개구결합으로 급전되는 마이크로스트립 안테나 구조에 대해, 접지면과 패치사이의 간격에 따라 ‘cavity'형과 ’parasitic'형의 두 가지 결합 메커니즘으로 나눌 수 있음을 이론적, 실험적으로 제시하였으며, 보다 단순한 급진구조로서 gap-결합 급전 마이크로스트립 안테나구조에서도 유사한 현상이 나타남을 확인하였다. 이러한 두 가지 결합메커니즘의 특징적 차이에 대하여 논의하였다.
영역지향 프로그래밍(Aspect-Oriented Programming)은 소프트웨어의 성능을 향상시키고 유지보수에 많은 이점을 가지는 새로운 프로그래밍 방법론이다. 하지만 영역지향 프로그래밍 방법으로 소프트웨어를 개발하기 위해서는 Aspect를 지원하는 새로운 영역지향 프로그래밍 언어를 사용하거나 레거시 시스템에 Aspect를 적용할 경우에 소스코드의 재 컴파일등과 같은 문제점을 가지고 있다. 이에 본 논문에서는 레거시 시스템에 Aspect를 동적으로 결합할 수 있는 동적결합 메커니즘을 제안한다. 이를 위하여 Aspect의 행위와 결합 정보를 가지는 Connector를 생성하고, 생성된 Connector는 코어클래스의 위임자로서 역할을 수행하게 되는 동적결합 가능하게 하는 메커니즘을 제안한다.
플라즈마 내의 전자 에너지 분포는 방전 특성 및 전자 가열 메커니즘에 대한 정보를 줄 수 있을 뿐만 아니라, 소자 생산 공정에서 공정 조건 제어 및 소자 품질 향상에 중요한 역할을 하는 변수이다. 그에 따라서, 반도체공정에서 널리 쓰이는 유도 결합 플라즈마 또는 용량성 결합 플라즈마 장치의 외부 변수에 따른 전자 에너지 분포 변화에 대한 연구가 많이 진행되어왔다. 본 연구에서는, 극판 전극이 인가된 유도 결합 플라즈마 구조에서 낮은 압력의 아르곤과 산소 기체 방전에 대하여 전자 에너지 분포를 측정하였다. 극판 전압만이 인가되었을 경우에는 두 개의 온도를 갖는 전자 에너지 분포를 측정하였으나, 소량의 안테나 전력을 인가할 경우 하나의 온도를 갖는 전자 에너지 분포를 측정할 수 있었다. 이러한 분포함수의 급격한 변화는 유도 결합 전기장과 용량성 결합 전기장의 혼재에 따른 전자 가열 효과이며, 극판에서의 전압, 전류 그리고 위상 측정을 통하여 전자 가열 메커니즘을 확인하였다.
진공을 기초로 한 다양한 반도체 식각 공정에서 RF bias가 결합된 유도 결합 플라즈마 소스는 널리 사용되고 있다. 하지만, 대부분의 연구는 RF bias에 의한 자기 바이어스 효과에만 한정되어 있으며, 공정 결과와 소자 품질에 결정적인 역할을 하는 플라즈마 변수들(전자 온도, 플라즈마 밀도)과 RF bias의 상관관계에 대한 연구는 거의 없는 실정이다. 본 연구에서는 RF bias가 플라즈마 변수에 미치는 영향과 비충돌 전자 가열 메커니즘의 실험적 증거에 관한 연구를 진행하였다. 플라즈마 밀도는 RF bias에 의하여 감소 또는 증가하였으며, 이러한 결과는 Fluid global model에 의한 계산과 잘 일치하는 결과를 보였다. 전자 온도는 RF bias에 의하여 증가하였으며, 적은 RF bias 전력에서는 플라즈마 전위에 갇혀있는 낮은 에너지 그룹의 전자들의 가열이 주가 되었으나, 큰 RF bias 전력에서는 높은 에너지 그룹의 전자들의 가열이 주가 됨을 관찰하였다. 이는 높은 에너지 그룹의 전자 가열 메커니즘이 anomalous skin effect에서 collisionless sheath heating으로 전이되는 것을 나타내며, bounce resonance heating이 RF bias의 전자가열에 중요한 역할을 함을 보여주는 실험적 근거이다. 플라즈마 밀도의 공간 분포는 RF bias의 인가에 의하여 더욱 균일함을 보였으며, 이는 (electro-static and electro-magnetic) edge effect에 의한 영향으로 해석될 수 있다. 이러한 RF bias와 플라즈마 변수들의 상관관계 및 전자 가열 메커니즘에 대한 연구는 방전 특성의 물리적 이해뿐만 아니라, 반도체 식각 공정에서 소자 품질 및 공정 개선을 위한 최적의 방전 조건 도출과 외부 변수 제어에 큰 도움을 주리라 예상된다.
SCTP(Stream Control Transmission Protocol)는 새로운 전송계층 프로토콜로 TCP와 UDP의 장점을 결합한 대체 프로토콜로 기대되고 있다. 다양한 환경에서의 연구와 함께 SCTP에서 보안서비스를 제공하는 보안메커니즘에 관한 연구도 활발히 진행되고 있다. SCTP를 위한 E2E 보안메커니즘은 대부분 4계층 이상에서의 보안서비스를 결합한 방식으로 제안되고 있으며, IP계층에서의 보안을 위한 IPSEC은 멀티호밍의 특성을 적절히 지원하지 못하고 있다. 그래서 IP계층에서의 IP주소인증 및 IP패킷의 보안서비스 제공을 위한 보안메커니즘이 요구된다. 본 논문에서는 멀티호밍의 SCTP에서 각 IP주소를 인증하고 비밀키를 공유하는 인증메커니즘을 제안한다.
플랜지된 평행 평판 도파관의 슬릿을 통한 전자기적인 결합문제를 고려하였다. 결합 슬릿 근처 도파관 내 $.$외부의 무효전력을 반영한 슬릿의 등가 어드미턴스를 구하고, 슬릿의 폭이 매우 좁은 경우에서의 최대결합 메커니즘을 규명하였다. 도파관의 높이, 슬릿의 폭 및 슬릿의 변위 등과 같은 구조적인 파라미터들이 복사 특성에 미치는 영향을 관찰하였다.
중성입자빔 입사장치(neutral beam injection, NBI)의 중성빔 에너지 효율은 이온원의 수소 이온밀도 분율이 결정한다. 이온원에서 만들어진 $H^+$, $H_2^+$ 그리고 ${H_3}^+$는 중성화 과정(neutralization) 중 해리(dissociation) 때문에 각각 입사 에너지의 1, 1/2 그리고 1/3을 가진 중성입자가 된다. 중성빔 에너지 효율 제고하기 위해서는 이온원의 전체 이온 중 단원자 수소 이온 밀도 증가가 필요하다. 유도결합형 수소 플라즈마 이온원에서 RF 안테나 주파수에 따른 플라즈마 밀도와 단원자 수소 이온 밀도 비율 변화를 관찰하였다. RF 플라즈마에서 가스 압력이 결정하는 전자의 운동량 전달 충돌 주파수 대비 높은 RF 안테나 주파수(13.56 MHz)와 낮은 RF 안테나 주파수(수백 kHz)의 전력을 인가하였으며, Langmuir 탐침, 안테나 V-I 측정기 그리고 QMS(quadrupole mass spectrometer)을 이용하여 플라즈마 특성을 진단하였다. 플라즈마 밀도와 수소 이온 밀도 분율은 플라즈마 가열 메커니즘과 수소 플라즈마 내 반응 메커니즘에 의해 결정된다. 플라즈마 가열 메커니즘에 따른 실험 결과에 대한 RF 안테나 주파수 효과는 플라즈마 트랜스포머 회로 모델을 통해 해석하였으며, 수소 플라즈마 내 반응은 0-D 정상 상태의 입자 및 전력 평형 방정식 결과로 해석하였다.
본 실험 연구에서는 주의 메커니즘과 컨볼루션 신경망을 결합하여 모델을 개선하는 방법을 탐색하는 딥 러닝 기술을 소개한다. 이 기술은 지도 학습 방식을 위해 공개 데이터 세트의 쓰레기 분류 데이터를 사용하고, Grad-CAM 기술과 채널 주의 메커니즘 SE 를 적용하여 모델의 분류 의사 결정 과정을 더 잘 이해하기 위해 히트 맵을 생성한다. Grad-CAM 기술을 사용하여 히트 맵을 생성하면 분류 중에 모델이 집중하는 영역을 시각화할 수 있다. 이는 모델의 분류 결정을 설명하는 방법을 제공하여 다양한 이미지 카테고리에 대한 모델 결정의 기초를 더 잘 이해할 수 있다. 실험 결과는 전통적인 합성곱 신경망과 비교하여 제안한 방법이 쓰레기 분류 작업에서 더나은 성능을 달성한다는 것을 보여준다. 주의 메커니즘과 히트맵 해석을 결합함으로써 우리 모델은분류 정확도를 향상시킬 수 있다. 이는 실제 응용 분야의 이미지 분류 작업에 큰 의미가 있으며 해석 가능성에 대한 딥 러닝 연구 진행을 촉진하는 데 도움이 된다.
본 논문에서는 Kerberos 인증 메커니즘과 Kerberos에 공개키기반의 환경을 결합시킨 PKINIT, PKTAPP, PKCROSS을 비교 분석하였다. 각 인증 메커니즘에서 키 교환을 위환 비밀키 및 공개키의 암 복호화, 서명 및 서명검증 등의 횟수를 분석하고 이를 기반으로 실제 인증에 소요되는 연산시간을 비교하였다. 분석 방법 및 견과를 다양한 환경에 적용한 적절한 인증 메커니즘을 선택하는데 활용할 수 있으며, 특히 모바일과 같은 연산능력이 제한되는 환경에 적합한 인증 기법 개발에 적용시키고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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