• 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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• 한국벤처창업학회 2021년도 추계학술대회
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• pp.27-32
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• 2021

정부는 더불어 잘사는 경제, 성장의 과실이 국민 모두에게 골고루 돌아가는 경제를 국정과제로 제시하면서 역동적인 벤처창업 생태계를 만들기 위해 창의적인 벤처기업과 혁신적 창업자 육성을 중점 추진하고 있다. 정부의 다양한 노력에 힘입어 벤처투자금액 및 기술창업기업이 지속적으로 증가하는 등 벤처창업 생태계가 지속적으로 개선되고 있으나 COVID-19 이후 성장률이 급격히 낮아지고 청년층의 실업률이 급등하는 등 우리 경제는 저성장 국면이 장기화되고 있는 상황이다. 경제의 성장 활력을 증진시켜 부가 가치를 높이기 위해서 벤처창업기업의 혁신과 성장을 통한 일자리 창출이 당면과제로 부각되고 있고 특히 4차 산업혁명 환경에서 글로벌 경쟁력을 갖춘 혁신형기업의 중요성이 더욱 높아지고 있는 상황에서 우리 경제의 당면 과제인 성장잠재력 회복과 일자리 창출을 위해서는 기술 기반 중심의 벤처창업의 활성화가 가장 효과적인 방안으로 제시되고 있다. 본 연구에서는 벤처창업기업의 혁신과 성장을 위한 정부의 다양한 육성시책을 고찰하고 기술 기반 벤처창업기업의 생존과 성장, 및 일자리에 미치는 특성을 분석하였다. 또한 본 연구 결과를 바탕으로 벤처투자금액이 지속적으로 증가하고 있는 상황에서도 민간 금융기관 입장에서 벤처창업기업이 여전히 고(高)위험-저(低)수익 대상으로 여기고 있는 벤처투자시장의 구조적 문제점을 해결하기 위한 정책 대안을 제시하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.178-178
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• 2013

고체내의 결함을 분석하기 위한 장비로는 대표적으로 DLTS (deep level transient spectroscopy)를 이용하여 깊은 준위 결함의 활성화에너지를 구하는 분석법, 투과전자현미경을 이용한 박막의 결정살창 분석법, photoluminescence나 electroluminescence를 이용하여 광학적인 방법으로 결함을 분석하는 방법, 마지막으로 광전류 측정을 통하여 결함을 분석하는 방법 등이 있다. 이 중에서도 빛에 의해서 증가되는 광전류를 이용한 결함 분석 방법은 과거에는 종종 시행되어 왔으나 최근에는 거의 연구되어지고 있지 않고 있다. 고체 내의 많은 결함들이 빛에만 반응하는 결함도 있으며 전기적인 측정을 통해서만 발견되는 결함이 존재하기 때문에 모든 부분을 다 만족시키는 방법은 찾기가 힘들다고 알려져 있다. 한편, ZnO는 octahedral 구조로 공간이 비어있기 때문에 여러 가지 결함이 존재하는데, 그 중에서 valence band 바로 위 0.3~0.5 eV에 존재하는 결함 준위는 Zn 빈자리에 의한 결함으로 이론적으로만 밝혀졌을 뿐 실험적으로는 현재까지 발견되어지고 있지 않다. 본 연구에서는 광전류를 이용하여 n-ZnO/p-Si과 n-ZnO/p-GaN p-n 접합 다이오드 내의 결함에 대한 연구를 진행하였다. ZnO를 UHV 스퍼터링 방법으로 성장하였으며 ZnO의 결함의 양을 조절하기 위해 박막의 두께와 증착할 때의 기판 속도 등을 조절하였다. 이렇게 성장된 ZnO 기반의 다이오드를 광전류 측정을 이용하여 결함을 분석하였다. 실험결과 420 nm 파장의 빛을 다이오드에 주사하였을 때 광전류가 크게 증가하는 것을 확인하였으며 이것은 이론적으로만 주장되어져 왔던 Zn 빈자리 결함에 의한 것으로 판단되었다.

• 한국산림과학회지
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• 제104권4호
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• pp.677-684
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• 2015

이 연구에서는 과거 임산업의 성장과정을 분석하고 임산업의 성장회계분석을 통하여 투입요소별 성장기여도를 분해한 후 향후 임산업의 잠재 성장률을 전망하였다. 이 연구에서 나타난 임산업의 성장요인 분석결과를 토대로 궁극적으로는 임산업의 지속적인 성장을 위한 방향을 제시하였다. 외환위기 이후 경제의 빠른 회복과 함께 우리나라 임산업은 2000년 이후 성장률이 안정되었다. 그러나 과거 임산업은 노동과 자본의 투입에 기초한 성장을 하였다면, 2000년 이후에는 임산업의 성장은 자본 투입의 증가에 의해 주도되었다. 성장회계분석을 통해 잠재 성장률을 추정한 결과, 2012년부터 2020년의 기간 동안 임산업 생산액 평균성장률은 1.65%이며, 이에 대한 노동과 자본, 총요소생산성의 기여도는 각각 0.08%, 1.58%, -0.01%로 나타났다. 또한 이러한 성장 추세를 따른다고 가정한다면 2020년 임산업 총생산액은 약 36.25조 원에 이를 것으로 기대된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권4호
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• pp.145-150
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• 2014

3차원적 선택적 결정 성장 방법에 의해 GaN stripe 구조의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드를 성장하였다. GaN stripe의 꼭지점 부분의 $SiO_2$ 만을 최적화된 포토리소그라피 공정을 이용하여 제거하고 이를 선택적 결정 성장을 위한 마스크로 사용하였다. $SiO_2$가 제거된 꼭지점 부근에만 Au 금속을 증착하고, metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) 방법에 의해 GaN stripe의 꼭지점 부분에만 GaN 나노로드의 선택적 성장을 실시하였다. GaN 나노로드의 형상과 크기는 결정 성장 온도와 III족 원료의 공급량에 의해 변화가 있음을 확인하였다. Stripe 꼭지점에 성장된 GaN 나노로드는 단면이 삼각형형태를 가지고 있으며 끝으로 갈수록 점점 폭이 좁아지는 테이퍼 형상을 가지며 성장되었다. TEM 관측 결과, 매우 좁은 영역에서만 선택적 결정 성장이 이루어졌기 때문에 GaN 나노로드에서 관통전위(threading dislocations)는 거의 관찰되지 않음을 확인하였다. 선택성장이 시작되는 부분의 결정면과 GaN 나노로드의 성장방향의 결정면 방향의 차이에 기인하는 적층결함(stacking faults)들이 GaN 나노로드의 중심영역에서 생성되는 것을 관찰할 수 있었다.

• 대한치과교정학회지
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• 제26권5호
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• pp.601-611
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• 1996

교정치료에 있어서 악안면 성장의 양상은 진단과 치료계획 수립에 있어서 매우 유용한 자료이며 교합의 달성 및 안모의 형태, 발육에 많은 영향을 미친다. 따라서 성장유형의 분류에 대한 많은 연구가 있었으며 성장예측을 위한 많은 시도가 있었다. 이에 본 연구에서는 성인 120명을 대상으로 치료전 측모두부계측 방사선사진을 이용하여 전안면고경에 대한 후안면고경의 비를 측정하여 $56\%-62\%$는 시계방향 성장군(36명), $65\%-80\%$는 반시계방향 성장군(43명)으로, 그리고 $62\%-65\%$는 정상군(41명)으로 분류하고 이에 따른 하악이부의 형태와 돌출정도 평가를 시행한 결과 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 남녀 하악이부 형태비교에 있어서는 남자가 여자보다 이부의 높이와 돌출정도가 크게 나타났다. 2. 시계방향 성장군이 반시계방향 성장군에 비해 하악이부의 Height, H/D ratio, Actual length는 크게 나타났고, Depth, Angle, effective length, E/A ratio는 작은 값을 나타냈다. 3. 악안면 성장양상에 있어 이부의 돌출정도가 작을수록 시계방향성장 경향을 나타내며, 돌출정도가 클수록 반시계방향성장 경향을 나타냈다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.260-260
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• 2010

OTFT소자는 각 박막계면간의 접촉성에 따라 그 성능이 좌우 된다는 것은 널리 알려진 사실이다. 즉 박막계면간의 접촉성 저하는 계면간의 결함을 형성하여 OTFT소자 성능을 저하시킨다. 이러한 결함을 고품질의 자기조립단분자막을 제작함으로써 박막계면간 결함을 최소화 할 수 있다. 이러한 고품질의 자기조립단분자막 형성은 박막계면간의 결함을 최소화 하기때문에 고성능OTFT소자 제작시 박막계면간 접촉성 향상에 효율적으로 적용할 수 있을것이다. 이 논문에서는 계면간의 접촉성 향상을 위해 실리콘 웨이퍼 위에 3-Aminoproplytriethoxtsilane과 용매인 무수톨루엔을 이용하여 고품질의 자기조립단분자막을 제작 하였으며 고품질을 자기조립단분자막 성장 조건을 찾기 위해 엄격한 수분조절 및 APS농도, 담근시간, 온도를 조절하여 각기 다른 조건의 샘플을 제작하였다. 또한 APS성장 분포를 알기위하여 접촉각 측정기를 이용하여 접촉각을 측정 하였고 AFM 이용하여 실리콘 웨이퍼에 생성된 박막의 균질도를 측정하였다. 그 결과 APS농도(33%) 24시간 $25^{\circ}C$, APS농도(33%) 24시간 $70^{\circ}C$, APS농도(33%) 72시간 $25^{\circ}C$, APS농도 (33%) 72시간 $70^{\circ}C$ 샘플이 기존에 알려진 APS 접촉각인 $19^{\circ}C{\sim}21^{\circ}C$ 접촉각이 나왔으며 AFM 이미지 또한 높은 균질도를 보였다. 이 결과 고품질의 APS단분자막은 농도와 시간 그리고 온도에 영향은 받으며 이렇게 완성된 단분자막은 높은 균질도를 가지게 된다. 현재 실험을 통해 얻어진 고품질의 자기조립단분자막 성장 조건을 이용하여 OTFT소자 제작하고 있으며 고품질의 자기조립단분자막 형성에 의해 결함을 최소화 하므로써 박막계면간 옴성결합을 형성하여 OTFT소자의 성능 향상이 기대되어 진다.

• 기술혁신연구
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• 제31권1호
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• pp.105-148
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• 2023

본 논문은 Schumpeter의 기술변화 3단계 개념에 기초해서 기술진보가 실질경제성장에 기여하는 정도를 측정하는 새로운 방법을 제시한다. 통계청 광업제조업조사 마이크로데이터를 이용해서 2003-2018년 기간 동안 기술진보의 실질 성장기여 정도를 총요소 생산성 성장률(성장회계방법), R&D투자 기여율, 슘페테리안 혁신성장률로 각각 측정하고 비교한 결과는 다음과 같다. 첫째, 성장회계의 총요소생산성 성장률과 슘페테리안 혁신 성장률에 의한 기술진보의 실질 성장기여에 대한 측정에서 상반된 결과를 나타낸다. 둘째, 생산성장률이 감소추세에 있으면 증가추세에 있을 때와 비교해서 생산성장률과 총요소생산성성장률 차이가 커지고, 반대로 증가추세에 있으면 감소추세에 있을 때와 비교에서 생산성장률과 총요소생산성성장률의 차이가 작아진다. 셋째, 혁신성장률에 영향을 미치는 기술기회, 즉, 어느 한 분야의 연구개발과 그 인접분야까지의 연구개발 유인이 혁신성장에 미치는 기여도는 3.3%에 불과하다. 이 결과가 기존의 기술진보의 성장기여에 대한 인식과 다른 이유는 기술진보라는 동일한 용어를 측정하면서 서로 다른 실체를 측정하고 있는 것에 기인한다. 따라서 총요소생산성 성장률은 거시적 경제효율성, R&D투자는 신기술공급의 효과성, 슘페테리안 혁신성장률은 기술진보의 경제적 영향을 측정하는 데 사용해야 한다. 본 논문 연구 결과의 정책적 함의는 다음과 같다: ① 기술공급일변도의 정책에서 기술공급과 신기술수요지원의 융합정책으로 전환, ② 임무지향형 R&D 정책과 국가 R&D와 민간 R&D가 연계되는 R&D 정책, ③ 신지식체화 정도를 반영한 자본재의 재분류.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.535-544
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• 2022

본 연구에서는 외상을 경험한 성인의 의도적 반추와 외상 후 성장 간의 관계를 확인하고, 삶의 의미가 의도적 반추와 외상 후 성장을 매개하는 모형에서 외상 강도의 조절효과가 있는지 검증하였다. 참여자는 외상 경험이 있는 남녀 성인 318명이었다. 조절된 매개효과는 PROCESS Macro 3.5 모델 7로 분석하였다. 연구 결과, 외상 경험이 있는 성인의 의도적 반추는 외상 강도, 삶의 의미 및 외상 후 성장 모두와 정적 상관이 있었으며, 삶의 의미도 외상 후 성장과 정적 상관이 있었다. 외상 후 성장에 대한 조절된 매개효과 분석에서는 의도적 반추와 외상 강도의 상호작용효과가 유의했으며, 의도된 반추의 조건부 간접효과는 경험한 외상 강도 수준이 높은 집단에서만 유의하였다. 이런 결과는 의도적 반추를 하는 외상 경험이 있는 사람이 삶의 의미 느끼게 되어 성장하게 될 가능성이 크다는 것을 시사하며, 그런 영향은 외상 강도가 강한 경우 발생한다는 것으로 암시한다. 결론적으로 심한 외상을 경험한 사람들에게서 사건에 대한 의도적 반추가 외상 후 성장을 이끌고, 그 과정에서 삶의 의미를 깨닫는 것이 도움이 될 수 있다는 결과를 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.338-338
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• 2010

지난 20여년 동안 반도체 레이저 다이오드는 주로 CD (DVD) 픽업용 (파장: 640 nm 이하) 및 통신용 (파장 1550 nm) 광원 분야에서 집중적으로 개발되어 왔다. 그러나 기술의 개발과 더불어 파장조절이 비교적 자유로워지고 광출력이 증대 되면서 기존의 레이저 고유의 영역까지 그 응용분야기 확대되고 있고, 이에 따라 고출력 반도체 레이저 다이오드의 시장 규모도 꾸준히 증가되고 있는 상황이다. 고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핑용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. MBE(Molecular Beam Epitaxy)로 성장된 InAlAs 에피층 (epi-layer)을 사용하여 고출력을 갚는 레이저 다이오드를 제작함에 있어서, 에피층은 결함 (defect)이 없는 우수한 단결정이 요구되지만, 실제 결정 성장 과정에서는 성장온도와 Al 조성비 등의 성장 조건의 변화에 따라 전기적 광학적 특성 및 신뢰성에 큰 영향을 받는 것으로 보고되고 있다. 이에 본 연구에서는 DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) 방법을 이용하여 InAlAs 양자점 에피층의 깊은 준위 거동을 조사하였다. DLTS 측정 결과, 0.3eV 부근의 point defect과 0.57 ~ 0.70 eV 영역의 trap이 조사되었으며, 이는 갈륨 (Ga) vacancy와 산소 원자의 복합체에 기인한 결함으로 분석된다.

• 한국지역지리학회지
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• 제16권5호
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• pp.549-558
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• 2010

본 연구는 특정 기간 동안 미국 대도시가 성장하는 패턴에 도시성장경계(UGB)가 어떻게 영향을 미치는가를 상대적 관점에서 조사하는데 목적을 두고 있다. 이를 위해 통계분석을 통해 도시성장경계를 규정하고 있는 대도시권에서 거주지역밀도에 도시성장경계가 어느 정도 영향을 미치고 있는가를 살펴보았다. 다음으로 도시성장의 패턴에 영향을 미치는 요소들과 도시성장경계를 비교 분석하여 도시성장경계의 중요성을 분석하였다. 그 결과 도시성장 패턴이 도시성장경계를 규정하고 있는 도시와 이를 규정하지 않는 도시 사이에 유의한 차이가 있음을 확인하였다. 그러나 도시성장경계가 갖는 유의성에도 불구하고 다른 요인들에 비해 상대적으로 낮게 영향을 미치고 있는 점 역시 발견되었다. 이는 본 연구에서 활용한 자료가 설명하기 어려운 요인들이 복잡하게 영향을 주고 있음을 시사한다. 또한 연구자료의 한계에도 불구하고 도시성장경계가 도시 스프롤을 억제하는데 어느 정도 효과를 미치고 있음을 밝히고 있다.