• Title/Summary/Keyword: 광전자

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고속 및 광전자응용을 위한 반도체 첨단연구의 동향과 미래의 전망

  • Lee, Il-Hang
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.3 no.4
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    • pp.25-44
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    • 1988
  • 고속 및 광전자응용에 기반이 될 반도체들과 그 architecture 에 대한 연구 경향과 미래적 전망에 대하여 개괄적으로 살펴보았다. 주요점은 무기물 반도체에 두었고, 유기물 반도체 및 기타 반도체들은 필요한대로 언급할 뿐 넓게 다루지는 않았다. 우선 현대가 처한 정보처리의 전환기적 특성을 살핀뒤, 미래에 다가올 고속 및 광전자 정보처리의 필요성을 논하였다. 다음 전자와 광자의 특성을 비교해 보고, 이들의 매개체가 되는 반도체 재료와 소자들, 이들의 2차원적 집적과 3차원적 집적에 따른 제반문제, 해결점, 전망 등을 살펴 보았다. 결론적으로 점진적연구보다는 선진적연구의 필요성을 이야기하였다.

MBE로 성장한 CdTe 박막의 photoconductivity

  • 임재현;허유범;류영선;전희창;현재관;강철기;강태원
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1998.02a
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    • pp.113-113
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    • 1998
  • C CdTe와 HgCdTe는 광전소자나 태양전지,x 선 및 y 선 감지 소자 그리고 적외선 감지소 자로의 웅용둥으로 인하여 많은 연구가 진행되고 있다. 광전소자를 제작함에 있어서 깊은 준위나 얄은 준위에 있는 몇들은 운반자 수명에 매우 큰 영향을 미치고 있음에도 불구하고 광전도도 측정에 의한 운반자 수명 연구에 대하여는 보고된 것이 별로 없다. 이에 본 논문에서는 CdTe 시료의 광전도도를 측정하여 운반자 수명 및 깊은 준위의 위치를 알아보았다 M MBE방법을 이용하여 CdTe 기판위에 In을 도핑한 CdTe를 성장하였다. 광전도 붕괴(PCD) 측정은 300 K에서부터 400 K까지 온도를 변화시켜주면서 측정을 하였고 광원으로서 G GaP- LED를 사용하였으며 전압 신호를 읽기 위하여 Tektronix 2430A 오실로스코프를 이용하 였다 .. Fig. 1. 에서 보인바와 같이 광전도 붕괴곡선은 접선으로 나타낸 하나의 지수 함수적 붕 괴(a2exp( -t/ r 2))보다는 설선으로 나타낸 두 개의 지수함수적 붕괴(alexp( νr 1)+a2exp( -νr 2)) 가 더욱 잘 실험결과와 일치함을 알 수 있었다. 이러한 것은 과잉 전하에 대한 깊은준위를 가 지고 있는 반도체물질에서 일반적으로 관찰되는 것으로 시료가 n 형이기 때문에 소수 운반자 인 정공의 벚에 의한 것으로 생각된다 .. Fig. 2. 에서는 운반자 수명의 온도에 대한 변화를 나타 낸 것이다. 온도가 증가함에 따라 운반자 수명이 감소하는 경항올 보이고 있으며 이것올 이용 하여 딪익 활성화 에너지를 계산 하여 본 결과 0.35 eV 와 0.43 eV염을 알수 있었다.

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Characteristic Test of Static Var Compensator for PV Ultimate Consumer (태양광전원 수용가용 SVC 특성시험에 관한 연구)

  • Kim, Chan-Hyeok;Wang, Yong-Peel;Han, Hyeong-Ju;Kim, Woo-Ho;Rho, Dea-Seok
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2015.07a
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    • pp.1092-1093
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    • 2015
  • 태양광전원이 수용가 연계하여 발전하는 경우 전원측에서 계측된 역률이 저하되는 현상이 발생 할 수 있다. 특히 전력산업구조 개편에 따라 전력공급자와 소비자 모두 전력품질과 계통의 안정성에 관심이 증대되어 계통의 역률은 중요한 부분이 되고 있다. 또한, 태양광전원 운용자들은 한전에서 제시하는 연계지점 역률 0.9이상을 만족시키도록 운용해야 하며, 연계지점의 역률의 변화에 따라 운용자의 이익에 영향을 미치므로 역률유지하기 위해 노력이 필요하다. 따라서 본 논문에서는 태양광전원이 연계되는 경우 역률이 저하되는 현상을 PSCAD/EMTDC로 이용하여 문제점을 분석하고, 태양광전원 수용가용 SVC를 개발하였다. 태양광전원용 실증시험 장치에 모의계통을 구성하여 개발한 SVC의 유효성을 입증하기 위해 특성시험을 수행하였다.

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Spin-Polarized Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Study of Magnetism (스핀편극 각도분해 광전자 분광학을 이용한 자성연구)

  • Kim, Hyeong-Do
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.22 no.6
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    • pp.228-233
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    • 2012
  • Magnetic properties of a solid are determined by the quantum mechanical states of valence electrons. Spin-polarized angle-resolved photoemission spectroscopy (SP-ARPES) is a powerful tool to probe the electronic states in a solid and provides valuable information on magnetic properties of a solid. In this article, brief introduction to SP-ARPES and its applications are provided.

정보통신용 광전부품의 기술동향

  • 김득영;신동호
    • The Magazine of the IEIE
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    • v.21 no.8
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    • pp.56-68
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    • 1994
  • 본 논문에서는 차세대 유망산업으로 떠오르고 있는 광전산업 중 정보통신용 광전부품의 소개 및 시장전망, 그리고 주요 부품들의 기술개발 동향에 관하여 개괄 하였다. 광전산업이라는 용어가 다소 생소하기는 하지만 해외 기술선진국에서는 이미 이 분야에 막대한 기술력을 투입 상당한 수준의 기술을 확보하여 후발국을 상대로한 기술위협을 가하고 있다. 우리나라에서도 수년 전 부터 정보통신, 정보처리산업이 크게 일어나기 시작하면서 이 분야 핵심요소기술이라 할 수 있는 광전자 기술의 중요성이 부각, 부분적으로는 상당한 기술이 확보되어 있으나 아직도 해결해야 할 요소 기술들이 산적해 있다. 광전부품의 종류와 그 응용범위는 매우 다양하지만 본고에서는 정보통신용 광전부품에 국한하여 주요 부품들을 소개하고자 한다.

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연구실 탐방 - 한국과학기술원 광전자연구센터

  • Korean Federation of Science and Technology Societies
    • The Science & Technology
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    • v.32 no.9 s.364
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    • pp.28-29
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    • 1999
  • 지난 94년 한국과학재단의 지원으로 대전 한국과학기술원에 설립된 광전자연구센터는 광전자기술의 기반기술과 광정보통신망의 부품ㆍ회로기술을 집중적으로 연구 개발하고 있다. 이 연구센터는 한국과학기술원을 비롯한 9개 대학의 교수 18명과 석ㆍ박사과정 학생 70여명이 활동하고 있으며 매년 광전자분야의 석ㆍ박사를 20명씩 배출하고 있다. 또 미국과 러시아 등의 권위있는 연구소와 기술협력 협정을 맺고 연구원들의 교류 방문과 공동 워크숍 등을 추진하고 있다.

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Optoelectronic Properties of Semiconductor-Atomic Superlattice Diode for SOI Applications (SOI 응용을 위한 반도체-원자 초격자 다이오드의 광전자 특성)

  • 서용진
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.10 no.3
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    • pp.83-88
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    • 2003
  • The optoelectronic characteristics of semiconducto-atomic superlattice as a function of deposition temperature and annealing conditions have been studied. The nanocrystalline silicon/adsorbed oxygen superlattice formed by molecular beam epitaxy(MBE) system. As an experimental result, the superlattice with multilayer Si-O structure showed a stable photoluminescence(PL) and good insulating behavior with high breakdown voltage. This is very useful promise for Si-based optoelectronics and quantum devices as well as for the replacement of silicon-on-insulator (SOI) in ultra-high speed and lower power CMOS devices in the future, and it can be directly integrated with silicon ULSI processing.

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