• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.5
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• pp.350-355
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• 2000

The fabrication of sapphire wafer in C plane has been developed by horizontal Bridgeman method and GaN based semiconductor epitaxial growth has been carried out in metal organic chemical vapour deposition. The single crystalline ingot of sapphire has been utilized for 2 inch sapphire wafers and wafer slicing and lapping machines were designed. These several steps of lapping processes provided the mirror-like surface of sapphire wafer. The measurements of the surface flatness and the roughness were carried out by the atomic force microscope. The GaN thin film growth on the developed wafer was confirmed the wafer quality and applicability to blue light emitting devices.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.95-95
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• 2003

최근, 대면적 평판표시소자 제작을 위한 전기발광 (EL; electroluminescence)소자용 소재로서 GaN 분말을 적용하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 이와 같이 GaN 분말을 EL 소재로 사용하기 위해서는 원하는 파장의 빛을 발광할 수 있도록 특정의 불순물을 첨가하여야 할 필요가 있다. Mg이 첨가된 GaN 분말의 합성과 특성에 대한 연구가 있었으며, 희토류 원소가 첨가된 GaN 분말의 특성이 보고된바 있다. 본 논문에서는 GaOOH 분말을 출발물질로 채택하여 Zn가 첨가된 GaN 분말을 합성하고 광학적인 특성을 조사하였다. Zn가 첨가된 GaN 분말을 합성하기 위하여, 우선 CaOOH 분말 1g과 일정량의 ZnO 또는 Zn(NO$_3$)$_3$를 함께 섞어 유발에서 습식 혼합한 후 건조시켰다. Ga에 대한 Zn의 몰 비는 0.1부터 30 까지 변화시켰다. 반응온도는 900~110$0^{\circ}C$의 범위에서 변화시켰고, 반응시간은 1~4시간 범위에서 변화시켰으며, NH$_3$의 유량은 400 sccm으로 하였다. X선 회절분석장치를 사용하여 결정구조를 확인하였고, Zn의 첨가에 따른 광학적 특성은 10 K의 온도에서 광루미네센스(PL; photoluminescence)를 측정하여 평가하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07c
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• pp.1750-1752
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• 2001

본 논문에서는 전기광학효과를 이용한 전압 계측기기의 개발을 위해 수행한 기초 연구에 대하여 기술하였다. 측정 시스템에 사용된 소자의 특성 및 입출력 특성에서 약 800 V까지의 출력특성이 측정오차 3% 내의 선형성을 나타내었으며, $\lambda$/4 Plate를 사용한 경우, 측정 정확도를 높일 수 있음을 확인하였다. 본 실험에서는 DKDP를 포켈스 소자로 사용하였으나, BGO와 같은 결정을 사용하면 수십 kV까지의 높은 전압을 직접 측정하는 것도 가능하다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.29.1-29.1
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• 2010

ZnO 는 톡특한 물리적 화학적 성질을 가지고 있는 반도성 물질이기 때문에 최근 광전자 소자인 LED, TFT, 광센서 등에 적용하려는 연구가 많은 관심을 받고 있다. 특히 1차원 ZnO 나노구조는 박막보다 높은 결정성과 물리, 화학적으로 안정하고 표면적이 매우 넓어 많은 연구가 진행되고 있지만, 대량으로 간단하며 저렴하게 생산하기 위해서 친환경적이며 적은 시간으로 합성을 해야 한다. 그래서 최근 수열 합성법을 이용하여 합성이 많이 이루어지고 있지만, ZnO 나노막대 제조 중 기존에 보고된 방법은 대부분 aspect ratio가 낮으며, 저가의 용액 기반으로 높은 aspect ratio를 가지는 나노 선을 제작하기 어려운 실정이다. 또한 용액기반의 성장에서는 기판과의 격자 상수와 열팽창 계수의 차이로 인해 기판과의 adhesion 이 매우 낮아 adhesion layer를 증착 하여 나노 막대을 제작하는 것이 발표가 되고 있다. 하지만 또 하나의 공정이 더해지기 때문에 복잡해지고, 소자에 응용하기에는 한계점이 보인다. 그렇기 때문에 이번 연구에서는 성장 시 Zn 소스가 소모가 다 되었을 시 성장 용액을 교체하는 과정에서 성장 온도와 같이 유지 시킨 뒤에 성장을 하는 방법으로 수직 방향으로 10 um 의 길이를 가지는 ZnO 나노막대의 합성을 가능하게 하였다.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.8 no.6
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• pp.8-15
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• 2008

In this paper, in order to analyze property of frequency response in optical microphone, system was implemented. The capacitance microphone and fiber-optic transmission path type fiber-optic microphone (FOM) have weaknesses in directivity, size, weight, and price. However suggested optical microphone can be constituted by cheap devices, so it has many benefits like small size, light weight, high directivity, etc. Head part of optical microphone which is suggested in this paper is movable back and forth by sound pressure with the attached reflection plate. Operating point is determined by measuring the respond characteristics and choosing the point on which has maximum linearity and sensitivity while changing the distance between optical head and vibrating plate. We measured the output of the O/E transformed signal of the optical microphone while frequency of sound signal is changed using sound measurement/analysis program, Smaart Live and USBPre, which are based on PC, and compared the result from an existing capacitance microphone. The measured Optical microphone showed almost similar output characteristics as those of the compared condenser microphone, and its bandwidth performance was about 300[Hz]-3[kHz] at up to 3 [dB].

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.42-42
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• 2010

Deep-trenched photonic crystals passing through InGaN/GaN quantum well structural layer have been fabricated on the surface of GaN-based light emitting diode(LED) using by electron beam nanolithography. The lattice constant and hole diameter of the photonic crystals are 230nm and 140nm, respectively. The structural and electro-optical properties have been investigated by scanning electron microscope(SEM) and power-current-voltage(L-I-V). Electroluminescence from GaN-based LED with deep-trenched photonic crystal shows the higher intensity than that without photonic crystal.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.04a
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• pp.240-242
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• 2002

본 논문에서는 buck-boost 형태에 기초한 전류원형 PWM 인버터를 제안하고, 이를 태양광과 계통 연계를 위한 인터페이스 회로로서의 타당성을 실험을 통해 검증하였다. 제안하는 회로는 다섯 개의 스위칭 소자를 가지게 되는데, 이 중 단 하나의 스위치만이 쵸핑동작을 수행하게 되고, 나머지 스위치들은 출력단의 정, 부 방향을 결정짓는데 이용된다. 그러므로 스위칭에 의한 손실을 상당히 저감시킬 수 있다. 또한 입력단의 인덕터 전류를 전류 불연속 모드로 동작 시켜 별도의 입력 전류의 검출이 없이도 출력단을 단위 역률화 할 수 있는 장점을 가진다. 제안하는 계통 연계형 인버터에 대한 동작을 이론적으로 자세히 분석하고 150[W]급 시작품의 실험 결과로 이의 타당성을 검증하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.23 no.6
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• pp.2-11
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• 2008

태양전지는 태양광을 직접 전기로 변환하는 반도체 소자이다. 태양전지는 효율과 신뢰성이 높은 동시에 저렴한 비용으로 생산할 수 있어야 경제성을 확보할 수 있다. 박막형 태양전지는 제조과정에 에너지가 적게 소요되므로 짧은 기간 내에 투자한 비용과 에너지를 회수할 수 있을 뿐 아니라, 소재 비용도 대폭 줄일 수 있다. 국내에서는 아직 1세대 결정형 실리콘 태양전지 산업이 주류를 이루고 있으며 2세대 기술은 초기 단계에 있으나, 이와 유사한 공정을 사용하는 대면적 디스플레이 생산 설비 및 기술을 기반으로 협력 체제를 구축하여 연구개발을 촉진함으로써 빠른 시일 내에 차세대 태양광 발전 시장에서의 경쟁력을 확보할 수 있을 것으로 기대된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.48 no.3
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• pp.60-67
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• 2011

Visible light communication system transmits data by controlling light emission of LED and receives data through photo detecter, which is considered as one of strong candidates of next generation wireless communication systems. The transmission capacity of visible light communication system depends on light intensity emitted from LED, sensitivity of PD, distance between transmitter and receiver, angle of incidence at the receiver. In particular, the receiver's vertical and horizontal movement changes distance between transmitter and receiver and angle of incidence, which may degrades transmission capacity of system. In this paper, we propose an estimation algorithm of receiver's position and angle based on tracking of received light intensity for indoor visible light communication systems. The performance evaluation of proposed algorithm confirms that the estimation algorithm of receiver's position and angle is quite important for visible light communication system to improve its transmission capacity.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.18 no.7
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• pp.951-958
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• 1993

The coupling length is very important factor for the study of directional coupler and other intergrated-optic devices. And the calculation of coupling length is the fundamental process of studing various types of intergrated optical devices. But the calculation of coupling length, requires coupling coefficient n. and the evaluation of coupling coefficient f is very tedious because it requires the calculation of overlap intergral of the two modes. Because of above reason, we suggest the use of beam propagation method, We suggest the basic configuration of directional coupler, which has three different types of longitudinal to vertical ratio, and calculate the coupling length of sugested configuration by both coupled mode thery and beam propagation method and compare the results of each method.