• Title/Summary/Keyword: 고 비저항

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Characteristics of efficiency by using the combined electrostatic precipitator (조합형 전기집진기를 이용한 집진효율 특성)

  • 김용진;정상현;홍원석;황태근;옥영욱;김두현;하병길;함병훈
    • Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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    • 1999.10a
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    • pp.242-243
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    • 1999
  • 전기집진기는 산업 분진 및 폐가스 집진을 위해 널리 이용되며, 고전기 저항 분진에 의한 집진극 표면의 역전리가 전기집진기에서 가장 큰 문제이다. 이런 역전리 현상을 방지하기 위해 가스온도 제어, 가스조건, 하전 제어 등 다양한 방법이 시도되고 있다. 전기집진기에서 고 비저항 분진 및 역전리의 영향으로부터 높은 집진효율을 얻기 위한 방법 중 하나로 이동 전극형 방식(Moving Electrode Electrostatic precipitator, MEEP)과 고정전극형 (Fixed Electrode Electrostatic precipitatior, FEEP)에 펄스하전 방식으로 구성된 조합형 전기집진기가 개발되고 있다.(Toshiaki Misaka etc. 1996)(중략)

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A Study for the Ohmic Contact of High Resistivity p-Cd$_{80}Zn_[20}$Te Semiconductor (고 비저항 p-Cd$_{80}Zn_[20}$Te의 저항성 전극형성에 관한 연구)

  • 최명진;왕진식
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 1997.04a
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    • pp.338-341
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    • 1997
  • According to reports, it is impossible to make Ohmic Contact with high resistivity p type CdTe or CdZnTe semiconductor theoretically. But it is in need of making Ohmic Contact to fabricate semiconductor radiation detector By electroless deposition method using gold chloride solution, we made Ohmic Contact of Au and p-Cd$_{80}$Zn$_{20}$Te which grown by High Presure Bridgman Method in Aurora Technologies Corporation. We investigated the interface with Rutherford Backscattering Spectrometry and Auger electron spectroscopy. And we evaluated the degree of Ohmic Contact for the Au/CdZnTe interface by the I/V characteristic curve. As a result, we concluded that it showed excellent Ohmic Contact property by tunneling mechanism through the interface.e.

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A Study on the Dielectric Characteristics of Si-Doped ZNR (Si가 첨가된 ZNR의 유전특성에 관한 연구)

  • Nam, Chun-U;Jeong, Sun-Cheol
    • Korean Journal of Materials Research
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    • v.7 no.12
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    • pp.1033-1040
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    • 1997
  • Si가 첨가된 ZNR의 겉보기 유전상구, 겉보기 비유전손율, 유전비저항의 주파수 특성을 여러 측정온도에서 조사하였다. 모든 ZNR에 대하여 유전분산현상 및 유전흡수현상이 뚜렷이 나타났으며, 비슷한 경향의 유전성질을 나타냈다. SiO$_{2}$첨가량이 증가함에 따라 겉보기 유전상수, 피이크 겉보기 비유전손율은 감소하였으며, 유전비저항은 증가하였다. 온도상승시 겉보기 유전상수, 피이크 겉보기 비유전손율은 증가하였으며, 흡수 피이크 주파수는 고주파측으로 이동하였다. SiO$_{2}$첨가량이 증가함에 따라 ZNR은 Cole-Cole원호에서 0.68-0.72범위 내에서 증가하는 $\beta$값을 가지며, 완화시간의 분포가 좁아지는 유전특성을 나타냈다.

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Characteristics of Transformer Using Multi-Cores for High Current (다증 코어를 이용한 고효율, 대전류용 변압기의 동작 특성)

  • Kim, H.S.;Lee, H.Y.;Kim, J.R.;Huh, J.S.;Lee, J.H.;Kim, K.U.;Oh, Y.W.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2005.07c
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    • pp.1903-1905
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    • 2005
  • 다중 코어를 이용한 대전류용 고효율 변압기 개발을 위해 고주파 손실이 작고, 전기 비저항이 큰 자성재료와 최적의 코어 형상 및 권선 방법에 대한 연구개발과 최종적으로 고효율 다중 코어를 이용한 변압기를 개발하고 전원장치에 적용하여 동작특성을 평가하였다. 최소 손실 온도를 $90^{\circ}C$ 이하로 감소시켜 100 kHz에서 250kW/m3의 낮은 전력손실을 갖는 다중 코어를 이용하여 변압기를 제조하고, 제조된 변압기가 채용된 컨버터의 50A 출력 전류에서 측정된 변압기의 발열특성은 30분 이후 약 $58^{\circ}C$까지 증가하였으며, $30{\sim}80A$의 출력 전류에서 85% 이상의 고효율을 얻었다.

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Geophysical Investigation of the Subsurface in the Dok-do Island (물리탐사를 이용한 독도 지반조사)

  • Kim, Chang-Ryol;Park, Sam-Gyu;Bang, Eun-Seok;Kim, Bok-Chul
    • 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
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    • 2008.10a
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    • pp.125-130
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    • 2008
  • Electrical resistivity and seismic refraction surveys were conducted to investigate geologic structures and geotechnical characteristics of the subsurface in Dok-do island, along with rock physical properties. The resistivity results in Seo-do island show that the fault adjacent to the fisherman's shelter is a normal fault and extended towards the NW direction. Bedded Rapilli Tuff in the downstream was more severely influenced in depth by weathering and erosion than Trachy Andesite II in the upstream area. The physical properties of the rocks illustrate that Trachyte and Trachy Andesite are hardest, Massive Tuff Breccia is next, and Tuffs are the most soft rocks in Dok-do island.

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Developtment of Integrated Substrate with Highly Conductive Transparent Electrode and Light Extraction Layer and Its Applications for OLED Lighting (저저항 투명전극/광추출층 집적기판과 이의 OLED 소자 응용 기술 개발)

  • Jeong, Seong-Hun;An, Won-Min;Kim, Do-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2017.05a
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    • pp.161.1-161.1
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    • 2017
  • 최근 OLED기술을 조명에 응용하고자 하는 연구가 급증되고 있다. 이는 유연하고, 대면적 확장이 가능하며, 다양한 형태 구현에 있어 장점이 존재하기에 차세대 감성조명으로써 주목을 받고 있다. 고효율의 OLED 조명을 위해서는 저저항/고유연의 투명전극 소재의 개발을 통해 전기적 손실을 최소화해야하고, 광추출층의 적용을 통해 내부에서 생성된 빛을 외부로 잘 방출시켜 광학적 손실을 최소화해야한다. 이를 위해 많은 다양한 투명전극에 대한 연구와 광추출을 위한 방법에 대한 연구가 진행이 되고 있고, 두 가지 효과를 한번에 얻을 수 있는 집적기판에 대한 수요가 높아지고 있다. 본 연구는 인쇄공정과 플라즈마 공정을 통해, 미세배선이 함몰된 집적 기판을 개발하여 저저항/고유연 투명전극을 구현하였고 기판상 나노구조체 형성을 통해 광추출 효율을 기존에 비해 20% 이상 향상시킬 수 있었다. 이러한 기판은 향후 대면적 OLED 조명에 응용이 가능할 것이라 전망한다.

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The Effect of Metformin in Non-Obese Women with Polycystic Ovary Syndrome; Pilot Study (비만하지 않은 다낭성난소증후군 환자에서 메트포민 효용성의 예비 연구)

  • Kim, Hyeong-Ok;Kim, Kye-Hyun
    • Clinical and Experimental Reproductive Medicine
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    • v.35 no.3
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    • pp.223-229
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    • 2008
  • Objective: This pilot study was performed to investigate the effect of metformin on insulin resistance, hormone levels, and lipid profiles in non-obese patients with polycystic ovary syndrome. Methods: This study included 16 non-obese patients with polycystic ovary syndrome diagnosed at our hospital from June 2006 to September 2007. Blood samples were collected before and 6 months after metformin treatment for analysis of fasting serum glucose levels, fasting serum insulin levels, a glycemic response to 75 g oral glucose tolerance test (OGTT), and hormonal blood profile including FSH, LH, estradiol, testosterone, free testosterone, serum lipid profiles. Insulin resistance was estimated by calculating fasting glucose/insulin ratio (FGIR), 2 hr glucose/insulin ratio after 75 g glucose load. And we investigated insulin resistance and pancreatic beta cell function by calculating HOMA beta cell function and HOMA IR. Results: After the treatment of metformin, there was significant increase in 2 hr glucose/insulin ratio after 75 g glucose load (p=0.04) and decrease in HOMA IR (p=0.000). But serum lipid profiles did not change significantly. Also the metformin treatment induced a significant reduction in serum free testosterone and LH levels, and LH/FSH ratio (p=0.001, p=0.000, p=0.034). Conclusion: This pilot study showed that metformin might be effective in improving insulin sensitivity, ameliorating hyperandrogenemia in non-obese patients with polycystic ovary syndrome. Further investigations with larger number of patients and long-term observations are necessary to determine the role of metformin.

Study on the Tractive Characteristics of the Seed Furrow Opender for No-till Planter (무경운 파종기용 구절기의 견인특성에 관한 연구)

  • 나우정;김성래
    • Journal of Biosystems Engineering
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    • v.4 no.1
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    • pp.58-66
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    • 1979
  • 동력경운기용 두류의 무경운 파종기에 부착하여 사용하는 구절기중에서 소요견인력이 작고 구절작업정도가 양호한 구절기의 개발을 위한 기초자료를 얻기 위하여 구동식 토조에 인공강토를 채우고 원판형 및 호우형 구절기의 소요견인력과 이에 영향을 미치는 인자들의 관계를 구명코자 실내모형 확험을 실시하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 원판형 구절기에 대하여 직경별로 조립각을 $8^{\circ}$$16^{\circ}$, 경심을 3 cm 와 6cm로 변화시키면서 2.75cm/sec의 속도로 견인력을 측정한 결과 원판의 직경이 약 28cm인 경우에 견인력이 최소로 나타났고, 직경이 이보다 크거나 작은 때는 견인력이 증가하는 경향을 나타냈으며 비저항도 대체로 비슷한 경향이었으나 원판의 직경이 약 30cm 일 때 최소로 나타났다. 종자파종의 심도조절을 목적으로 작구심(3cm 및 6 cm)과 견인력과의 관계를 조사하였던바, 경심과 견인력과의 관계는 거의 직선적인 변화를 나타냈으며 견인력에 영향을 미치는 인자중에서 경심의 영향이 가장 컸음을 알 수 있었다. 일반적으로 조립각 미 주행속도에 별 영향없이 경심 3cm 및 6 cm 공히 견인력은 직경 약 28 cm에서 , 비저항은 약 30cm에서 최소의 값을 나타내었다. 파종기의 작업성능과 관계가 깊은 주행속도 및 파시의 조절을 목적으로 원판의 조립각과 주행속도가 견인력에 미치는 영향을 조사했던 바, 조립각과 주행속도가 증가함에 따라 모두 견인력이 증가하는 경향을 나타내었으나 견인력에 미치는 영향은 주행속도가 더욱 크게 나타났다. 원판형 구절기와 호우형 구절기를 비교하기 위하여 쐐기각이$16^{\circ}$ 이고 리프트 각이 $20^{\circ}$ 인 호우형 구절기와 조건이 비슷한 조립각$16^{\circ}$ 의 원판형 구절기의 견인특성을 비교한 결과 직경 30cm 인 원판형의 경우는 비저항이 0.35-0.5kg/$cm^2$인데 비해 호우형의 경우는 0.71-1.02kg/$cm^2$로 나타나 호우형의 견인저항력이 평균 2 배정도 크게 나타났고 작구상태고 원판형의 경우보다 불량하였다.

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Electrical and Optical Properties of CdS Thin Films Deposited by CSVT Method (CSVT법으로 제조된 CdS박막의 전기적 및 광학적 특성)

  • Park, Ki-Cheol;Shim, Ho-Seob
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.6 no.5
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    • pp.414-422
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    • 1997
  • CdS thin films with low resistivity and adequate transmittance in the visible region for the window of CdS/CdTe hetero junction solar cel1 were prepared by close spaced vapor transport(CSVT) method. The electrical and optical properties of the CdS thin films were investigated in terms of the deposition conditions, such as the substrate temperature, the working pressure, and the source temperature. The substrate temperature, the working pressure, and the source temperature for the optimum deposition of the CdS thin films were $300^{\circ}C$, 100mTorr, and $730^{\circ}C$, respectively. The resistivity and the transmittance of the CdS thin films deposited under this condition were about $7.21{\times}10^{3}{\Omega}cm$ and over 65%, respectively. The crystallinity, the resistivity, and optical band gap were improved greatly compared to the CdS thin films deposited by general high vacuum evaporation.

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The Fabrication and Characteristics of RTD(Resistance Thermometer Device) for Micro Thermal Sensors (마이크로 열 센서용 측온저항체 온도센서의 제작 및 특성)

  • Chung, Gwiy-Sang;Hong, Seog-Woo
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.9 no.3
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    • pp.171-176
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    • 2000
  • The physical and electrical characteristics of MgO and Pt thin-films on it, deposited by reactive sputtering and rf magnetron sputtering, respectively, were analyzed with annealing temperature and time by four-point probe, SEM and XRD. Under annealing conditions of $1000^{\circ}C$ and 2 hr, MgO thin-film had the properties of improving Pt adhesion to $SiO_2$ and insulation without chemical reaction to Pt thin-film, and the sheet resistivity and the resistivity of Pt thin-film deposited on it were $0.1288\;{\Omega}/{\square}$ and $12.88\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$, respectively. We made Pt resistance pattern on $SiO_2$/Si substrate by lift-off method and fabricated thin-film type Pt-RTD(resistance thermometer device) for micro thermal sensors by Pt-wire, Pt-paste and SOG(spin-on-glass). In the temperature range of $25{\sim}400^{\circ}C$, the TCR value of fabricated Pt-RTD with thickness of $1.0{\mu}m$ was $3927\;ppm/^{\circ}C$ close to the Pt bulk value. Resistance values were varied linearly within the range of measurement temperature.

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