• The Optical Journal
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• s.136
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• pp.53-55
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• 2011

국내 최대 규모의 전자제조장비 종합 전시회 (Electronics Manufacturing Korea)가 2012년 4월 11일부터 13일까지 코엑스 전시장에서 개최된다. 이 전시회는 국내 주요 전자산업 핵심 분야별 비즈니스 활성화를 위해 광전자 전시회인 'Photonics Seoul'과 함께 'SMT/PCB & NEPCON KOREA', 'Printed Electronic & Electronics Materials Show', 'LED Packaging EXPO', 'Film Technology Show' 등 5개 전시회가 동시 개최되어 전시기간 동안 한자리에서 국내 최대 전자제조 장비의 최신 기술 및 제품 동향은 물론， 다양한 국내외 바이어를 만날 수 있는 기회가 될 것으로 기대된다.

• Defense and Technology
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• no.5 s.255
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• pp.12-17
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• 2000

올해 2월 삼성전자와 프랑스 톰슨CSf가 1:1 합작을 통해 새롭게 출범한 삼성톰슨은CSf는 삼성전자의 방산 사업 부문을 그 전신으로 하고 있다. 삼성의 방산 사업은 20여 년 동안 사업보국의 경영이념을 바탕으로 최첨단 방산제품의 연구 개발, 생산 공급을 통해 자주국방력 증강을 통한 국방 역량 향상에 크게 기여해 왔으며, 광전자, 사격통제장비, 레이더 및 유도무기, 통신장비, 전투체계 사업 등을 주요 핵심 사업으로 수행해 왔다. 삼성통슨CSf는 이러한 삼성의 기존 방산 사업 이념과 사업 분야를 고스란히 이어 받아 이를 글로벌 방산업체로 도약시키기 위한 비전을 갖고 출범하였다.

• Photonics industry news
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• s.5
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• pp.6-7
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• 2001

‘광산업이란 빛이 가지고 있는 성질을 활용해 각종 첨단제품을 생산 ∙ 판매하는 산업입니다. 자연광을 포함해 다양한 성질의 빛을 만들고, 제어하여 활용하는 것으로서 전통적으로 광학 및 광원(조명기기) 분야에 국한되었으나, 1960년대 레이저가 발명된 이후 광전자, 초정밀 계측, 의료기기 등으로 확장되어 가고 있는 추세입니다’ 21세기 대표산업으로 자리매김할 광산업을 육성하기 위한 정책입안에서부터 예산에 이르기까지 많은 노력을 아끼지 않은 박태영 전 산업자원부장관은 정부 관계자, 광주시, 광산업체, 학계, 연구소 등 광관련 관계자들의 한국광산업발전을 위한 노력을 치하하고 더욱 분발하여 국내 광산업이 2010년까지 세계 5위권에 진입할 수 있도록 노력해 주기를 바라며 ‘본인도 미력하나마 국내 광산업 발전에 혼신의 노력을 다하겠다’라고 밝혔다.

• The Optical Journal
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• s.101
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• pp.50-52
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• 2006

광주공업고등학교 광정보기술과는 국내 실업계 고등학교에서는 유일하게 특성화학과로 개편하여 교육청 지원 하에 광기능인력을 양성하고 있는 곳이다. 이곳에서는 정밀광학·광전자·광통신 등 크게 3가지 분야에 대한 특화교육을 통해 국내에서 유일하게 광학기능사와 통신선로기능사를 배출하고 있다. 또한 학교 창업동아리 활동을 통해 광케이블 송수신장비를 연결하는 광점프코드를 창업아이템으로 삼아 조만간 사업자등록을 내고 본격 사업화에도 학교가 직접나서는‘학교기업’을 추진하는 등 활발한 활동으로 주목을 받고 있다.

• The Optical Journal
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• s.135
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• pp.73-73
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• 2011

한국 광학산업을 상징하는 글로벌 산업단체 한국광학기기협회(www.koia.or.kr)가 2012년 4월11일부터 13일까지 서울 코엑스에서 제1회 광전자 산업전시회를 개최한다. 한국광학기기협회와 케이훼어스(주)가 공동 주최하는 'Photonics Seoul 2012'는 광부품 소재, 레이저 및 레이저응용장비, 광학측정 및 시험분석장비, 정밀영상시스템, IT정보기기, 소프트웨어 및 녹색광산업 분야의 광학장비 및 부품소재 등 광산업 제품을 총 망라하는 대규모 전시회라는 점에서 기대를 모으고 있다. 특히 이 전시회는 국내 광산업체의 비즈니스 활성화를 위해 'SMT/PCB & NEPCON KOREA', 'Printed Electronic & Electronics Materials Show', 'LED Packaging EXPO', 'Film Technology Show' 전시회와 동시 개최되어 전시기간 동안 한자리에서 최신 기술 및 제품 동향은 물론, 다양한 국내외 바이어를 만날 수 있는 기회가 될 것으로 기대된다. 동 전시회에 대한 자세한 사항은 한국광학기기협회 사업추진팀(02-3481-8931)으로 연락하면 된다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.47 no.5
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• pp.558-564
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• 2009

POF(Polymer optical fiber) offers advantages of lighter, inexpensive, and easier to use over GOF(glass optical fiber). Its higher transmission loss and low bandwidth, however, make it suitable only for short distance networking such as LAN. The polymer materials and its synthesis technology of low transmission loss and the broader application for flexible POF are the two of many critical areas to be investigated more. In the current study, low-noise POF modules are developed and optimized with a low noise amplifier and low cost LED of 650 nm. In order to demonstrate the dynamic characteristics of the POF module for optical communication and sensing, we have built an image transfer module, optical transmission speed measurement module, optical transceiver for RS-232, and sound-transfer module, and the signal characteristics of them are evaluated. It is found that the module can be readily used for a quick and simple measurement of optical transfer speed. With help of analog amplifier, LED, and PD, sound and image transfers through a maximum 60 m optical waveguide have been confirmed. Real-time data transfer was also demonstrated in PID control, which is thought to be valuable to industrial plant design and control.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.3 no.1
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• pp.48-55
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• 1993

We report the photoemission (PES) studies for the Co/Pd multilayter. The Co 3d PES spectrum of Co/Pd exhibits two interesting features, one near the Fermi energy, $E_{F}$, and another at ~2.5 eV below $E_{F}$. The Co 3d peak near $E_{F}$ of Co/Pd is much narrower than that of the bulk Co, consistent with the enhanced Co magnetic moment in Co/Pd compared to that in the bulk Co. The Co 3d feature at ~-2.5 eV resembles the Pd valence band structures, which suggests a substantial hybridization between the Co and Pd sublayers. The Co 3d PES spectrum of Co/Pd is compared with the existing band structures, obtained using the local spin density functional calculations. A reasonable agreement is found concerning the bandwidth of the occupied part of the Co 3d band, whereas a narrow Co 3d peak near $E_{F}$ seems not to be described by the band structure calculations.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.238-238
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• 2010

최근 전자산업의 발전은 형상 면에서 경박 단소화로 급속하게 진행되고 있으며, 전자소자 내부에서의 배선재료로 사용되고 있는 알루미늄(Al) 박막의 두께 역시 얇아지고 있다. 두께가 20 nm 이하로 작은 극박막 범위에서 박막의 두께 증가에 따라 전기가 잘 흐르기 시작하는 박막의 최소두께로 정의 되는 유착두께를 실시간으로 측정하는 방법을 구현하고 임의의 금속박막과 기판의 조합에 있어서 각각의 재료에 대한 유착두께를 제공함으로써 향후 미세전자소자의 제작시 배선 재료의 선택에 대한 기초자료를 축적할 수 있다. 또한 금속박막의 증착공정 직전에 기판을 표면처리 하여 기판을 활성화시킬 때 표면처리가 박막의 유착두께에 미치는 영향에 대해 박막의 미세구조 변화 관점에서 연구함으로써 여러 가지 금속박막에 대한 유착두께를 줄일 수 있는 방법을 도출 할 수 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 사진 식각 공정으로 패턴을 형성하고 패턴이 형성된 유리 기판은 스퍼터에 연결된 4 point probe에 구리 도선으로 연결한 후 DC 마그네트론 스퍼터법으로 Al을 증착하면서 실시간으로 시간에 따른 전기저항을 측정을 하였다. 이때 스퍼터 내부 진공도는 $4.6\;{\times}\;10^{-5}\;torr$ 까지 낮춰준 후 Al을 증착 할 때 진공도는 $1.1\;{\times}\;10^{-2}\;torr$로 맞춰주고 Ar 가스를 20 sccm 넣어준다. 1초 간격으로 전기저항을 측정한 결과 25초대에 전기저항이 급격히 감소하였으며 이때 Al 박막의 두께는 $120{\AA}$ 이고 이 두께에서부터 전류의 흐름이 좋은 것을 알 수 있다. 박막 두께에 따른 특성을 알기위해 UV 영역의 빛을 사용하는 광전자 분광기(Photoelectron Spectrometer)를 이용해 일함수를 측정하였다. Al 의 일반적인 일함수는 4.28 eV 이며, 두께가 $120{\AA}$일 때의 일함수는 4.2 eV로 거의 비슷한 값을 얻었다. 전류가 잘 흐르기 전인 12초대에서 두께가 $60{\AA}$일 때 일함수는 4.00 eV 이고 전류가 흐르기 시작한 후 50초대에서 Al 박막 두께가 $200{\AA}$ 일 때 일함수는 4.28 eV 로 일반적인 Al의 일함수와 같은 값을 얻을 수 있었다. 광전자 분광기술은 전자소자에서 중요한 전자의 성능예측에 도움을 줄 수 있으며 물질의 표면에서 더욱 다양한 정보를 얻을 수 있다. 또한 실시간 전기저항 측정을 통한 금속박막의 전기전도 특성과 미세구조에 대한 기초 자료를 제공함으로써 신기술 발전에 공헌할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.162-162
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• 2010

InAs 는 광전자 및 광통신 소자에 널리 이용되는 $In_xGa_{1-x}As_yP_{1-y}$ 화합물의 endpoint 로서, Heterojunction Field-Effect Transistors (HEMTs), Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 등에 중요하게 이용되고, 다양한 소자의 기판으로도 폭넓게 사용되는 물질이다. InAs 의 반도체 소자로의 응용을 위해서는 정확한 광 특성과 밴드갭 값들이 필수적이며, 분광타원편광분석법(ellipsometry) 을 이용한 상온 InAs 유전율 함수는 이미 정확히 알려져 있다. 그러나 상온에서는 $E_2$ 전이점 영역에서 여러 개의 밴드갭들이 중첩되어 있어, 밴드구조계산 등에 필수적인 InAs의 전이점을 정확히 정의하기 어렵다. 또한, 현재의 산업계에서 중요하게 여겨지는 실시간 모니터링을 위해서는 증착온도에서의 유전율 함수 데이터베이스가 필수적이다. 이와 같은 필요성에 의해, 22 K - 700 K 의 온도범위에서 InAs 의 유전율 함수와 밴드갭 에너지에 대한 연구를 수행하였다. InAs bulk 기판을 methanol, acetone, DI water 등으로 세척 한 뒤, 저온 cryostat 에 부착하였다. 분광타원분석법은 표면의 오염에 매우 민감하기 때문에, 저온에서의 응결 방지를 위해 고 진공도를 유지하며, 액체 헬륨으로 냉각하였다. 0.7 - 6.5 eV 에너지 영역에서 측정이 가능한 분광타원편광분석기로 측정한 결과, 온도가 증가함에 따라 열팽창과 phonon-electron 상호작용효과의 증가에 의해, 밴드갭 에너지 값의 적색 천이와 밴드갭들의 중첩을 관찰 할 수 있었다. 정확한 밴드갭 에너지 값의 분석을 위하여 2계 미분을 통한 표준 밴드갭 해석법을 적용하였으며, 22 K 의 저온에서는 $E_2$ 전이점 영역에서 중첩된 여러 개의 밴드갭들을 분리 할 수 있었다. 또한 고온에서의 연구를 통해, 실시간 분석을 위한 InAs 유전함수의 데이터베이스를 확립하였다. 본 연구의 결과는 InAs 를 기반으로 한 광전자 소자의 개발 및 적용분야와 밴드갭 엔지니어링 분야에 많은 도움이 될 것으로 예상한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.239-240
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• 2014

$In_2O_3$에 Sn이 도핑된 Indium Tin Oxdie (ITO)는 높은 전기전도성 및 광투과율을 가지므로 터치센서, 태양전지, 스마트 윈도우, 플렉시블 디스플레이등의 수많은 광전자 소자에 필수적이다. 특히 스마트산업이 발전함에 따라 Touch Screen Panel (TSP) 에 적용되는 터치용 고품질 초박막 ITO의 수요가 증가하고 있다. 그러나 초박막 ITO 필름은 얇은 두께로 인해 낮은 결정성을 가지기 때문에 높은 전기전도성을 확보하기 힘들다. 따라서 본 연구에서는 결정성을 향상시키기 위하여 초기 박막 성장 메커니즘에 영향을 주는 인자를 제어하는데 목표를 두었으며 이러한 박막 초기의 성장에 영향을 미치는 인자들 중 자장강도를 변화시킴으로써 플라즈마 임피던스를 조절하였다. 그 결과 전기적 특성 및 광학적 특성은 자장강도에 매우 의존함을 확인할 수 있었다.