본 연구에서는 파장보다 작은 구조물로 이루어진 음향메타물질을 이용하여 소형화된 헬름홀츠 공진기의 반향음 감소 성능예측 연구를 진행하였다. 본 논문에서 제안된 헬름홀츠 공진기는 수중 환경과 임피던스 차이가 큰 공기구조물로 형성하였다. 다중물리 유한요소 시뮬레이션 패키지를 이용하여 수중 음향학적 분석을 진행한 결과 수중 반향음의 감소가 예상되었고 헬름홀츠 공진기 입구의 공간 압축(space coiling) 정도와 내부 체적의 폭에 따라 주파수 특성을 제어할 수 있었다. 기본적인 헬름홀츠 공진기는 약 10,000 Hz 이상에서 최대 7 dB의 반향음 감소 효과를 보였으나 공간 압축 메타물질을 이용한 초소형 헬름홀츠 공진기는 약 5,000 Hz 이상에서 최대 14 dB의 반향음 감소가 나타났다. 추가적으로 헬름홀츠 공진기의 내부 체적을 제어하여 주파수 특성이 변화하는 것을 확인하고 공간압축 비율이 서로 다른 공진기를 조합함으로써 광대역 반향음 감소 효과를 얻을 수 있었다. 본 연구를 통해 수중 환경에서 공기구조물을 이용한 소형화된 헬름홀츠 공진기의 성능을 연구하였으며 반향음 감소 효과는 효과적인 스텔스 기술을 구현할 수 있을 것으로 기대된다.
본 논문에서는 파워 아일랜드(power island)에서 발생되는 잡음 전달을 개선하는 방법에 대해서 연구하였다. 일반적으로 파워 아일랜드는 각 파워 버스(power bus)의 구조적 공진에 의해 잡음 전달이 증가하는 단점이 있다. 따라서 본 논문에서는 두 가지의 잡음 전달 개선 방법을 제시하였다. 첫 번째로 잡음원의 위치를 변화시킴으로서 구조적 공진을 억제하였다. 두 번째로 공진이 발생할 경우 잡음 전달을 감소시키기 위해서 EGI(Elevated Ground Island)를 제안하였다. 해석결과, 잡음원의 위치에 따라 파워 버스의 공진을 최소로 감소시켰으며, EGI를 이용하여 잡음 전달을 효과적으로 감소할 수 있었다.
본 논문에서는 낮은 입력 전압을 가지는 DC/DC 전원장치의 도통 손실 감소를 위한 비대칭 하프-브리지 공진형 컨버터를 제안한다. 제안된 컨버터를 액티브 클램프 포워드 (ACF) 컨버터와 하프-브리지(HB) LLC 공진형 컨버터의 스위치 통합 기법을 통해 생성되었다. ACF 컨버터를 LLC 공진형 컨버터 앞단에 위치시켜 HB LLC 공진형 컨버터에 증가된 전압을 인가함에 따라 변압기 턴비를 증가할 수 있고, 그에 따라 1차측 도통 손실을 감소시킬 수 있다. 이 때, 두 단에 적용된 스위치를 스위치 통합 기법을 통해 높은 전력 밀도 및 추가되는 도통 손실 감소를 통해 높은 효율을 동시에 이룰 수 있었다. 또한, 비대칭 펄스 폭 변조(APWM)를 제어를 통해 입력 전압 범위를 감소시켜 효율에 최적화된 설계를 가능하게 하였다. 제안된 컨버터는 36-72V 입력 전압, 300W(12V/25A) 출력을 가진 프로토 타입 컨버터를 통해 그 유효성을 입증하였다.
본 연구에서는 경부고속철도상의 대표적인 교량인 2경간 연속보 형태의 고속철도 교량에 대하여 동적거동을 해석하고 공진발생의 감소방안들을 제시하였다. 하중은 한국형 고속철도하중인 총길이 380.15 m의 TGV-K 열차(2P+18T)가 일정한 속도로 이동하는 것으로 하였다. 동적거동을 모사하는 지배방정식은 질량과 강성이 분포된 연속계에서 만들어진 편미분방정식을 이용하여 구하였으며 Duhamel 적분을 이용한 모달계수의 처리를 수반하는 모드중첩법을 이용하여 동적해석을 수행하였다. 열차의 주행속도에 관계없이 동적거동을 급격히 감소시킬 수 있는 지간장이 존재하였으며 지금까지 연구된 단순보 형태의 교량에서 분석된 결과와는 달랐다. 열차의 주행속도에 의존하여 동적응답이 급격히 증가되어 공진현상을 일으키는 경우에도 공진을 감소시킬 수 있는 여러 방안들을 제시하였다.
본 논문에서는 온칩 디커플링 커패시터에 의한 파워/그라운드 라인에서의 RLC 공진현상을 감소시키기 위한 해석적인 모델을 제시한다. 패키지 인덕턴스와 온칩 디커플링 커패시터 및 출력 드라이버로 인하여 형성되는 RLC 공진 회로의 공진주파수를 정확하게 예측하였다. 예측된 공진주파수를 이용하여 회로 동작에 필요한 적절한 디커플링 커패시터의 크기를 결정할 수 있다. 본 논문에서 제시한 공진현상을 감소시킬 수 있는 새로운 설계 방법의 타당성은 $0.18{\mu}m$ 공정 HSPICE 모텔을 사용한 시뮬레이션을 통하여 검증하였다.
본 논문에서는 파워 아일랜드(power island)의 설계지침을 연구하였다. 일반적으로 파워 아일랜드는 각 파워버스(power bus)의 구조적 공진에 의해 잡음 전달이 증가하는 단점이 있다. 따라서 본 논문에서는 잡음원의 위치를 변화시킴으로서 공진을 억제하였으며 개선된 잡음 특성을 위해서 EGI(Elevated Ground Island)를 제안하였다. 해석결과, 잡음원의 위치에 따라 파워 버스의 공진을 최소로 감소시켰으며, EGI를 이용하여 공진에 의해 발생되는 잡음 전달을 11 $\Omega$까지 감소시켰다.
세라믹재료의 동탄성계수 측정을 위한 공진주파수 측정장치를 구성하였다. 구조용 세라믹 재료로 이용되는 $Al_{2}$O_{3}$, SiC, $Si_{3}$N_{4}$의 온도를 120$0^{\circ}C$까지 5$0^{\circ}C$의 온도간격으로 올리면서 torsional resonant frequency와 flexural resonant frequency를 측정하고, 측정된 공진주파수로부터 각 재료의 탄성계수를 구하였다. SiC의 경우는 120$0^{\circ}C$의 온도까지 탄성계수가 선형적으로 감소하였으나, $Al_{2}$O_{3}$와 $Si_{3}$N_{4}$의 경우에는 각각 100$0^{\circ}C$와 80$0^{\circ}C$까지는 선형적으로 감소하나, 그 이상의 온도에서는 탄성게수의 감소폭이 증가하는 현상을 보였다. 이러한 현상은 다결정재료에서의 grain boundary sliding에 의한 것으로 알려져 있다. 상온에서 공진법으로 측정된 동탄성계수의 측정결과는 초음파법으로 측정한 결과와 비교하였는데, 4% 내에서 서로 일치하는 결과를 보였다.
수명이 짧은 전해 캐패시터 대신 필름 캐패시터를 링크 캐패시터로 가지는 컨버터의 경우, 매우 넓은 입력 전압 범위를 가질 수 밖에 없다. 일반적인 넓은 입력 범위를 가지는 LLC 공진형 컨버터의 경우, 변압기 인덕터($L_M$) 값을 작게 하여 순환 전류가 커지도록 설계될 수 밖에 없고, 이는 LLC 공진형 컨버터의 더 큰 도통 손실 및 더 큰 turn-off 손실을 야기하여 LLC 공진형 컨버터의 변환 효율을 감소시키게 된다. 이를 개선하기 위하여 공진 인덕터에 보조 권선을 감소, 추가 스위치를 이용하여 입력 범위에 따라 공진 주파수($f_O$)를 변경할 수 있는 컨버터를 제안한다. 제안하는 컨버터는 $L_M$ 값을 키워 정상 상태 시 도통 손실 및 turn-off 손실을 줄여 효율을 개선할 수 있으며, 낮은 입력 시 보조 스위치를 이용, $f_O$ 변경을 통하여 추가적인 Gain을 얻으면서 공진 인덕터의 철손을 줄여 넓은 입력 범위를 커버하면서 높은 변환 효율을 얻을 수 있다. 또한 제안하는 컨버터는 간단한 제어 방법과 낮은 전류 스펙을 가지는 작은 스위치를 사용할 수 있어 전력 밀도 증가를 최소화하면서 높은 효율을 가져갈 수 있다는 장점을 가진다.
본 논문에서는 파워 아일랜드(power island)에서 발생되는 잡음 전달을 개선하는 방법에 대해서 연구하였다. 일반적으로 파워 아일랜드는 각 파워 버스(power bus)의 구조적 공진에 의해 잡음 전달이 증가하는 단점이 있다. 따라서 본 논문에서는 두 가지의 잡음 전달 개선 방법을 제시하였다. 첫 번째로 잡음원의 위치를 변화시킴으로서 구조적 공진을 억제하였다. 두 번째로 공진이 발생할 경우 잡음 전달을 감소시키기 위해서 EGI(Elevated Ground Island)를 제안하였다. 해석결과, 잡음원의 위치에 따라 파워 버스의 공진을 최소로 감소시켰으며, EGI를 이용하여 잡음 전달을 효과적으로 감소할 수 있었다.
본 논문은 150W HID 램프용 안정기의 공진 점등에 관한 것으로, 기존의 외부 펄스에 의한 점등 시 램프와 안정기의 거리에 따른 점등전압의 감쇠를 감소시키고자 내부 LC를 이용한 공진 점화부로 하여 기능을 향상하였으나, 벅 컨버터의 인덕터와 커패시터로 공진 기동하여 고전압 점등 파형을 만드는 과정 중 스위치 전류가 커지는 문제가 발생하여, 점등을 위한 공진용 커패시터용량을 줄여 공진 Q점을 나눈 별도의 L(T1)과 C(C2, C3)를 공진 탱크로 이용하여 점등하도록 하였으며, 공진 공진주파수로의 주파수 SWEEP 및 재 점등을 하기 위하여 마이크로프로세서를 이용하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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