• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2015.03a
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• pp.61-69
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• 2015

나노과학에 대한 다양한 실험적 연구와 이론적 연구가 활발해지고 전문화 되어감에 따라 나노물질에 대해 연구하는 것은 더욱 중요해지고 있는 추세이다. 현재 고분자 나노물질들은 코팅, 광전자 부품, 자기 매체, 세라믹 등에 활발하게 이용되고 있으며 그 활용 범위가 더 커질 것으로 전망된다. 지난 몇 년간 사각기둥 형태의 구조체 내부에서 존재하는 고분자의 움직임에 대한 연구는 다양하게 진행되어왔다. 그러나 고분자들을 더욱 유용하게 응용하여 이용하기 위해서는 나노입자 기술과 연결시켜 보다 다양한 환경에서의 고분자의 상태를 자세하게 이해해야 할 필요가 있다. 고분자 물질에 대한 이론적 연구는 주로 계산이 용이한 거시적인 모델인 코스그레인(Coarse-grained) 모델을 이용한 컴퓨터 시뮬레이션을 통해 이루어져왔다. 본 연구에서도 에디슨 서버에 탑재된 코스그레인 모델을 이용한 분자 모델링 시뮬레이션을 통해 제한된 공간 안에서 다양한 구조체들의 내부에서 고분자의 구조를 계산하고, 시뮬레이션의 결과값과 Flory의 공식을 이용한 이론적인 계산값이 얼마나 잘 맞아 떨어지는지에 대해 알아보고자 한다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.154-155
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• 2001

파장가변 광 필터는 WDM 광전송 시스템에 필요로 하는 핵심 부품중의 하나이다. 특히 LiNbO$_3$의 음향광학효과를 이용하는 AOTF(Acousto-Optic Tunable Filter)는 150nm 이상의 파장 가변 범위, 1.5nm 이하의 파장 통과대역폭, 수 $\mu\textrm{s}$ 정도의 비교적 빠른 스위칭 속도, 그리고 여러 파장 채널을 동시에 선택할 수 있는 장점들을 보유하고 있음에도 불구하고 표면 음향파(SAW： SurFace Acoustic Wave) 구동에 필요한 RF 파워와 부 모드(sidelobe)가 비교적 크다는 단점 때문에 실용화에 많은 제약을 받아왔다. (중략)

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.24 no.1
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• pp.12-23
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• 2009

광트랜시버는 광전송 시스템, 대용량 라우터 및 스위치 등의 광통신 장치에서 전기 신호를 광신호로 바꿔 광섬유를 매체로 송신하며 송신된 광신호를 수신하여 다시 전기 신호로 바꿔주는 광송신과 광수신 기능을 담당하는 모듈을 말한다. 광 송수신 모듈은 초창기 155M, 622M, 2.5 Gb/s SDH/SONET 시스템에 사용되었을 때에는 광송신기와 광수신기가 분리되어 있는 구조였으나, 2000년 이후에 들어서서 광송신기와 수신기가 하나의 패키지 안에 구현된 지금의 광트랜시버 모듈이 등장하였다. 또한, 광트랜시버 모듈 업체를 중심으로 시스템 업체, 부품업체들이 모여 산업체 표준(MSA)을 정하면서 개발 비용과 시간 단축의 효과를 거두는 동시에, 기술면에서도 비약적인 발전을 거듭하고 있다. 이러한 광트랜시버의 발전 방향은 고속화, 소형화, 고성능화, 저가격화로 요약할 수 있다. 본 고에서는 10 Gb/s, 40 Gb/s, 100 Gb/s 광트랜시버를 중심으로 기술동향을 설명하고, 광트랜시버를 개발하는 데 필요한 요소기술에 관하여 살펴본다.

• Photonics industry news
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• s.22
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• pp.90-97
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• 2004

최근 수년간 세계적인 광통신 관련 업체 및 기관들 사이에 광부품의 전기적, 물리적 특징을 규정짓는 표준 규약인 MSA(Multi-Source Agreement)를 통하여 설계시간과 비용을 절감하기 위한 노력들이 다양한 형태로 꾸준히 진행되어 왔다. 이러한 MSA들은 같은 응용제품에 대하여 참여기업 사이의 상호 협약인 만큼 완전한 범세계적 표준은 아니지만, 주요 생산자들과 고객들 사이의 상호 협약을 통하여 시간, 비용 뿐만 아니라 시스템 내에서의 상호 호환성에 대한 부분까지 공유하고 있으므로 관련 제품에 대하여 사실상의 표준화를 선도하고 있다. 본 글에서는 특히 현재 광전송네트웍에서 가장 큰 부분을 차기하고 있는 10Gbps급 광송수신 모듈(광트렌시버)에 대한 MSA들의 주요 특징 및 물리적인 규격들을 비교 분석하였다. 이중에서 일부 MSA를 준수하는 제품군들은 선진 부품 업체들에 의해 최근에야 본격적으로 출시되도 있지만, 조만간 기존의 제품들을 밀어내고 관련 시장에서 가장 큰 비중을 차지할 것으로 전망된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.130-130
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• 2017

Au 합금 도금층은 내마모성 및 내식성이 우수하고 접촉저항이 낮기 때문에, 커넥터, 인쇄회로기판 등과 같은 전자부품의 접속단자부에 널리 적용되고 있다. 각 부품들을 효과적으로 전기적 신호를 통해 연결하기 위해서는 낮은 접촉저항이 요구되며, 이러한 Au 합금 도금층의 접촉저항은 합금 원소의 종류 및 함량, 용융 솔더와 전자부품을 고정시키는 표면실장공정에서 받는 theremal aging의 온도와 시간에 따라 변화된다. 현재 전자부품용 커넥터에 실시되고 있는 금 합금도금은 Au-0.3wt%Co합금, Au-0.2wt%Ni합금도금이 대부분 적용되고 있으며, 높은 순도(금 함유량 99.7wt%이상)로 인하여 금 사용량을 절감하기 어려운 실정이다. Sn은 Au와 높은 고용률을 갖는 합금을 형성하는 장점을 갖고 있기에 금 사용량 절감에 큰 기여를 할 수 있을 것으로 예상된다. 따라서 본 연구에서는 Sn을 합금 원소로 사용하여 높은 Sn함량을 갖는 Au 합금 도금층을 제작하고, 무연솔더의 융점보다 더 높은 온도인 533K에서 thermal aging을 실시하여, Sn함량별로 thermal aging에 따른 접촉저항과 솔더퍼짐성의 변화를 기존의 Co, Ni합금과 비교 조사하였다. 또한, 표면분석을 통하여 Au-Sn합금 도금층의 접촉저항이 변화하는 요인에 대해서도 고찰하였다. 표면적 $0.2dm^2$의 순수 동 시편 위에 약 $2{\mu}m$두께의 Ni도금을 실시한 후 Sn 함량을 다르게 준비한 도금 용액(Au 6g/L, Sn 1~8g/L)을 사용하여 Au-Sn합금 도금을 실시하였다. Au-Sn합금 도금층은 전류밀도 0.5ASD, 온도 $40^{\circ}C$에서 약 $0.1{\mu}m$두께가 되도록 도금하였으며, 두께는 형광X선 도금두께측정기로 측정하였다. 금 합금 도금층 내의 Sn함량은 Ti시편 위에 도금한 Au-Sn합금층을 왕수에 용해시킨 다음, ICP를 사용하여 분석하였다. Au-Sn합금 도금층의 접촉저항은 준비된 시편을 533K에서 1분 30초, 3분, 6분 간 열처리한 후, 5회 접촉저항을 측정하여 그 평균값으로 하중에 따른 금 합금 도금층의 접촉저항을 비교하였다. 솔더링성은 솔더볼을 합금 표면에 솔더페이스트를 이용하여 붙인 뒤 533K에서 30초간 열처리하고, 열처리 후 솔더볼의 높이 변화를 측정해 열처리 전 솔더볼의 높이에 비해 퍼진정도를 측정하였다. 또한, 도금층 내의 Sn함량에 따라서 접촉저항이 변화하는 요인을 분석하기 위해서 X선 광전자 분광기를 이용하여 도금층 표면의 정량 분석 및 화학적 결합상태를 분석하였다. ICP분석결과 Au-Sn합금층 내의 Sn함량은 도금용액의 조성별로 9~12wt% Sn 합금층이 형성된 것을 알 수 있었고 기존의 Au-Ni, Au-Co 합금층과 비교해 합금함량이 크게 증가된 것을 알 수 있었다. 또한 접촉저항 측정 결과, 기존의 Au-Ni, Au-Co합금층의 접촉저항과 비교했을 때 Au-Sn합금층의 접촉저항이 더 낮은 것을 알 수 있었다. 또한, 솔더퍼짐성 측정 결과 기존의 Au-Ni, Au-Co합금층과 비교해 솔더퍼짐성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. 따라서 전자부품용 접점재료에 합금함량이 높은 Au-Sn합금층을 적용시키면 더 우수한 커넥터의 성능을 얻을 수 있을 뿐 아니라 경제적으로 큰 절약 효과를 기대할 수 있을 것으로 판단된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.42 no.3 s.333
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• pp.25-34
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• 2005

In this paper, we analyzed and measured the electrical crosstalk characteristics of a triplex transceiver module for ethernet Passive optical networks(EPONS). And we improved the electrical crosstalk levels using Dummy ground lines with signal lines. The triplex transceiver module consists of a laser diode as a transmitter, a digital photodetector as a digital data receiver, and a analog photodetector as a community antenna television signal receiver. And there are integrated on silicon substrate. The digital receiver and analog receiver sensitivity have to meet -24 dBm at $BER=10^{-l2}$ and -7.7 dBm at 44 dB SNR. And the electrical crosstalk levels have to maintain less than -86 dB from DC to 3 GHz. From analysis and measurement results, the proposed silicon substrate structure that contains the Dummy ground line with $100\;{\mu}m$ space from signal lines and separates 4 mm among devices respectively, is satisfied the electrical crosstalk level compared to simple structure. This proposed structure can be easily implemented with design convenience and greatly reduced the silicon substrate size about $50\%$.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.44 no.8
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• pp.52-59
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• 2007

In this paper, we analyzed and measured implant isolation characteristics for a 1.25 Gbps monolithic integrated hi-directional (M-BiDi) optoelectronic system-on-a-chip, which is a key component to constitute gigabit passive optical networks (PONs) for a fiber-to-the-home (FTTH). Also, we derived an equivalent circuit of the implant structure under various DC bias conditions. The 1.25 Gbps M-BiDi transmit-receive SoC consists of a laser diode with a monitor photodiode as a transmitter and a digital photodiode as a digital data receiver on the same InP wafer According to IEEE 802.3ah and ITU-T G.983.3 standards, a receiver sensitivity of the digital receiver has to satisfy under -24 dBm @ BER=10-12. Therefore, the electrical crosstalk levels have to maintain less than -86 dB from DC to 3 GHz. From analysed and measured results of the implant structure, the M-BiDi SoC with the implant area of 20 mm width and more than 200 mm distance between the laser diode and monitor photodiode, and between the monitor photodiode and digital photodiode, satisfies the electrical crosstalk level. These implant characteristics can be used for the design and fabrication of an optoelectronic SoC design, and expended to a mixed-mode SoC field.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.05a
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• pp.719-721
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• 2012

In this study, we carried out transient radiation experiments for identify failure situation by a transient radiation effect on DC/DC converter device due to high energy ionizing radiation pulse induced to electronic device. This experiments were carried out using a 60 MeV electron beam pulse of the LINAC(Linear Accelerator) facility in the Pohang Accelerator Laboratory. In this experiment, we has found that the latch-up phenomena could be checked in more than $1.0{\times}10^8$rad(si)/sec condition.

• Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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• v.8 no.3
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• pp.171-177
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• 2007

In this paper, we have designed and implemented an optical signal processor in order to use in a fiber-optic current CT for electric equipments where its properties were discussed. The fabricated optical signal processor is used to reduce a measurement current error that induced by the effects of intensity variation in the optical output signal due to losses coming from optical components or polarization variation in a PFOCS. Also, the optical signal processor was fabricated in compact/lightweight with unification of opto-electronic transducer part, analog signal process part, and real-time measurement part consisted of a level shift and ${\mu}-processor$. The experiment of optical signal processor has been performed in the range of $0{\sim}7,500A$ using the PFOCS made all fiber-optic components. As a result of experiment, the linearity error of measurement current is less than 1.7% and its average error is less than 0.3% in the range of $1,000A{\sim}7,000A$.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2014.10a
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• pp.182-185
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• 2014

In this paper, the ADC performs research and development for high speed data transfers to minimize the optical delay. Have more $6{\mu}s$ delay in the data signal converting optical repeater transmission system existing there has been a limit on the high-speed data transmission, and signal conversion. The need to develop a new technique to reduce the delay in time within $2{\mu}s$ data signal converted by using this direct conversion system. It is desired the development of the core technologies necessary for the signal transduction component, such as mobile communications LTE, LTE advanced service transport network is established, the delay time $3{\mu}s$ technology for reducing the delay time in the signal converting a revolutionary step is applied in this paper we have developed an ADC.