• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.183-183
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• 2013

본 연구는 전착법으로 형성된 $Cu_2O$ 박막의 광특성 변화를 고찰한 것이다. 0.3M $CuSO_4$과 4M Lactic acid에 4M NaOH로 전해액의 pH를 조절하여 $Cu_2O$ 박막의 결정성 및 극성을 조절하였다. $Cu_2O$ 박막의 결정성 및 극성에 따른 광특성을 고찰한 결과, 극성인 (111)면에서 광특성이 우수함을 확인하였다. 하지만, 측정시간의 증가에 따라 표면에 Cu 금속이 형성되어 광전류가 감소함을 확인 할 수 있었다. rGO는 페르미전위가 $Cu_2O$ 환원 전위보다 위쪽에 위치한다. 따라서 $Cu_2O$ 박막위에 rGO를 형성시켜 Cu 발생반응을 제한하고 광전류를 증가시키고자한다.

• 광산업정보
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• 통권13호
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• pp.54-59
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• 2002

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.317-317
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• 2012

본 연구는 전착법으로 형성된 $Cu_2O$ 박막의 광특성 변화를 고찰한 것이다. 0.3M $CuSO_4$과 4M Lactic acid에 4M NaOH로 전해액의 pH를 조절하여 $Cu_2O$ 박막의 결정성 및 극성을 조절하였다. $Cu_2O$ 박막의 결정성 및 극성에 따른 광특성을 고찰한 결과, 무극성인 (111)면에서 광특성이 우수함을 확인하였다. 하지만, 측정시간의 증가에 따라 표면에 Cu 금속이 형성되어 광전류가 감소함을 확인 할 수 있었다.

• 광산업정보
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• 통권12호
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• pp.48-53
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• 2002

본지에서는 한국과학기술정보연구원(KISTI)의 자료 협조를 받아 광산업과 관련된 해외 신기술 동향을 소개하고 있습니다.

• 식물조직배양학회지
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• 제27권1호
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• pp.19-23
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• 2000

사과 자엽조직으로부터 기내에서 식물체를 재분화시키는 데에 있어서 배양 광조건 및 절편체 극성과의 관계를 살펴보고자 사과‘Fuji’품종의 자엽을 재료로하여 광조건 및 광질을 달리하여 배양하였고, 또한 여러 가지 형태의 절편체를 사용하여 시험을 수행하였다. 배양환경조건 중 광조성에 따른 신초 재분화율을 본 결과 배양 초기 10일간 암배양한 후 명 배양한 처리구에서 가장 높은 재분화율을 나타내었으며, 배양중기의 암처리는 효과가 없었다. 광질별로 비교할 때 전처리로 4일간 암배양한 후 청색광을 조사한 처리구에서 높은 신초 재분화율을 나타내었다. 신초 재분화 유기와 절편체 극성과의 관계를 보면 모든 신초의 형성은 절제된 자엽의 기부 끝쪽에서만 이루어졌다. 즉, 기부쪽 절편체의 말단부 절단면에서보다는 기부쪽 절편체와 말단 절편체의 기부쪽 절단면에서 식물체의 재분화가 이루어짐을 알 수 있었다. 신초 유기는 배축의 기부쪽 자엽 절편체 에서 매우 높게 나타난 반면 자엽의 말단부위에 가까운 곳에서는 현저히 감소하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.308.2-308.2
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• 2014

최근 III-N계 물질 기반의 광 반도체 중 m-면 사파이어 기판을 사용하여 반극성 (11-22) GaN박막을 성장하는 광반도체의 발광효율을 높이려는 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만, 반극성 (11-22) GaN와 m-면 사파이어 기판과의 큰 격자상수 차이와 결정학적 이방성의 차이에 의해 많은 결정 결함이 발생하게 된다. 이러한 결정결함들은 반극성 LED소자내에서 누설전류 및 비발광 재결합, 순방향전압 등의 소자특성을 저하시키는 큰 요인이 되기 때문에 고효율 발광소자를 제작함에 있어 어려움을 야기시킨다. 이러한, 반극성 LED 소자의 효율 향상을 위해 결함 분석에 대한 연구를 주를 이루고 있는 상황으로, n-GaN층에 Si도핑에 관한 연구가 진행되고 있다. 이미 극성과 비극성에서는 n-GaN층에 Si이 도핑이 증가될수록 결정질이 향상되고, 양자우물의 계면의 질도 향상 되었다는 보고가 있다. 본 연구에서는 반극성 (11-22) GaN 기반의 발광소자를 제작함에 있어 n-GaN 층의 도핑 농도 변화를 통한 반극성 GaN 박막의 결정성 및 전기적 특성 변화에 따른 LED소자의 전계 발광 특성에 대한 연구를 진행하였다. 금속유기화학증착법을 이용하여 m-면 사파이어 기판에 $2.0{\mu}m$두께의 반극성 (11-22) GaN 박막을 저온 GaN완충층이 존재하지 않는 고온 1단계 성장법을 기반으로 성장하였다.[3] 이후, $2.0{\mu}m$ 반극성 (11-22) GaN 박막 위에 $3.5{\mu}m$ 두께의 n-GaN 층을 성장시켰다. 이때, n-형 도펀트로 SiH4 가스를 4.9, 9.8, 19.6, 39.2 sccm으로 변화하여 성장하였다. 이 4가지 반극성 (11-22) n-GaN 템플릿을 이용하여 동일 구조의 InGaN/GaN 다중양자우물구조와 p-GaN을 성장하여 LED 구조를 제작하였다. X-선 ${\omega}$-rocking curve를 분석한 결과, 이러한 특성은 반극성 (11-22) n-GaN층의 Si 도핑농도 증가에 따라서 각 (0002), (11-20), (10-10) 면에서 결정 결함이 감소하고, 반극성 (11-22) n형 GaN템플릿을 이용하여 성장된 반극성 GaN계 LED소자는 20mA인가 시 도핑 농도 증가에 따라 9.2 V에서 5.8 V로 전압이 감소하였으며 역방향 전류에서도 누설전류가 감소함이 확인되었다. 또한, 전계 발광세기도 증가하였는데, 이는 반극성 n형 GaN박막의 실리콘 도핑농도 증가에 따라 하부 GaN층의 결정성이 향상과 더불어 광학적 특성이 향상되고, n형 GaN층의 전자 농도 및 이동도의 동시 증가에 따라 전기적 특성이 향상 됨에 따라 LED소자의 전계 발광 특성이 향상된 것으로 판단된다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.85-90
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• 2006

본 논문은 불평등 전계의 $SF_6/CO_2$혼합기체 중에서 전구방전특성에 대한 실험결과를 제시한다. 임펄스 전구방전 진전을 코로나 전류와 방전광 이미지의 측정으로 조사하였다. 정 부극성의 전구방전 진전메커니즘은 기본적으로 같았으며, 초기스트리머코로나는 침전극의 끝단에서 발단되어 계단상으로 진전하는 리더에 의해 시험갭을 교락시킨다. 정극성에서 리더펄스의 휴지시간은 부극성에서보다 매우 짧았다. 또한 부극성에서 초기스트리머코로나와 절연파괴사이의 시간간격은 정극성에서보다 매우 길게 나타났다. 정극성에서 방전채널경로는 임의적으로 나타났으며, 부극성에서 리더 채널은 정극성에서 보다 굵고 밝게 나타났다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.218-218
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• 2003

21세기 정보기반사회에서는 정보처리량의 증가로 인한 대용량 정보 교환을 위하여 신호처리의 고속화/광대역화가 요구되어진다. 완전 광통신망의 구축에 의한 대용량의 광통신을 위해서는 고속이며, 집적화가 가능한 저가의 광전자 소자 개발이 필요하다. 광전자 소자 중 전기-광학 변조 효과를 이용한 광소자의 구현을 위한 소재로서 극성 배향된 비선형 광학 유기고분자 소재는 가공성이 뛰어나 원하는 형태의 광도파로로 제조할 수 있다는 장점에 많은 연구가 진행되고 있다. 그러나 아직 전기광학계수의 향상과 더불어 유기고분자가 가지고 있는 열 및 광화학적 안정성이 낮은 기본적인 문제점과 폴링(poling)에 의해 배향된 극성이 시간에 따라 완화되는 문제의 해결이 요구되고 있다. 이러한 문제점 해결을 위한 기초 연구로 유기물을 졸-겔 매트릭스에 나노 사이즈로 분산하는 방법으로 유기물의 내화학적 안정성을 향상하고자 시도하였다. 잘 알려져 있는 바와 같이 유/무기 하이브리드 졸-겔 재료는 광 투광성이 우수하고 저온에서의 재료 합성과 저가 공정이 가능하여 광기능성 유기물의 호스트(host) 재료로 많이 연구되고 있다. 본 연구에서는 MTMS(methyltrimethoxysilane)과 TEOS (tetra-ethoxyorthosilicate)를 0-100 mol%로 혼합하고 가수분해하는 방법으로 친수성/친유성 특성을 제어하여, 분산되는 유기물의 사이즈를 조정하였다. 각 실험 조건에 따른 유기물 분산체의 크기를 SEM 및 TEM으로 관찰하였으며, 나노 사이즈로 분산된 유/무기 졸-겔 코팅막의 광학적 특성을 프리즘 커플러를 이용하여 조사하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전력기술부문
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• pp.93-95
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• 2005

본 논문에서는 태양광 발전 시스템의 계통연계 운전 보호 협조 알고리즘 적용 및 시험을 위해 개발되고 있는 태양광 발전용 PC의 설계 및 실험 결과에 대하여 제시하고자 한다. 태양광 발전 시스템은 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환하여 주는 태양 전지판과 발전된 전기 에너지를 전력 계통에 연계하여 주는 전력 변환 장치(Power Conversion System)로 구성되어 있다. 개발된 PCS는 10kw 태양광 전지에서 발전된 전력을 상용 계통에 연계할 수 있도록 개발 되었으며 본 논문에서는 전체 시스템의 극성과 계통 연계 운전 결과에 대하여 제시하고자 한다. 개발된 PCS는 태양광 발전 시스템의 보호 협조 알고리즘 개발과 분산전원 시스템 관련 연구에 활용될 계획이다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제47권4호
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• pp.430-435
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• 2009

실란커플링제인 glycidoxypropyl trimethoxysilane과 vinyltriethoxysilane을 출발물질로 하여 sol-gel 법에 의해 유-무기 혼성 용액을 제조하였다. 이 용액에 spiropyran 계 광 변색 염료를 다양한 종류의 용매에 용해시킨 후 혼합하여 광변색 코팅 용액을 제조하였다. 그 후 기재인 polycarbonate 시트에 코팅시키고 열 경화시켜 광 변색성을 갖는 하드 코팅 막을 제조하였다. 이 과정 중 spiropyran을 용해시킨 용매의 극성이 코팅 막의 광변색 특성에 미치는 영향을 조사하였다. Spiropyran을 용해시킨 용매의 극성이 증가할수록 겔 매트릭스에서의 spiropyran의 열린 구조가 더욱 안정화되므로 코팅 막의 소색속도가 감소하였다.