• 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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• 2021.11a
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• pp.27-32
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• 2021

정부는 더불어 잘사는 경제, 성장의 과실이 국민 모두에게 골고루 돌아가는 경제를 국정과제로 제시하면서 역동적인 벤처창업 생태계를 만들기 위해 창의적인 벤처기업과 혁신적 창업자 육성을 중점 추진하고 있다. 정부의 다양한 노력에 힘입어 벤처투자금액 및 기술창업기업이 지속적으로 증가하는 등 벤처창업 생태계가 지속적으로 개선되고 있으나 COVID-19 이후 성장률이 급격히 낮아지고 청년층의 실업률이 급등하는 등 우리 경제는 저성장 국면이 장기화되고 있는 상황이다. 경제의 성장 활력을 증진시켜 부가 가치를 높이기 위해서 벤처창업기업의 혁신과 성장을 통한 일자리 창출이 당면과제로 부각되고 있고 특히 4차 산업혁명 환경에서 글로벌 경쟁력을 갖춘 혁신형기업의 중요성이 더욱 높아지고 있는 상황에서 우리 경제의 당면 과제인 성장잠재력 회복과 일자리 창출을 위해서는 기술 기반 중심의 벤처창업의 활성화가 가장 효과적인 방안으로 제시되고 있다. 본 연구에서는 벤처창업기업의 혁신과 성장을 위한 정부의 다양한 육성시책을 고찰하고 기술 기반 벤처창업기업의 생존과 성장, 및 일자리에 미치는 특성을 분석하였다. 또한 본 연구 결과를 바탕으로 벤처투자금액이 지속적으로 증가하고 있는 상황에서도 민간 금융기관 입장에서 벤처창업기업이 여전히 고(高)위험-저(低)수익 대상으로 여기고 있는 벤처투자시장의 구조적 문제점을 해결하기 위한 정책 대안을 제시하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.178-178
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• 2013

고체내의 결함을 분석하기 위한 장비로는 대표적으로 DLTS (deep level transient spectroscopy)를 이용하여 깊은 준위 결함의 활성화에너지를 구하는 분석법, 투과전자현미경을 이용한 박막의 결정살창 분석법, photoluminescence나 electroluminescence를 이용하여 광학적인 방법으로 결함을 분석하는 방법, 마지막으로 광전류 측정을 통하여 결함을 분석하는 방법 등이 있다. 이 중에서도 빛에 의해서 증가되는 광전류를 이용한 결함 분석 방법은 과거에는 종종 시행되어 왔으나 최근에는 거의 연구되어지고 있지 않고 있다. 고체 내의 많은 결함들이 빛에만 반응하는 결함도 있으며 전기적인 측정을 통해서만 발견되는 결함이 존재하기 때문에 모든 부분을 다 만족시키는 방법은 찾기가 힘들다고 알려져 있다. 한편, ZnO는 octahedral 구조로 공간이 비어있기 때문에 여러 가지 결함이 존재하는데, 그 중에서 valence band 바로 위 0.3~0.5 eV에 존재하는 결함 준위는 Zn 빈자리에 의한 결함으로 이론적으로만 밝혀졌을 뿐 실험적으로는 현재까지 발견되어지고 있지 않다. 본 연구에서는 광전류를 이용하여 n-ZnO/p-Si과 n-ZnO/p-GaN p-n 접합 다이오드 내의 결함에 대한 연구를 진행하였다. ZnO를 UHV 스퍼터링 방법으로 성장하였으며 ZnO의 결함의 양을 조절하기 위해 박막의 두께와 증착할 때의 기판 속도 등을 조절하였다. 이렇게 성장된 ZnO 기반의 다이오드를 광전류 측정을 이용하여 결함을 분석하였다. 실험결과 420 nm 파장의 빛을 다이오드에 주사하였을 때 광전류가 크게 증가하는 것을 확인하였으며 이것은 이론적으로만 주장되어져 왔던 Zn 빈자리 결함에 의한 것으로 판단되었다.

• Journal of Korean Society of Forest Science
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• v.104 no.4
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• pp.677-684
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• 2015

This study analyzed a long-run growth trend of the forestry sector in the Republic of Korea, and forecasted the potential growth in the future after investigating main drivers of growth in the forestry sector through growth accounting analysis. Based on results, we finally suggested a direction to go forward in order to achieve a sustainable growth in the field. After Asia financial crisis, the growth rate of the forestry sector was getting stable with the fast recovery of Korean economy. While the main drivers of growth in the field was labor and capital accumulation in 1980s and 1990s, the main driver of growth has been the increment of capital accumulation since 2000. As the result of our analysis for forecasting the potential growth in the field, the contribution of labor, capital, TFP in total growth is expected as 0.09%, 1.58%, and -0.01%, respectively. The potential growth rate of the forestry sector during 2012-2020 is predicted to be 1.65% and the total production will become 36.25 trillion won.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.24 no.4
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• pp.145-150
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• 2014

GaN nanorods were grown on the apex of GaN stripes by three dimensional selective growth method. $SiO_2$ mask was partially removed only on the apex area of the GaN stripes by an optimized photolithography for the selective growth. Metallic Au was deposited only on the apex of the GaN stripes and a selective growth of GaN nanorods was followed by a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE). We confirmed that the shape and size of the GaN nanorods depend on growth temperature and flow rates of group III precursor. GaN nanorods were grown having a taper shape which have sharp tip and triangle-shaped cross section. From the TEM result, we confirmed that threading dislocations were rarely observed in GaN nanorods because of the very small contact area for the selective growth. Stacking faults which might be originated from a difference of the crystal facet directions between the GaN stripe and the GaN nanorods were observed in the center area of the GaN nanorods.

• The korean journal of orthodontics
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• v.26 no.5 s.58
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• pp.601-611
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• 1996

Craniofacial growth pattern is an important diagnostic data in the course of orthodontic diagnosis and treatment planning ; it also has great influence in the establishment of occlusion as well as shaping and development of face. There have been many studies to classify different craniofacial growth patterns and attempts to predict growth patterns. This study aimed to correlate craniofacial growth pattern and symphysis morphology. 120 adult patients with age from 19 to 39 (mean age : 23.1) were chosen as subjects , using lateral cephalometric films. their anterior to posterior facial height ratios were calculated. They were divided into 3 groups - clockwise growth pattern with $56\%-62\%$(36subjects), counter-clockwise growth pattern group with $65\%$-80\%$(43subjects) and normal growth pattern group with $62\%-65\%$(41subjects). Symphysis morphology and Prominence evaluation in each subject were studied and the following conclusions were drawn : 1. In comparison of symphysis morphology between the sex groups, men showed large symphysis height and prominence. 2. Concerning the symphysis morphology, the clockwise growth pattern group showed larger height, H/D ratio and actual length but smaller depth, angle, effective length and E/A ratio compared to the counter -clockwise growth pattern group. 3. Those with smaller prominance of symphysis showed clockwise growth tendency and those with larger prominance showed counter-clockwise growth tendency.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.260-260
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• 2010

OTFT소자는 각 박막계면간의 접촉성에 따라 그 성능이 좌우 된다는 것은 널리 알려진 사실이다. 즉 박막계면간의 접촉성 저하는 계면간의 결함을 형성하여 OTFT소자 성능을 저하시킨다. 이러한 결함을 고품질의 자기조립단분자막을 제작함으로써 박막계면간 결함을 최소화 할 수 있다. 이러한 고품질의 자기조립단분자막 형성은 박막계면간의 결함을 최소화 하기때문에 고성능OTFT소자 제작시 박막계면간 접촉성 향상에 효율적으로 적용할 수 있을것이다. 이 논문에서는 계면간의 접촉성 향상을 위해 실리콘 웨이퍼 위에 3-Aminoproplytriethoxtsilane과 용매인 무수톨루엔을 이용하여 고품질의 자기조립단분자막을 제작 하였으며 고품질을 자기조립단분자막 성장 조건을 찾기 위해 엄격한 수분조절 및 APS농도, 담근시간, 온도를 조절하여 각기 다른 조건의 샘플을 제작하였다. 또한 APS성장 분포를 알기위하여 접촉각 측정기를 이용하여 접촉각을 측정 하였고 AFM 이용하여 실리콘 웨이퍼에 생성된 박막의 균질도를 측정하였다. 그 결과 APS농도(33%) 24시간 $25^{\circ}C$, APS농도(33%) 24시간 $70^{\circ}C$, APS농도(33%) 72시간 $25^{\circ}C$, APS농도 (33%) 72시간 $70^{\circ}C$ 샘플이 기존에 알려진 APS 접촉각인 $19^{\circ}C{\sim}21^{\circ}C$ 접촉각이 나왔으며 AFM 이미지 또한 높은 균질도를 보였다. 이 결과 고품질의 APS단분자막은 농도와 시간 그리고 온도에 영향은 받으며 이렇게 완성된 단분자막은 높은 균질도를 가지게 된다. 현재 실험을 통해 얻어진 고품질의 자기조립단분자막 성장 조건을 이용하여 OTFT소자 제작하고 있으며 고품질의 자기조립단분자막 형성에 의해 결함을 최소화 하므로써 박막계면간 옴성결합을 형성하여 OTFT소자의 성능 향상이 기대되어 진다.

• Journal of Technology Innovation
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• v.31 no.1
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• pp.105-148
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• 2023

This paper provides a new method of measuring the degree of technological progress which contributes to real economic growth based on Schumpeter's Trilogy. Using Microdata of Statistics Korea, the results of measuring and comparing the actual growth contribution of technological progress during the period 2003-2018 by the total factor productivity growth rate(growth accounting method), the R&D investment contribution rate, and the Schumpeterian innovation growth rate, respectively are as follows. First, the measurement of the real growth contribution of technological progress by the growth rate of total factor productivity and the growth rate of Schumpeterian innovation shows contradictory results. Second, when the growth rate of production is in a decreasing trend, the difference between the growth rate of production and the growth rate of total factor productivity increases compared to when it is in an increasing trend. Conversely, when there is an increasing trend, the difference between the growth rate of production and the growth rate of total factor productivity becomes smaller compared to when it is in a decreasing trend.. Third, the technological opportunity that affects the innovation growth rate, i.e., the contribution of R&D incentives to innovative growth is only 3.3%. The reason why this result is different from the existing perception of the contribution of technological progress to growth is that different entities are being measured while measuring the same term of technological progress. Therefore, the growth rate of total factor productivity should be used to measure macroeconomic efficiency, R&D investment should be used to measure the effectiveness of new technology supply, and the Schumpeterian innovation rate should be used to measure the economic impact of technological progress. The policy implications of the research results of this thesis are as follows: ① Transition from a policy of one-sided technology supply to a policy of convergence of technology supply and new technology demand support, ② Mission-oriented R&D policy and R&D policy that links national R&D with private R&D, ③ Reclassification of capital goods reflecting the degree of new knowledge.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.22 no.1
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• pp.535-544
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• 2022

This study identified the relationship between deliberate rumination of adults who experienced traumas and post-traumatic growth, and examined the mediating model of meaning of life moderated by trauma intensity on deliberate rumination and post-traumatic growth. Participants were 318 male and female adults who experienced traumas. The moderated mediating effect was analysed with PROCESS Macro 3.5 Model 7. Results revealed that deliberate rumination of adults who experienced traumas was positively correlated with trauma intensity, meaning of life, and post-traumatic growth, while meaning of life was positively correlated with post-traumatic growth. In a moderated mediating model for post-traumatic growth, there was significant interaction effect of deliberate rumination and trauma intensity; conditionally indirect effect of deliberate rumination was only significant for whose trauma intensity were high. These findings suggest that adults who did deliberate rumination are more likely to experience post-traumatic growth with finding meaning of life. And, the moderating effect suggests that this influence is only with higher levels of trauma intensity. In conclusion, deliberate rumination of severe traumatic event may lead to post-traumatic growth, and it can be helpful to experience the meaning of life in the process.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.338-338
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• 2010

지난 20여년 동안 반도체 레이저 다이오드는 주로 CD (DVD) 픽업용 (파장: 640 nm 이하) 및 통신용 (파장 1550 nm) 광원 분야에서 집중적으로 개발되어 왔다. 그러나 기술의 개발과 더불어 파장조절이 비교적 자유로워지고 광출력이 증대 되면서 기존의 레이저 고유의 영역까지 그 응용분야기 확대되고 있고, 이에 따라 고출력 반도체 레이저 다이오드의 시장 규모도 꾸준히 증가되고 있는 상황이다. 고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핑용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. MBE(Molecular Beam Epitaxy)로 성장된 InAlAs 에피층 (epi-layer)을 사용하여 고출력을 갚는 레이저 다이오드를 제작함에 있어서, 에피층은 결함 (defect)이 없는 우수한 단결정이 요구되지만, 실제 결정 성장 과정에서는 성장온도와 Al 조성비 등의 성장 조건의 변화에 따라 전기적 광학적 특성 및 신뢰성에 큰 영향을 받는 것으로 보고되고 있다. 이에 본 연구에서는 DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) 방법을 이용하여 InAlAs 양자점 에피층의 깊은 준위 거동을 조사하였다. DLTS 측정 결과, 0.3eV 부근의 point defect과 0.57 ~ 0.70 eV 영역의 trap이 조사되었으며, 이는 갈륨 (Ga) vacancy와 산소 원자의 복합체에 기인한 결함으로 분석된다.

• Journal of the Korean association of regional geographers
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• v.16 no.5
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• pp.549-558
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• 2010

This study is to investigate the relative impacts of urban growth boundaries(UGBs) on metropolitan growth patterns in the United States over a period of time. Through statistical analyses, we evaluate the extent to which UGBs affect the density of residential development in metropolitan areas with UGBs. We also attempt to understand the overall impact of UGBs and the importance of UGBs relative to other determinants of urban growth patterns. Our works found that urban growth patterns differ significantly between cities with UGBs and cities without. UGBs have significant causal effect on urban housing and population densities, but are relatively less important than other factors. This implies that there are factors affecting the variation for which the given data cannot account. Despite the limitations of the data, the findings of this analysis suggest that UGBs have some positive effects on curbing urban sprawl.