본 연구는 국내 7대 특·광역시를 대상으로 지난 20년(1996~2016년)간의 고용성장에 대한 요인별 기여도를 파악하는 것이 목적이다. 이를 위해 통계청에서 제공하는 사업체 조사 자료를 바탕으로 다요인분해(multifactor partitioning, MFP)분석을 수행하였다. 분석의 주요 결과는 다음과 같다. 첫째, 장기간에 걸친 대도시권의 고용성장에서는 전반적으로 지역효과가 지배적인 영향력을 보이고 있으며, 산업구조효과가 이를 뒤따르고 있다. 동태적 다요인분해분석 결과는 향후 지역 간 고용 격차가 산업구조에 의해 설명될 가능성이 크다는 것을 보여준다. 둘째, 성별과 양질의 일자리구성효과는 지역별 고용성장에 큰 기여를 보이지 않는다. 단, 실질적인 개별 인자들의 기여를 보면 남성-상용근로자의 고용감소와 여성-비상용근로자의 고용성장 패턴을 유추할 수 있다. 이러한 결과는 각 지역 산업의 구조적 전환과 고용안정성이 동반된 질적성장을 도모할 수 있는 고용정책의 중요성과 필요성을 의미한다.
초미세 전자 소자에 대한 개발에 대한 요구는 최근 들어 원자 단위의 구조물 제작에 대한 연구로까지 나아 가게 하고 있다. 좋은 물리적 성장을 가지는 양자도선(quantum wire), quantum dot와 같은 nano 단위 구조물 제작에 대한 요구는 그 가능성의 하나로 , 기울어진 vicinal) 표면위에서의 박막 성장에 대한 연구로 이어지고 있다. 기울어진 표면은 한 원자층으로 된 많은 계단들을 가지고 있는 표면이고, 이러한 계단들의 존재는 박막 성장 시 흡착 원자가 계단 끝에 부착될 확률을 증가 시켜, stepflow 성장과 같은 준 층별 성장을 만들 가능성을 높여주며, sub-ML증착에 대해서 원자가 계단면을 따라 길게 늘어선 양자도선과 같은 성장이 가능한 표면이라는 점에서 관심을 갖게 한다. 그러나 최근의 연구들에 의하면 기울어진 표면 위에서의 성장도 Schwoebel 장벽과 같은 분산 장벽의 존재로 계단과 수직인 축 방향으로 거친 모양의 island가 형성되는 Bails-Zangwill 불안정성이 나타나는 것으로 보고되고 있고, 이것은 준 층별 성장이나 양자 도선과 같은 성장을 방해하는 것으로 알려져 있다. 이러한 불안정성을 해결할 가능성으로 최근 들어 한 계단의 높이가 큰 step bunching 이 생겨난 표면위에서의 성장이 제기 되고 있으나, 아직 확인되지 않았다. 본 연구는 이러한 기울어진 표면 위에서 박막을 성장 할 때 층흐름(step flow) 성장이 가능한 역학적 동역학적 조건을 구하고자 하며, 방법으로는 KMC 시뮬레이션을 이용한다. 단원자로 구성된 계단이 있는 기울어진 표면 위에서의 homoepitaxy의 경우, 성장 양식은 계단과 계단 사이의 테라스 간격에 크게 의존한다. 테라스 간격이 좁을수록 성장은 보다 층흐름 성장에 근접한다. 그러나 다층으로 성장시킨 시뮬레이션의 결과는 일반적인 장벽 조건 아래에서는 계단의 방향과 수직인 방향으로 평평한 면에서와 동일한 크기를 가지는 island가 성장하는 것을 볼 수 있고, 이 것은 Bails-Zangwill 불안정성이다. 그러나 계단 사이의 테라스 간격이 매우 좁은 경우 5-6ML 성장 이하에서는 층흐름 성장과 동일한 성장이 이루어지나 계단을 따라서 미소한 크기의 거칠기가 나타난다. 동일한 기울어진 경사면에 대해서는 분산속도가 좋을수록 보다 계단 면을 따라 보다 큰 크기의 island가 나타난다. 분산 장벽과 같이 동역학적인 요소만으로는 완벽한 층흐름 성장은 높은 온도, 극히 낮은 분산 장벽이라는 조건 이외에는 얻기 어렵다. 그리고 층흐름 성장의 가능성으로 제시된 step bunching 일 일어난 다층 높이의 계단을 가진 면도 다층의 수만큼 계단수를 늘려주는 것과 동일한 결과가 나타나며, 이 경우도 층흐름 성장에는 근접하지만 완전한 형태의 성장은 얻기는 역시 어렵다. 따라서 원자단위의 도선이나 층흐름 성장은 계단과 계단 사이의 인력 또는 척력과 같은 역학적인 요소를 고려할 때 만이 가능할 것으로 보인다.
산화아연은 넓은 밴드갭과 큰 엑시톤 에너지를 갖고 있어 광전자반도체 물질로 산화인듐주석의 대체물질로 유망하다. 그러나, 산화아연 박막 및 나노막대는 대부분 c-축 방향으로의 성장이 보고되고 있다. 하지만, c-축으로 성장하는 극성 산화아연은 자발분극과 압전분극을 갖으며 이는 quantum confinement Stark effect (QCSE)를 발생시킨다. 그러므로, 반극성과 무극성 산화아연의 연구가 활발히 진행 되고 있다. 더욱이, 산화아연 나노구조체는 넓은 표면적, 높은 용해도, 광범위한 적용분야 등의 이점으로 많은 연구가 이뤄지고 있다. 본 연구에서는 m-면 사파이어 기판 위에 원자층 증착법을 이용하여 비극성 산화아연의 박막을 형성 후 전기화학증착법을 이용하여 반극성 산화아연 막대를 성장하고 이에 대한 성장 메커니즘을 분석하였다. 반극성 (10-11) 산화아연 나노구조체를 성장하기 위하여 두 단계 공정을 이용하였다. 먼저 원자층 증착법을 이용하여 m-면 사파이어 기판 위에 60 nm의 산화아연 씨앗층을 $195^{\circ}C$에서 성장 하였다. X-선 회절분석을 통하여 m-면 사파이어 위에 성장한 산화아연 씨앗층이 무극성 (10-10)으로 성장한 것을 확인하였다. 무극성 산화아연 씨앗층 위에 나노구조체를 형성하기 위하여 전기화학 증착법을 이용하여 주 공정이 진행되었다. 전구체로는 질산아연헥사수화물 ($Zn(NO3)2{\cdot}6H2O$)과 헥사메틸렌테트라민을 ((CH2)6N4)을 사용하였다. 무극성 산화아연 기판을 질산아연헥사수화물과 헥사메틸렌테트라민을 용해한 전해질에 담근 뒤 $70^{\circ}C$에서 두시간 동안 -1.0V의 정전압을 인가하였다. SEM을 이용한 표면 분석에서 원자층 증착법을 이용해 성장한 무극성 산화아연 씨앗층 위에 산화아연 나노구조체를 성장 시, 한 방향으로 기울어진 반극성 산화아연 나노구조체가 성장하는 것이 관찰되었다. 산화아연 막대의 성장 시간에 따라 XRD를 측정한 결과, 성장 초기에는 매우 약한 $31.5^{\circ}$ (100), $34.1^{\circ}$ (002), $36^{\circ}$ (101) 부근의 피크가 관찰되는 반면, 성장 시간이 증가함에 따라 강한 $36^{\circ}$ 부근의 피크가 관찰되는 X-선 회절 분석 결과를 얻을 수 있었다. 이는, 성장 초기에는 여러 방향의 나노구조체가 성장하였지만 성장시간이 점차 증가함에 따라 (101) 방향으로 우선 성장되는 것을 확인하였다.
목적 : 이 연구는 Vipera lebetina turanica의 사독약침파(蛇毒藥鍼波)(Snake venom toxin, SVT)이 in vitro에서 $NF-{\kappa}B$의 활성억제와 apoptosis 관련 단백질의 발현 조절을 통하여 세포자멸사(Apoptosis)를 유도하는지 in vivo에서 또한 전립선 암세포주인 PC-3 세포의 성장을 억제하는지 살펴보고자 하였다. 방법 : SVT를 처리한 후 PC-3의 성장억제를 관찰하기 위해 WST-1 assay, CCK-8 assay를 시행하였고,Apoptosis evaluation에는 DAPI, TUNEL staining assay를 시행하였으며,Apoptosis regulatory proteins의 변화 관찰에는 western blot analysis를 시행하였고,apoptosis와 연관된 $NF-{\kappa}B$의 활성 변화를 관찰하기 위해 EMSA시행하였으며,SVT의 핵내이동을 관찰하기 위해 Immunofluorescence Staining, Confocal immunocytochemistry를 시행하였으며,전립암세포의 종양형성에는 흉선을 제거한 쥐에 Tumorigenecity study를 시행하였다. 결과 : PC-3 세포에 SVT를 처리한 후,전립선 암세포의 성장,Apoptosis의 유발,Apoptosis관련 단백질의 발현,$NF-{\kappa}B$의 활성,SVT의 PC-3세포 핵내 이동여부 및 흉선제거 후 PC-3 세포를 이식한 쥐의 종양형성과정에 미치는 영향을 관찰하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. PC-3 세포에서 SVT를 처리한 후 세포성장이 억제되고,세포자멸사가 유도되며,조절인자인 p53, caspase-3, -9는 증가되었고,Bcl-2는 감소되었다. 2. PC-3 세포에서 SVT를 처리한 후 $NF-{\kappa}B$의 활성이 유의하게 감소되었다. 3. DAPI로 염색된 상태에서 SVT가 PC-3 세포의 핵내로 이통되는 것이 관찰되었다. 4. 흉선제거 후 전립선 암세포주를 이식한 쥐에서 SVT를 피내로 주입한 결과 전립선암의 크기와 무게가 유의하게 감소하였다. 결론 : 이상의 결과는 SVT가 $NF-{\kappa}B$의 활성 억제를 통하여 인간 전립선암세포주인 PC-3의 세포자멸사를 유발함으로써 증식억제 효과가 있음을 입증한 것이며,이를 재확인한 생체 연구에서의 긍정적인 결과는 향후 SVT의 전립선암의 예방과 치료에 대한 효과적인 치료제 개발에 초석이 될 것으로 기대된다.
해수관상용으로 그 인기도가 높은 상어류는 모두가 자연에서 채집된 후 관람용 대형수조 또는 개인용 소형수조 내에서 순치 후 관상용으로 사육되고 있다. 그러나, 자연에서 채집된 대부분의 개체는 인위적인 수조 시설 내에서의 생활에 적응하는데 실패하여 결국 거의 대부분의 개체가 짧은 기간 내에 사망하게 된다. 따라서 이 연구는 인공 종묘 생산 시설에서 해수 관상용 상어류의 종묘 확보를 목적으로 실시하였다. 우리나라 제주 연안에서 채집이 비교적 용이한 까치상어 Triakis scyllium와 별상어 Cynias manazo 2종의 상어 친어를 확보하여 인공 사육 시설에서 사육하면서 수조 내에서의 자연 교미와 자연 산란에 성공하였다. 친어와 치상어의 사육관리는 자연해수를 사용하여 15~40ton 크기의 콘크리트 수조에서 사육하면서 전갱이와 같은 생사료 또는 전갱이와 어분을 주성분으로 하는 습사료를 만들어 1일 1회 급이하였다. 까치상어의 인공 종묘는 수 차례의 사산을 거듭한 끝에 2003년 5월 18일과 6월 8일 두 차례에 걸쳐서 매우 활력이 좋은 상태의 치어가 출산하였다. 별상어도 수 차례의 사산을 거듭한 끝에 2003년 5월 25일 건강한 상태의 치어를 출산시키는데 성공하였다. 지금까지 산출된 까치상어의 출산시 평균 전장은 25.70$\pm$0.88cm 평균 체중은 58.32$\pm$4.86g이었으며, 별상어의 출산시 치어의 평균 전장은 27.26$\pm$0.57cm였고 평균 체중은 55.32$\pm$1.69g로 두 종 상어의 평균 전장과 평균 체중은 유사한 경향을 보였다. 그러나, 산출 후 사육 관리 과정에서 관찰된 까치상어와 별상어의 월간 성장 중 전장을 비교한 결과, 까치상어는 1개월 전 대비 15.06%의 성장을 보였으나, 별상어는 3.15%의 성장을 보여 까치상어 보다는 별상어의 길이 성장이 느린 것을 알 수 있었다. 까치상어와 별상어의 월간 성장 중 체중을 비교한 결과에서도 까치상어는 1개월 전 대비 34.11%의 성장을 보였으나, 별상어는 2.25%의 성장을 보여 까치상어 보다는 별상어의 체중 성장이 매우 느린 것을 알 수 있었다. 출산 관리중인 까치상어와 별상어 치어의 성비를 조사한 결과, 까치상어는 ♀:♂=1:1.28, 별상어는 ♀:♂=1:2.50으로 별상어의 암 수 성비가 매우 불균형한 것을 알 수 있었다. 그리고 까치상어와 별상어의 암ㆍ수간 성장 차이를 조사한 결과, 까치상어와 별상어의 암ㆍ수간 성장 (전장, 체장 및 체중)에는 큰 차이가 없었다. 현재, 인공 사육 시설에서 관리중인 까치상어는 64마리이며 별상어는 7마리이다. 결국 소형의 수족관내에서 해수 관상어로서 사육하기 위한 조건으로서 너무 급격한 성장을 하는 어종인 경우에는 관상 기간이 짧아져 조기 폐기하여야 하는 단점을 감안하면 까치상어 보다는 별상어의 관상가치가 높을 것으로 판단되며, 반대로 대형 관람용 수족관의 경우에서는 별상어 보다 성장이 빠르고 운동력이 활발한 까치상어를 전시관람용으로 이용할 경우 전시효과가 높을 것으로 판단된다.
고효율 멀티정션박막태양전지의 바텀셀 적용을 목적으로, 반응성CVD(Reactive thermal CVD)기술을 이용, $Si_2H_6+GeF_4$를 원료가스로, 이들이 가진 산화환원반응을 이용하여 400도 이하의 저온에서 Ge 및 Si 기판에 Ge을 에피성장 시켰다. Ge 기판위의 호모에피막의 경우, $2.5{\AA}/sec$의 성장속도와 99%의 Ge조성을 보였고, RHEED 및 HR-XRD를 통한 결정성 평가 결과, 고품질의 Ge 에피막의 성장이 확인되었다. 동일한 성장조건을 Si기판에 헤테로에피성장 시켰을 경우, 4% 격자불일치에 의해 막품질이 저하되는 것을 확인하였다. 이를 개선하기 위하여 저온에서 제작한 버퍼층에 대한 논의를 하고자 한다.
AlN 결정을 PVT(물리 기상 이동법, Physical Vapor Transport) 법으로 성장함에 있어 결정립의 성장 거동을 관찰하였다. 작은 AlN 결정립이 성장한 이후 결정립들은 이웃한 결정립과 합쳐지면서 성장하는 거동을 보였다. 이를 실체현미경을 이용하여 관찰한 결과를 보고하고자 한다.
알루미나는 높은 온도에서 열적으로 안정되고 경도가 높으며 내화학, 내마모 특성이 우수하며 또한 강도대비 비중이 낮아 무게를 줄일 수 있다는 장점을 가지고 있다. 이러한 특성으로 인하여 우주항공, 국방, 원자력등 극한의 온도를 견뎌야 하는 고도의 신뢰성이 요구되는 고온구 조물로서 응용이 되고 있다. 특히 알루미나를 휘스커 형태로 만들어 세라믹 복합체에 결합 할 경우 복합체의 기지 내에서 강화재의 역할을 함으로써 취성 파괴를 억제하고 열 전도율 저하등의 이점을 가져올 수 있다. 그리하여 본 연구에서는 알루미나 휘스커를 성장을 위하여 Al-triisoproxide계를 이용하여 화학기상증착법으로 가장 안정된 열적 특성을 가지고 온도의 변화에 따라 상 변화가 일어 나지 않는 알파 알루미나 상을 가지는 알루미나 휘스커를 성장시키기 위한 연구를 하였다. 또한 증착 온도, 압력, 입력기체비등 증착 조건을 변화시켜가면서 알파 알루미나 휘스커의 성장 거동을 살펴 보았다. 증착 조건 변화에 따라 알파 알루미나는 막이 증착되는 부분과 휘스커가 성장되는 부분이 있으며 휘스커의 밀집도와 길이방향, 직경방향 성장등 여러 가지 성장 특성을 달리하였다. 이러한 결과를 바탕으로 증착조건에 따른 알파 알루미나 휘스커 성장영역을 도식화하였다.
본 논문에서는 인적자원과 노동시장환경이 경제성장과정에 있어서의 역할을 실증 분석하고자 하였다. 이를 위해 미국의 50개 주 전역의 3062개 카운티의 데이터를 활용하였다. 먼저, 실증분석 결과는 카운티들 간의 소득수렴을 보여주었다, 둘째, 인적자원은 경제성장 제고효과가 있는 반면, 교육지출은 경제성장을 저해하는 것으로 나타났다. 셋째, 실업률은 지역경제성장과 부정적인 상관관계가 있는 반면, 순이주율은 이와 반대로 긍정적인 관계가 있는 것을 밝혀졌다. 마지막으로 전체샘플 카운티들을 저소득 그룹과 고소득 그룹으로 양분된 뒤에도 위와 같은 주요 실증분석 결과는 대부분의 경우에서 변함없이 통계적으로 실효성이 있는 것으로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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