적으로 결합함을 알 수 있었고, 이런 GaAs 표면의 반응성에 대한 고찰을 바탕으로 습식세정에 따른 화학반응 기구가 제시 되어졌다. HCI 및 H3PO4/DIW/HCI처리후 CI-이온의 Ga 이온과의 반응에 의한 Ga-CI결합의 형성과 As 산화물의 높은 용해도에 따른 As 산화물의 완전한 제거 및 식각전 초기(bare)GaAsvyaus에 존재하는 원소(elemental)As 상태의 식각후 잔류가 관찰되어졌다. 또 HCI, H3PO4/DIW/HCI 처리하고 DIW로 세척후 표면상태 변화를 관찰한 결과, DIW처리에 의해 elemental As 상태가 증가함을 알 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
• /
• v.4 no.5
• /
• pp.516-523
• /
• 1994

The interfacial coherency of metal organic chemical vapor deposition grown InGaAsP/InP heterostructure wafers was examined and their influences on the optoelectronic properties were investigated in this study. (400) symmetric and (511) asymmetric reflections were employed to measure the lattice coherency. Existence of misfit dislocations was examined by x-ray topography and reverified by photoluminescence (PL) imaging. PI, measurements were performed, and higher PL intensity was obtained for elastically strained samples and lower intensity for plastically deformed samples. The highest PL intensity was obtained for the sample lattice matched at the growth temperature. PL full-width at half maximum (FWHM) was found to depend on the degree of lattice mismatch. A correlatior between x-ray FWHM and PL intensity was empirically established. The results presented demonstrate that the interfacial coherency is of primary significance in affecting the optoelectronic properties through elastic strain and plastic deformation.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2009.11a
• /
• pp.49.2-49.2
• /
• 2009

투명전극은 디스플레이, 태양전지와 같은 광전자 소자에 필수적이며, 지금까지 개발된 재료 중에는 ITO가 가장 투명하면서 전기전도도가 높고 생산성도 좋기 때문에 투명전극의 재료로 사용하고 있다. ITO는 낮은 비저항(${\sim}10^{-4}{\Omega}cm$) 과 높은 투과율 (~85 %), 상대적으로 넓은 밴드갭 에너지 (3.5 eV) 의특성과 같이 뛰어난 전기적 광학적 특성에 반해서 높은 원자재 가격, 불안정한 공급량 등으로 인한 문제점이꾸준히 제기되고 있다. 따라서 $In_2O_3$:Sn, ZnO:Al, ZnO:Ga, ZnO:F, ZnO:B, TiN 등과 같은 물질들로대체하려는 연구가 활발하게 진행되고 있다. ZnO는 ITO보다원자재의 수급이 원활하기 때문에 원가가 낮으며, 상대적으로 낮은 온도에서도 제작이 가능하다. 또한 화학적으로 안정적이므로 ZnO에 Al, Ga 등의 3족 원소를 도핑함으로써 낮은 비저항의 박막 제작이 가능하고, ITO 박막과 비교하여 etching이 쉬우며 기판과의 접착성이 좋으며, sputtering 공정시 plasma 분위기에서의 안정성이 뛰어나고 박막증착율이 높기 때문에 투명전극으로 적합한 재료이다. 본 연구에서는 cylindrical type의 Aldoping된 ZnO single target을 사용하여 박막 증착 압력의 변화를 주어 유리기판 위에 DC sputtering을 하였다. Fieldemission scanning electron microscope (FESEM)을 통해 ZnO:Al 박막의 표면의 형상과 두께를 확인하였으며, X-ray diffraction (XRD) 분석을 통해 박막의 결정학적 특성을 관찰하였다. 투명전극용 물질로서 ZnO:Al 박막의 적합성 여부를 확인하기 위하여 Van der Pauw 방법을 이용하여 박막의 비저항, 전자 이동도, 캐리어 농도를 측정하였으며, 박막의 기계적 성질 및 표면 접착성을 확인하기 위하여 nano-indentaion 분석을 하였다. 또한 UV-vis spectrophotometer를 이용하여 ZnO:Al 박막의 투과율을 분석하여 투명전극으로의 응용 가능성을 확인하였다.