본 논문에서는 여러개의 WDM 채널을 동시에 처리할 수 있는 새로운 출력 공유버퍼를 제시했다. 분석을 통해 만약 버퍼에서 사용되는 광 도파로열 격자의 누화 값이 -33dB이하이며, ,BER 10-9의 시스템 성능을 만족하면서 8개 이상의 WDM 체널을 동시에 버퍼링할 수 있음을 보였다.
본 논문에서는 광 패킷 스위칭 시스템 내에서의 패킷 충돌을 해결할 수 있는 전광 WDM 버퍼를 제안한다. 제안된 구조는 SOA를 기반으로한 가변 파장변환기(TWC), N×N AWG, 광섬유 지연기, 그리고 N×1 커플러로 구성된다. 이 구조에서는 파장 라우팅에 의하여 충돌되는 WDM 패킷들이 각기 다른 개별적인 경로를 거쳐 버퍼링 되기 때문에 ASE와 누화 잡음을 줄일 수 있다. 버퍼링을 확인하기 위하여 각각 50ns의 폭을 가지는 두 WDM 광펄스의 충돌에 대한 실험을 수행하였으며 충돌이 잘 해결되었음을 확인하였다.
본 논문에서는 광 버스트 네트워크 내의 버스트 충돌을 해결하기 위한 새로운 알고리즘을 제안하였다. 제안된 알고리즘은 파장 변환(conversion), 경로 변경(deflection), 분리(segmentation), 광섬유 버퍼링을 흔합하여 광 스위치에 적용한 것이다. 제안된 충돌 해결 알고리즘의 성능은 ns(network simulator)-2를 이용하여 분석하였다. 시뮬레이션에 사용한 네트워크 토폴로지는 한국의 기간망을 가정하였고 이를 기반으로 다양한 네트워크 트래픽 조건에서 성능 지표(버림 확률, 전파 지연)의 개선을 보였다.
광 전송 네트워크의 스위칭 기술에서 자원 충돌 문제를 해결하기 위한 방법으로 버퍼링은 중요한 문제중 하나이다. 본 논문은 가변길이 광 패킷 스위칭에 있어서 Fiber Delay Line(FDL)을 사용한 광 버퍼의 dimensioning과 패킷의 손실률에 대하여 연구하였다. 우선 단단(single-stage) FDL 버퍼에서의 granularity와 버퍼 손실에 대한 관계를 고찰하고 간단한 구조의 다단(multi-stage) FDL 버퍼 구조를 제안하였다. 다단 FDL 버퍼는 구현 기술이나 경제성의 측면에서 현 시점에서는 실용성이 높지 않지만 본 논문에서는 미래에 실용화가 가능할 것이라는 가정 하에 다단 FDL 버퍼 구조들을 제안한다. 제안한 FDL 버퍼 구조에서 각 스테이지에 사용되는 지연 및 패스 라인의 소요량을 시뮬레이션을 통해 고찰하고 그 사용율에 근거하여 multi-stage FDL 버퍼를 dimensioning하였다. 또한 보다 실질적인 구조의 다단(multi-stage) FDL 버퍼를 제안하고 그 적합성을 버퍼 크기와 패킷 손실율의 관계를 통하여 연구하였다.
CIGS 박막태양전지는 다른 박막태양전지에 비해 높은 에너지 변환효율을 보이고 있으며, 광범위한 기술 응용분야를 가지고 있다. CIGS를 광흡수층으로 하는 태양전지의 구조는 5개의 단위박막(배면전극, 광흡수층, 버퍼층, 앞면 투명전극, 반사방지막)을 순차적으로 형성시켜 만든다. 단위박막별로 다양한 종류의 재료와 조성, 또한 제조방법에서는 갖가지 물리적, 화학적 박막 제조방법이 사용된다. 현재 광흡수층인 CIGS층의 경우 동시증발법과 스퍼터링법이 높은 효율을 보이고 있다. 본 연구에서는 CIGS층을 3-stage process를 적용한 동시증발법을 사용하였고, Fluxmeter와 기판후면 온도 모니터링을 이용하여 제조하였으며, 버퍼층은 moving 스퍼터링 법으로 ZnS를 증착하였고, 투명전극층은 PLD (Pulsed Laser Deposition)를 이용하여 제조하였다. 가장 높은 광변환효율을 보인 Al/ZnO/CdS/Mo/SLG박막시료는 유효면적 0.45 $cm^2$에 광변환효율 15.71%, Jsc: 33.64 mA/$cm^2$, Voc: 0.64 V, FF: 73.18%를 얻을 수 있었으며, CdS를 ZnS로 대체한 Al/ZnO/ZnS/Mo/SLG 박막시료는 유효면적 0.45 $cm^2$에 광변환효율 12.13%, Jsc: 33.22 mA/$cm^2$, Voc: 0.60 V, FF: 62.85%를 얻을 수 있었다.
p-형 반도체인 Cu(In,Ga)$Se_2$ (CIGS) 광 흡수 층은 이보다 에너지 밴드 간격이 큰 n-형 반도체와 이종 접합을 형성한다. 흡수층과 윈도우층 사이의 결정구조 차이와 밴드갭 에너지 차이를 완화시키기 위해 버퍼층이 필요하다. 버퍼층을 형성하는 물질로 화학적 용액 성장법(Chemical Bath deposition)을 사용한 CdS가 많이 적용되어 왔으나 Cd의 유해성 및 습식 공정으로 인한 연속공정에 대한 어려움이 있다. 따라서 버퍼층을 Cd을 포함하지 않는 ZnS, $In_2S_3$, (Zn, Mg)O 등과 같은 물질로 대체하여 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 펄스레이져증착법(Pulsed Laser Deposition), 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 건식으로 성장시키는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 $ZnO_{1-x}S_x$ ($0.2{\leq}x{\leq}0.4$)를 반응성 스퍼터링으로 증착하여 큰 밴드갭 에너지와 높은 광투과율를 갖는 버퍼층을 제작하였다. CIGS 박막의 손상을 줄여주기 위하여 RF 파워는 240, 200, 150, 100 W로 변화시켰다. CIGS 태양전지의 I-V 측정 결과, RF 파워가 150 W일 때 10.7%의 가장 높은 변환 효율을 보였고, 150 W 이상에서는 파워가 증가할 때 단락전류는 감소하였으며 개방전압은 다소 증가하였다. 반면 100 W에서 단락전류는 다소 증가하는 것에 반해 개방 전압이 급격히 낮아졌다. 이것은 파워에 따라 결합되는 산소의 양이 다르기 때문으로 생각된다.
모바일 단말의 이동성을 지원하는 호스트 기반의 MIPv6, HMIPv6 및 FMIPv6 프로토콜이 개발되었지만, 이동성 기능을 단말기에 구현해야 하는 부담이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 최근에 네트워크 기반으로 동작하는 PMIPv6 프로토콜이 등장하였다. 그러나 라우팅 최적화나 핸드오버 지연시간을 단축해야 하는 과제가 아직 남아 있다. 따라서, 본 논문에서는 사용자의 인증절차를 간소화하여 지연시간을 줄이고, 핸드오버 시간 동안 패킷들을 LMA 의 별도 광 버퍼링 공간에 저장하였다가 재전송함으로써 패킷 disordering 문제점을 해결하는 기법을 제안한다. 성능평가는 분석 모델을 통해 평가하며, 제안기법의 핸드오버 지연시간은 표준 PMIPv6 대비 33% 개선된 성능을 보인다.
WDM 네트워크에서 WDM 버퍼는 전광 패킷 스위칭 시스템을 구현하기 위한 핵심적인 요소 기술이다. 본 논문에서는 단일 루프형 전광 WDM 버퍼 구조를 제안하였으며, 이를 실험적으로 확인하였다. 제안된 구조는 NOLM과 피드백 루프로 구성되며, 제어 광 신호 (1553nm, 펄스 폭: 30㎱)에 의해 버퍼로부터 출력되기까지 단일 입력 펄스 (1550nm, 펄스 폭: 20㎱)를 약 40회 이상 버퍼링 (20${\mu}\textrm{s}$ 이상)할 수 있었다.
IP 패킷스위칭을 수행할 수 있는 WDM 기반의 대용량 광패킷스위칭 시스템을 위해 입력광 신호 속도 10Gb/s의 16 x 단위 스위치로 구성되는 출력 버퍼링 방식의 방송 및 선택형스위치 구조가 제안되었다. 기존의 광소자는 광특성 때문에 집적광 집적화 논리회로(PCL)의 제작이 쉽지 않았으나 최근 세계적으로 어레이형 집적화 광소자의 개발 추세가 급속도로 진전되고 있어 대용량의 광교환기 시스템 구조는 기존의 교환기 시스템과 유사한 형태 및 구조가 가능하다.
CIGS 박막 태양 전지의 버퍼층은 흡수층과 윈도우층 사이의 밴드정렬(band alignment)을 통해 에너지 변환 효율을 향상시킨다. ZnS는 무독성의 II-VI 반도체 화합물로서 직접천이형 광대역 밴드갭과 n형 전도성을 가지며, 높은 광투과성, 높은 굴절률 등의 우수한 전기적, 광학적 특성을 가지고 있고, 우수한 격자정합을 가지는 물질이다. 이 연구에서, RF 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 증착 후 급속 열처리에 의해 제작된 ZnS 버퍼층 박막의 구조적, 광학적 특성의 상관관계에 대해 고찰하였다. (111), (220), (311) 면의 섬아연광 입방정 구조를 확인할 수 있고, 상대적으로 저온에서 급속열처리를 수행한 시료에서는 (002) 면의 우르쯔광 육방정 구조가 함께 나타나는 다결정이 되었다. 고온에서 급속열처리 수행한 시료에서는 섬아연광 입방정 구조의 단결정으로 상전이 된다. 화학적 성분 분석을 통해서 Zn/S의 비율이 화학양론에 근접한 시료에서 섬아연광 입방정 구조의 단결정이 나타났음을 확인하였다 급속열처리 온도가 증가할수록 흡수단이 다소간 단파장 쪽으로 이동되고, 가시광 파장 범위에서 평균 광투과율이 증가하는 경향성을 보이며 500℃ 조건에서는 80.40%로 향상되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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