• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.87.2-87.2
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• 2012

고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광 출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 및 1470 nm 인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핑용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 일례로 재료가공의 경우, 레이저 용접, 레이저 인쇄, 하드디스크의 레이저 텍스쳐링 등 그 응용분야는 무수히 많으며, 최근에는 미래 성장동력 사업의 하나로 중요한 이슈가 되는 태양전지에서 에지 분리 (edge isolation), ID 마킹, 레이저 솔더링 등에서 필수불가결한 광원으로 각광받고 있다. 808 nm 대역 In(Ga)AlAs quantum dots laser diode (QDLD) 성장을 위하여 In(Ga)AlAs QD active 와 In(Ga)AlAs QD LD 성장으로 크게 분류하여 여러 가지 test 실험을 수행하였다. 우선 In(Ga)AlAs QD LD 성장에 앞서 high power LD에 적용 가능한 GaAs/AlGaAs quantum well의 성장 및 전기 측정을 수행하여 그 가능성을 보았다. In(Ga)AlAs QD active layer의 효과적인 실험 조건 조절을 위해 QD layer는 sequential mithod (ex. n x (InGaAlAs t sec + InAs t sec + As 10 sec)를 사용하였다. In(Ga)AlAs QD active layer는 성장 온도, 각 sequence 별 시간, 각 source 양, barrier 두께 조절 및 타입변형, Arsenic flux 등의 조건을 조절하여 실험하였다. 또한 위에서 선택된 몇 가지 active layer 를 이용하여 In(Ga)AlAs QD LD 성장 조건 변화를 시도하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.1 no.2
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• pp.109-114
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• 1988

AlGaAs/GaAs 이종접합구조 레이저 다이오드의 활성층 두께를 변화시킬때 스트라이프폭과 광출력에 미치는 영향을 해석하였다. 안정된 단일발진 도파모우드를 위해서는 R>O되어야 함을 밝혔다. 고출력에서 캐리어분포와 이득분포에 대해 공간적 호울버닝 현상이 일어났고 이는 출력을 고정시키고 스트라이프폭만을 찬넬폭보다 크게 하여도 발생하였다.

• 전기의세계
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• v.49 no.1
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• pp.27-31
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• 2000

• The Optical Journal
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• v.14 no.2 s.78
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• pp.36-43
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• 2002

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.02a
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• pp.92-93
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• 2003

간섭계의 광원으로 현재 레이저를 주로 사용하고 있다. 이러한 간섭계용 레이저의 조건은 선폭(linewidth) 이 좁아야 하고, 중심 주파수가 안정화 되어야 한다. 특히 거리용 간섭계의 경우, 주파수 안정화되어 있는 레이저가 사용되어 측정 불확도를 낮춘다. 그러나 점차 다축을 측정하기 위한, 또는 보다 넓은 영역을 측정하기 위해서는 보다 높은 출력의 레이저를 요하고 있다. 그러나 현재의 간섭계용 레이저는 헬륨네온 레이저로서 단일 모드 기준으로 2 mW 이하의 출력을 보이고 있어서 응용 면에 있어서 제약을 받는다. (중략)

• Proceedings of the Korean Society of Laser Processing Conference
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• 1998.05a
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• pp.18-19
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• 1998

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.07c
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• pp.2430-2432
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• 2005

최근 다이오드 레이저의 파워가 높아짐에 따라 다이오드 레이저를 이용한 레이저 가공 공정이 많은 분야에서 응용되고 있다. 그러나 고출력 다이오드 레이저의 출력은 타원형의 빔이므로 정밀 공정이 어려워 원형의 빔으로 변환하여야 한다. 본 논문에서는 여러 가지 렌즈를 사용하여 설계를 시도하였으며 최적의 설계로서 anamorphic prism pair를 이용하여 타원형의 빔을 원형의 빔으로 바꾸는 광학계를 설계하였으며 원형빔의 크기를 축소하기 위해 beam size reducer를 설계하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.175-175
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• 2009

양자점 (quantum dot) 기반의 반도체 레이저 다이오드(laser diode)는 낮은 문턱전류와 높은 미분 이득 및 높은 특성온도 등과 같은 장점을 갖는다. 이러한 레이저 다이오드의 특성은 양자점 활성층 품질에 의해 큰 영향을 받기 때문에 고품위 양자점 성장에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 양자점 구조 성장시 발생하는 변형 (strain)은 레이저 다이오드의 문턱전류, 발진 파장, 내부양자효율 등과 같은 특성에 영향을 미치는 중요한 요소이다. 특히, 레이저 다이오드의 고출력 동작을 위해서는 양자점 적층 기술이 중요한데, 이때 양자점 활성층 영역에 많은 변형이 발생한다. 따라서, 양자점 성장후 변형을 감소하기 위한 변형 완화층(strain released layer)에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 변형 완화층 연구의 일환으로 비대칭 변형 완화층의 조성 및 두께 변화에 따른 양자점 파장 변화에 대한 연구를 수행하였다.

• The Optical Journal
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• v.12 no.1 s.65
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• pp.61-65
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• 2000

레이저 분야에서 각 제품군별로 국내 생산환경과 동향을 분석하고, 세계 시장 동향과 주력 아이템을 조사한 자료를 싣는다. 지난 호의 다이오드 여기 고체레이저 발진기, Lamp pumped 고출력 Nd:YAG 레이저 발생장치에 이어서 이번 호에는, 레이저 마이크로 머시닝, 암치료를 위한 레이저기기에 대해 다룬다. 한국광학기기협회가 주관하여 진행한 '레이저 발진기 및 응용시스템 기술개발에 관한 연구'의 기초 조사 자료 가운데 간추렸다. 이 자료는 조사처를 게

• The Optical Journal
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• v.11 no.6 s.64
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• pp.39-43
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• 1999

레이져 분야에서 각 제품군별로 국내 생산환경과 동향을 분석하고, 세계 시장 동향과 주력 아이템을 조사한 자료를 2회로 나누어 싣는다. 다이오드 여기 고체레이저 발진기, Lamp pumped 고출력 Nd:YAG 레이저 발생장치를 이번 호에 레이저 마이크로 머시닝, 암치료를 위한 레이저기기, 레이저마킹기를 다음 호에 다룬다. 한국광학기기협회가 주관하여 진행한 '레이저 발진기 및 응용시스템 기술개발에 관한 연구'의 기초 조사 자료 가운데 간추렸다. 이 자료는