• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 추계학술대회 논문집
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• pp.564-567
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• 2004

In the manufacture of integrated circuits, photolithography is the lowest yield step in present production lines. Electron beams form a powerful set of tools with which to attack this problem. Electron beams can be used to make patterns that are smaller than can a photolithography. We design a high voltage generator of electron beam manufacturing system. For this purpose, first, the configuration of electron beam manufacturing system was analyzed. Second, the basic configuration of a high voltage generator and test results were presented.

• Applied Microscopy
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• 제34권1호
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• pp.51-59
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• 2004

주사전자현미경(SEM)에서 전자를 발생시키는 전자총 부분의 고압발생 장치를 설계 제작하고 그 안정성을 시험하였다. 고전압을 발생시키는 switching 주파수는 고압트랜스의 1차 측 임피던스와 인덕턴스에 matching 되는 주파수에서 최적의 전압 안정도가 유지되었다. 1차 측의 고압트랜스의 turn 수가 적으면 인덕턴스가 낮으므로 최적적인 matched switching 주파수가 높은 쪽으로 올라간다. 최대 출력 전압은 -30 kV 이상 출력되었으나 안정도는 출력전압이 -5 kV에서 10 kV 범위에서 가장 좋게 나타났다. 23.8 kHz에서 출력파형의 흔들림 없었고 DC 고전압 출력 또한 최고의 안정도을 보였다. 이때 도출된 전압 안정도는 ${\pm}0.002%$였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1862-1865
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• 2005

We have a plan to design a controller for electron beam manufacturing system. At first, we designed a controller for SEM. The controller consists of five parts (power source, beam controller, scanning controller, optic controller and main controller). Beam controller supplies pulse wave for generating high voltage and can monitor the status of high voltage instrument through emission current. Optic controller controls focus, spot size and image shift. Main controller transmits variables from operating program to each part and monitors the status of peripheral device.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.104-104
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• 2013

고분자이면서 유전체인 Poly-Tetra-Fluoro-Ethylene (PTFE) 튜브에 AC형 고전압을 인가하여 유전체 장벽 방전 (dielectric barrier discharge, DBD)를 유도하고, 발생된 마이크로 플라즈마에 의한 PTFE 튜브 내벽의 표면 개질에 관한 연구이다. 가스인입과 진공배기가 가능한 장치에 PTFE 튜브를 연결하고, 튜브내부를 진공상태를 유지하면서 반응가스를 이용하여 튜브 내벽을 표면개질 하였다. 반응가스를 아르곤, 수소, 아세틸렌, 산소, 질소를 반응 단계에 맞게 혼입하여 마이크로 플라즈마를 발생시켜 플라즈마에 의한 표면변화를 관찰하였다. 표면은 반응성 가스 플라즈마에 의해 물리 화학적 반응이 일어나 고분자 표면의 반응성 활성화를 통한 표면개질의 방식으로 진행되었다. 표면 개질된 튜브 내벽 표면에 대해 XPS, FT-IR, SEM, 접촉각 측정과 분석 실시함으로써 표면변화를 관찰하였다.