• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.11 no.10
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• pp.790-795
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• 1998

Fabrication of inverted staggered power TFT devices and electrical characteristic were investigated. 16 fingers with drain and source electrode of TFT and 100V output voltage were designed successfully. It is observed that as $V_g$ increased, $I_d$ increase exponentially. Because of localized deep states of a-Si, $I_d$ shows irregular variation at low voltage. Output and transfer characteristic showed the same as typical variation. But electrical characteristic strongly depend on the channel length and thickness of silicon nitride and amorphous silicon.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.6
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• pp.558-563
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• 1996

We fabricated high voltage hydrogenerated amorphous silicon thin film transistors (a Si:H HVTFT) and investigated its temperature dependent characteristics of from 303 K to 363 K. The results show that the drain current was decreased at low gate voltage and increased at high gate voltage exponentially. According to the increasing the thickness of a Si layer, drain current increased. Difference of drain current at 363 K was increasd at the lower gate voltage and decreased at the higher gate voltage. When the drain and gate voltage of 100 V applied, the drain current increased linearly with rise temperature.

• KIPE Magazine
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• v.14 no.1
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• pp.21-25
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• 2009

전력반도체소자는 1947년 트랜지스터의 출현으로 반도체시대가 도래한 이후 사이리스터, MOSFET 및 IGBT 등으로 발전하였다. 개발당시에는 10A 정도의 전류처리 능력과 수백V 정도의 진압저지능력을 가지고 있었지만, 현재에는 정격전류로는 약 8,000A, 정격전압으로는 무려 12kV 급까지 발전되었다. 그러나 전력반도체 소자의 대부분은 실리콘을 윈료로 제작되고 있으며 현재 실리콘의 물성적 한계에 직면하여 고전압, 저손실 및 고속 스위칭화에 대한 새로운 도전이 시작되고 있다. SiC 전력용 반도체는 실리콘 반도체의 이론적 물성한계를 극복할 수 있는 소재로서 80년대 이후 각광받아 왔다. 하지만 대구경의 단결정 웨이퍼 및 저결함의 에피박막의 부재로 90년대 중반까지는 가능성 있는 재료로서만 연구되었다. 90년대 중반 단결정 웨이퍼가 상용화된 이후 단결정 웨이퍼의 대구경화 및 저결함화가 급속히 진전되어 전력용 반도체 소자의 개발도 활기를 띄게 되었다. 본 기고에서는 탄화규소 반도체소자의 기술동향에 대해 소개하고자 한다.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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• v.43 no.2
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• pp.312-317
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• 1994

We studied the fabrication and electrical characteristics of high voltage hydrogenerated amorphous silicon thin film transistor using plasma enchanced chemical vapor deposition(PECVD). The device shows 2500${\AA}$ SiOS12T, 400-1500${\AA}$ a-Si tickness, 350V output voltage and 9.55${\times}$10S04T average on/off current ratio. We found that the leakage current of high voltage TFT occurred 0-70V drain voltage. As the leakage current depend on the a-Si thickness, the leakage current of high voltage TFT decreased by reduction of the a-Si thickness.