고온 초전도체를 이용한 전력기기들은 변압기, 한류기 등의 정지기기의 형태와 회전기로서는 동기발전기, 벌크형 전동기, 동기전동기 등에 개발되고 있다. 이중 회전기에서 고온초전도를 이용한 유도전동기의 개발은 국내외적으로 미비한 실정이다. 본 논문에서는 고온초전도체를 이용한 농형 유도전동기의 제작 및 시험을 통하여 기본특성을 확인하였다.
본 연구에서는 초전도의 전반적인 시장규모, 에너지 분야에서의 고온 초전도 연구 진척 내용, 마지막으로 저온 초전도체의 기술현황을 토대로 저온을 고온 초전도체로 대체 시 이에 따른 대체 효과를 비교 분석하고자 하였다. 하지만 고온 초전도체에 관한 기술적 문제가 아직 많은 문제로 제기되고 있어 정확한 기술적 판단에는 아직 상당히 미흡하다고 여겨진다. 또한 초전도를 이용한 에너지 응용범위가 너무 광범위하여 본고에서는 대표적 응용분야 몇 가지만 소개하고자 한다. 참고로 4K와 77K의 차이점을 평가할 때의 기준은 자기장과는 무관하게 임계전류밀도를 77K에서 $10-^5$$cm^2$으로 가정 실시한 것이다.
현재 고온 초전도 응용에서 실용화가 높은 분야의 하나로 인식되고 있는 고온 초전도 안테나는 단지 연구개발방안만 제시된 기초단계로서 구체적인 연구는 거의 이루어지지 않고 있다. 더우기 기존의 기술로도 해결할 수 없는 일반 안테나의 몇가지 문제점 때문에 기술개발에 어려움이 있다. 정보산업의 급속한 발달과 함께 각종 정보가 범람하고 신속한 통신을 위한 첨단 통신 장비의 사용도 빈번해지므로 우리가 쓸 수 있는 주파수의 영역은 제한을 받게 되고 특히 이동통신 장비의 경우 전파특성 및 안테나크기등에 의하여 가용주파수의 제한은 더욱 심각해질 수 밖에 없다. 따라서 이러한 제약조건들을 극복하고 안테나의 소형화, 경량화, 고효율화 및 잡음대 신호비를 개선하기 위해서는 고온 초전도체의 이용이 절실히 요구된다. 또한 양질의 고온 초전도 박막을 이용한 우수한 박막형 안테나 개발은 차세대 정보통신의 핵심기술로 자리 잡아갈 것이 분명하므로 이 분야에 참여함으로써 높아만 가는 선진국의 고온초전도 기술 장벽에 대처할 수 있을 뿐만 아니라 고온 초전도체 안테나 개발과정에서 나타나는 수동소자의 개발 파급효과는 국내의 초전도 기술 산업에 커다란 영향을 미칠 것이다.
고온초전도체의 전자응용 예를 들면, 죠셉슨접합과 같은 diode-type 의 초전도소자 뿐만 아니라 반도체 트랜지스터와 같은 고온초전도 삼단자소자의 개발 및 실용화를 위해서 해결해야 할 당면문제는 많다. 그 중에서 특히, 실리콘 기판위에 고온초전도 단결정박막을 성장시키는 것과 양질의 유전체 buffer층을 제조하는 것등이 있다. 초전도체/반도체구조에서 초전도전자쌍은 근접효과에 의해 반도체속으로 확산되어 가며, 이러한 현상을 이용하여 초전도 트랜지스터와 초전도 전자파소자와 같은 신기능 초전도소자를 구현할 수 있다. 그리고 이들 소자의 동작원리는 반도체속에서의 초전도 파동함수(질서파라미터)의 제어에 기초를 두고 있다. 고온초전도 일렉트로닉스를 겨냥하며, 중요한 응용으로서 거론되고 있는 분야는 1) one-wafer computer의 꿈을 실현하기 위한 기반기술로 꼽고 있는 초전도배선연구, 2) 성능에서 반도체소자를 능가하는 초전도소자, 3) 21세기를 전망하면서 집적회로 연구자들의 타깃이 되고 있는 초전도집적회로 및 일렉트로닉스, 그리고 4) 광범위한 응용이 기대되는 초정밀 센서인 SQUID 소자 등이 있다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.06a
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pp.269-270
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2006
이 논문에서는 고온초전도체로 제작된 위성통신용 고온초전도 3dB 커플러에 대하여 보고한다. 커플러 제작에 사용된 초전도체는 MgO 기판위에 증착된 YBCO 고온초전도 박막이었다. 중심 주파수는 408 MHz 대역폭은 위성통신 기지국용 전력 결합기가 안정적으로 동작하도록 15 MHz의 광대역을 설정하였다. 설계를 위해 기존의 분포정수로회로를 ABCD Matrix를 이용해서 집중정수 회로로 전환하였고, 컴퓨터 모의실험을 위해 em Sonnet 상업용 프로그램을 사용하였다. 컴퓨터 모의 실험시 초전도체의 저항은 0으로 하였고, 기타 유전손실은 없는 것으로 가정하였다. 측정결과 우수한 대역폭 특성을 보여주었지만, 대체적으로 12 MHz의 대역폭이 측정되었으며 이는 설계시 모멘트 법 적용에 따른 계산 셀의 정밀도에서 기인하는 것으로 보이며 좀더 세밀한 계산 셀을 사용할 경우, 정확한 계산이 가능할 것으로 판단된다.
고온초전도체의 기본적인 것은 이미 국내외 학술지에 여러번 소개되었으므로, 본고에서는 초전도재료 연구의 동향과 문제점을 살펴보겠다. 최근에는 실온초전도체도 보고되고 있으나, 아직 미확인된 상태이므로, 여기서는 주로 임계온도T$_{c}$가 98.deg. K로 알려진 $Ba_{2}$YCu$_{3}$Ox계 재료에 관하여 논하고자 한다.
초전도 한류기는 전기 회로에 사고 발생시 대단히 빠르게 임피던스를 발생시켜 고장전류를 제한한다. 여러 종류의 고온초전도체가 한류기용 도체로 활용되고 있는데, 도체의 종류에 따라 다양한 종류의 초전도 한류기가 제안 및 개발되고 있다. 그 중 저항 스위치형 한류기는 다른 형식에 비해 작고, 간단하고, 필경 값이 싸다. 저항 스위치형 한류기는 통전 전류가 임계전류(Ic) 초과시 초전도체가 상전도체로 전이(quench)할 때 대단히 빨리 저항이 발생함을 이용하는 수동소자이다.(중략)
본 고에서는 초전도에 관한 학문적 연구내용의 추이와 그 응용기술의 개발내용을 간략히 살펴보았다. 고온 초전도의 형성원리에 대한 학문적 관심과 응용기술 개발사이의 괴리를 이해하려는 노력의 일환으로 고온 초전도체를 주대상으로 한 각종 연구결과들을 소개하면서 순수학문과 공학기술과의 긴밀한 연관성을 찾았다. 전자와 정공의 도핑 대칭성을 확립한 Nd-Ce-Cu-O의 발견은 물성의 정확한 이해에 기초한 성공이었고, 산화물 고온 초전도체들의 전자쌍 파동함수의 대칭성에 관한 논의들에서 최근 연구의 주종을 이루고 있는 Josephson-coupling과 Photoemission등의 직관적인 결과를 주는 측정 실험들은 고도의 첨단기술과 죠셉슨 접합 등의 새로운 초전도 물성개념의 정확한 이해를 요하는 연구들이었다. 이러한 새로운 초전도 개념들의 토대위에 현 응용분야들의 추세를 대략 살핌으로써 부실하나마 미래의 차원 높은 수요에 대비한 학문적, 기술적 준비를 시도해 보았다.
다수본의 Bi-2223테이프로 구성되는 초전도전력케이블에서 발생되는 교류손실은 케이블의 효율을 저하시킬 뿐만 아니라 냉동기비용 증가로 인한 기존 케이블과의 가격경쟁에서 경제성을 저하시키는 주된 요인으로 작용하기 때문에 이의 상용화에 앞서 교류손실에 대한 정확한 규명이 되어야 한다. 그러나 다수본으로 구성되는 고온초전도전력케이블의 교류손실을 올바르게 평가하는 것은 테이프의 상이한 임계전류, 전압리드의 배열, 전류분포의 불균일성 및 인접한 테이프에 흐르는 전류위상 상이 등 복잡한 영향인자 때문에 매우 난해하다. 이와 같은 교류손실 평가와 관련된 복잡한 문제들을 규명하기 위해 다수본의 고온초전도도체 샘플을 제작하였으며 그 손실 특성을 실험적으로 조사 및 검토 하였다. 그 결과 다수본 고온초전도도체의 측정된 교류손실은 Monoblock모델 이론값 및 다각형모델에 근거한 수치해석 결과와도 상이함을 알 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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