Lateral p-i-n photodiodes have been fabricated, electrically tested, and incorporated into microwave control circuits such as an optically excited microwave atttenuator and reflection type phase shifter. Circuit design procedures for the loaded-line phase shifter with the optically controlled p-i-n photodiode are presented. The equal loss loading mode presented for the first time for the phase shifter circuits with lossy load allows an equal insertion loss of the phase shifter in both of its phase states. It is found that the insertion loss of the equal loss loading mode phase shifter constructed with the fabricated p-i-n photodiode load are about 3dB for 11.25$^{\circ}$ bit and 1dB for 5.625$^{\circ}$ bit for the frequency range of 2GHz to 11GHz.
This parer was presented for the experimental results of torsional vibrations of the horizontal rotating shaft with three disks. The torsional vibrations meter used is a laser system for non-contact measurement of torsional angular vibration velocity and torsional angular vibration displacement. The distance between the disks war changed; the one that had 76mm of disk distance war called basic model, and another that had 106mm of disk distance wide model, and other that had 46mm of disk distance narrow model. In each model, outer diameter of disk was 40mm. And 45mm, or 50mm was also used to extend the effective range of frequencies. The angula vibration displacement and the angular vibration velocity in its torsional vibration were measured to obtain the stable and the unstable regions.
Electircal characteristics of HgCdTe photodiodes with a heterostructure to achieve high performance are analyzed numerically. A two-dimensional device simulator which can handle a HgCdTe heterostructure, was developed for this work. The effects of band nonparabolicity, carrier degeneracy, and band-offset of heterointerace are included in a carrier transport model. A unified generation-recombination model includes simultaneously phonon-assisted tunneling and pure tunneling of carriers via traps is newly employed for describing the electric field and temperature dependency of dark current effectively. Furthermore, to accurately predict the effect mole fraction variations on genration rates, ray-trace algorithm is incorporated in the our simulator. Under the various circumstances such as dark, illumination, and surface states, electrical properties of planar heterostructure photodiode are presented and those of homojunction are compared. These results serve as a explanation of cap layer's role on performance.
The U-healthcare is increasingly important as there is a growing tendency for elderly people to acquire chronic disease such as heart problems and high blood pressure. In this paper, we implemented an oximeter which can interact and communicate with the smart devices such as smartphones through which users can manage their measuring data. The designed pulse oximeter is capable of detecting hemoglobin saturation levels in the range of 70-100% and the heart beat rate(BPM) in the range of 30-240 BPM.
III-V족 화합물반도체는 트랜지스터와 광다이오드, 레이저 등의 광전소자 제작물질로 오랫동안 사용 되어 왔다. III-V 화합물 반도체로 제작된 광전소자의 특성을 향상시키기 위해선 다양한 형태의 표면구조가 필요하며, distributed feedback 레이저나 distributed Bragg reflector 레이저의 경우 높은 aspect-ratio를 가지는 구조를 필요로 한다. 현재까지 높은 aspect-ratio를 가지는 III-V족 화합물반도체 구조제작을 위해 reactive ion etching (RIE) 방식을 사용 하였는데, 이 방법은 ion collision에 의한 표면손상과 더불어 에칭 잔여물이 남아 반도체 표면을 오염시키는 문제점을 가지고 있다. 이를 개선하기 위하여 MaCE (Metal-Assited chemical etching)법이 최근 제안되었는데, 본 연구에서는 MaCE 방법을 통하여 다양한 형태의 GaAs 표면구조를 제작하였다. 본 실험을 통하여 에칭용액 조건에 따라 GaAs의 구조적 특성과 morphology가 달라지는 것을 확인하였다.
Process monitoring in laser welding is essential for automation and quality control of products. Various signals from laser welding, such as plasma, sound, optical signals, etc., are utilized for monitoring the process and detecting abnormal weld conditions. In this study, both W light from plasma formed above the weld pool and IR signal from the melting pool are detected with photodiodes and PC-based A/D board, and analyzed to give a guidance about the weld quality. Experimental results show the possibility of using the signals for predicting and evaluating the weld qualify and adapting into the system for on-line process monitoring.
ICRF 또는 NB 시스템에 의해 가열된 고에너지 이온들을 측정하는 것은 핵융합 플라즈마에서 중요한 과제 중의 하나이다. 특히 ICRF를 이용한 D(H) 플라즈마의 H minority의 가열은 H의 분율에 따라 가열의 정도가 달라지고 이 결과는 이온의 고에너지 측정을 통해서 확인할 수 있으므로 정확한 고속 이온의 측정은 매우 중요하다. 본 연구에서는 고속 이온을 전하 교환된 중성입자로부터 측정하는 중성입자 검출기를 개발하였다. Si 광다이오드인 AXUV3ELA를 기반으로 50-300 keV 범위의 고에너지 H 및 D 이온을 측정할 수 있는 소형의 중성입자 검출기(Compact Neutral Particle Analyzer : CNPA)가 설계 제작되었다. 검출된 신호는 Pre-amp와 shaping amplifier를 통해 증폭되고 shaping 되며 마지막으로 다중채널 분석기(Multi Channel Analyzer : MCA)를 통해서 계수된다. 본 발표에서는 NPA의 구체적인 설계 특성과 함께 Am-241 gamma ray 선원을 이용한 NPA의 시험 및 보정결과를 보고할 예정이다.
This paper is research for the practicability of instrument which can apply to the transformer on the spot with the criteria of insulation oil with the method of measuring the volume of $H_2O$ in the insulation oil by playing insulation oil with the significant role for precaution diagnosis on breakdown of transformer among power system into Nd:YAG laser.
A simple coupling method between APD(avalanche photodiode) arrays and SMF(single mode fiber) arrays on a Silicon carrier composed of V-grooves is proposed and carried out. Jacketed fibers embedded in V-grooves are used as alignment marks instead of patterned pedestals or solder bumps and a optical receiver module are packaged.
사과나 배 등의 과일을 장기저장하거나 유통하는 과정에서 가장 문제가 되는 것은 내부갈변이나 부패 등의 내부결점이다. 내부결점은 사람의 육안이나 현행 중량선별방식으로는 식별이 불가능하며, 일부 보급된 내부품질 측정 장치는 고가의 외산장비가 대부분이다. 본 연구에서는 사과와 배의 갈변이나 부패 등의 내부결점을 비파괴적이면서도 저렴하게 검출할 수 있는 방법을 소개한다. 먼저 내부결점을 검출하기 위한 최적의 가시광 및 근적외선 파장대역을 선정하고 기존의 고가 외제 분광광도계를 대체할 수 있는 광다이오드를 선정하여 시작기를 개발한다. 시작기를 통한 실험에서 제안한 방법의 내부이상 판별 정확도는 90% 이상이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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