• The Korean Journal of Rheology
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• v.9 no.2
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• pp.60-65
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• 1997

PFP성형기술은 사출성형시 수지를 금형내에 환전히 채운후 저압의 공기를 이용하여 기포를 발생시켜 수지의 체적수축분을 기포의 성장에 의해 보상해주는 기술이다. 이방법은 일반 사출성형에서 많이 발생하는 싱크마크나 휨과 같은 변형문제를 해결하여 줄수 있으며 높은 압력을 필요로하지 않는다는 잇점을 가지고 있으나 이러한 최신공정에 대한 체계적인 연구는 미흡한 실정이다. 최근에 제시된 PFP성형공정의 모델링은 기포의 성장이 수지의 체 적수축에 의한 것이라는 가정을 근거로 기포핵이 생성된 이후의 기포성장을 모사하였으며 모델링에 해석결과는 몇가지 가정에도 불구하고 실험결과를 잘 설명하였다. 본 연구에서는 모델링이 가지는 문제점을 분석하고 기포성장의 메카니즘을 보다 체계적으로 이해하기 위하 여 실험적인 방법을 적용하였다. 많은 인자들을 효과적으로 고려하기 위하여 실험계획법을 적용하였으며 이를통하여 기포핵의 생성과 기포의 성장에 공기압 등이 매우 중요한 역할을 한다는 사실을 확인하였다. 이러한 결과는 모델링과 함께 PFP공정에 대한 체계적인 이해 뿐만 아니라 금형설계 및 성형조건의 설정등의 실제적인 문제해결에도 도움이 될것으로 기 대된다.

• Proceedings of the Korean Institute of Navigation and Port Research Conference
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• 2000.11a
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• pp.89-92
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• 2000

Liquid Phase Epitaxy 법을 이용하여 La이 첨가된 YIG(Yitrium Ion Garnet)막을 성장시켰다. X선 회절 분석을 이용하여 La의 첨가량을 변화시키며 제조된 막의 격자상수를 조사한 결과, La의 첨가량이 증가함에 따라 성장된 막의 격자상수도 증가하였으며 Y/La이 20인 경우, 막의 격자상수가 기판으로 사용한 GGG의 격자상수와 일치하였다. VSM(Vibration Sample Magnetometer)를 이용하여 구한 막의 포화자화 값은 La의 첨가량과 관계없이 순수한 YIG의 경우와 같은 값인 1750정도로 거의 일정하였다. FMR(FerroMagnetic Resonance) 측정장치를 이용한 막의 강자성 공명선폭을 측정결과 막의 공명선폭은 La의 첨가량과 관계없이 모든 경우에 순수한 YIG보다 감소하였다. 실험범위내의 La의 첨가에 대해서 기판과의 격자불일치가 순수한 YIG의 경우보다 감소하기 때문이다. La의 첨가량이 많은 조건에서 성장시킨 막은 공명선폭이 크고 두께의 증가에 따라서 선폭이 증가하였으며, YLa가 20과 30일 때 성장시킨 막에서는 공명선폭의 절대값도 작고 두께에 따른 공명선폭의 변화도 관찰되지 않았다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.472-472
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• 2013

본 논문은 InN와 GaN를 교대로 증착하는 교번성장법을 이용해 제작한 4주기 InN/GaN 박막의 구조적, 광학적, 특성을 X-ray diffraction, Atomic force microscopy, Transmission electron microscopy과 저온 Photoluminescence (PL) 장비를 사용하여 분석한 결과를 보고한다. Fig. 1은 4주기 InN/GaN박막의 XRD 스펙트럼으로 GaN(0002)와 InN(0002)의 회절 신호를 관찰할 수 있다. 그러나 두 피크뿐만 아니라 InN와 GaN 사이에 구분이 되지 않은 추가 신호를 확인할 수 있다. 추가신호는 InN와 GaN 계면에서 발생하는 상호확산 확률로서 해석할 수 있다. Fig. 2는 다양한 조건에서 성장한 InN/GaN 시료의 PL스펙트럼으로 방출 파장은 각각 1,380, 1,290, 1,280, 1,271, 1,246 nm로 측정되었다. 성장 조건 변화에 따른 발광특성 변화를 박막에서 III족 원자 특히, In 원자의 성장 거동에 따른 구속준위(Localized states) 변화로 논의할 예정이다.

• Journal of Welding and Joining
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• v.14 no.2
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• pp.79-89
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• 1996

일정진폭하중과 과대하중비 2.5의 단일 인장과대하중에 의한 4140강 용접부 의 피로균열성장거동을 실온과 -45.deg.C의 저온에서 피로시험과 파면관찰을 통하여 고찰하였다. 이때, 용접부 미시조직의 영향을 평가하기 위해 모재(parent metal), 열영향부(as-welded HAZ), 열처리된 열영향부(PWHT HAZ)로 나누어 응력비 0과 0.5로 CT시험편을 이용하여 피로시험을 실시하였다. 피로균열성장거동은 재료의 미시조직과 온도변화보다는 응력비에 크게 영향을 받았으며, 단일 과대하중에 의한 피로균열성장 지연효과가 모든 재료에서 상당히 크게 나타났다. 전자현미경에 의한 피로파면 관찰 결과, 실온에서는 연성의 스트라이에이숀과 -45.deg.C에서는 의벽개파면과 같은 피로 균열성장거동을 나타내고 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.255-255
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• 2008

화학 수송법을 이용하여 양질의 $SnO_2$ 박막을 성장 시켰다. 성장 된 $SnO_2$ 박막은 계면에서 결합정도가 많은 비정질 출발하여 결함정도가 비교적 작은 단결정된 상태로 성장 되었고, 첨가가스의 양, 챔버 내 압력, 수송 가스의 양, 기판과 박막사이의 열평형 상태 등이 계면의 입자의 크기와 단면의 모양, 박막의 결정성 등에 영향을 주었다. 그리고 성장된 박막의 형태는 성장온도가 높아짐에 따라서 $SnO_2$ 박막의 계면부문에서 비정질 부분과 박막 표면의 불분명한 격자 부분이 변화되는 것이 TEM 사진으로 관찰 되었고, 챔버내 압력이 변화됨에 따라서 $SnO_2$ 박막 표면의 전도도등이 변화되는 것이 관찰 되었다.

• The Korean Journal of Financial Management
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• v.16 no.1
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• pp.129-153
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• 1999

본 논문에서는 기업의 성장성변수(기업지분의 시장가치 대 장부가치 비율, MB)가 이익반응 계수에 체계적인 영향은 미치는가를 1991년부터 1994년까지 한국증권시장을 대상으로 재무분석가의 예측치에 의한 사건시점방법을 사용하여 실증적으로 분석하였다. 여러 사건시점을 분석한 결과 기업의 성장성과 이익반응계수가 유의적인 정의 관계가 있다는 것을 발견하였다. 이는 우리나라 증권시장에서 성장성이 높은 기업에서의 이익변화가 성장성이 낮은 기업에 비하여 주식수익률에 더 큰 영향을 미친다는 것을 의미한다, 이에 추가로 Skinner와 Sloan(1998)에서 발견된 고성장기업에서 부의 비기대이익에 대한 큰 폭의 주식수익률 하락이 우리나라 시장에서도 나타나는가를 분석하였다. 이들의 결과와는 달리 우리나라 증권시장에서는 이러한 현상이 발견되지 않았으며, 이는 고성장기업에 대하여서도 이익정보가 주식시장에 적절하게 반영된 다는 것을 나타낸다. 본 논문은 우리나라 증권시장에서 기업이익과 수익률간의 사건시점방법을 통한 연구에 있어서 기업의 성장성변수(기업의 시장가치대 장부가치의 비율)가 통제되어야 하는 변수라는 것을 나타낸다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2000.11a
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• pp.89-92
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• 2000

Liquid Phase Epitaxy 법을 이용하여 La이 첨가된 YIG(Yitrium Ion Garnet)막을 성장시켰다. X선 회절 분석을 이용하여 La의 첨가량을 변화시키며 제조된 막의 격자상수를 조사한 결과, La의 첨가량이 증가함에 따라 성장된 막의 격자상수도 증가하였으며 Y/La이 20인 경우, 막의 격자상수가 기판으로 사용한 GGG의 격자상수와 일치하였다. VSM(Vibration Sample Magnetometer)를 이용하여 구한 막의 포화자화 값은 La의 첨가량과 관계없이 순수한 YIG의 경우와 같은 값인 1750정도로 거의 일정하였다. FMR(Ferro Magnetic Resonance) 측정장치를 이용한 막의 강자성 공명선폭을 측정결과 막의 공명선폭은 La의 첨가량과 관계없이 모든 경우에 순수한 YIG보다 감소하였다. 실험범위내의 La의 첨가에 대해서 기판과의 격자불일치가 순수한 YIG의 경우보다 감소하기 때문이다. La의 첨가량이 많은 조건에서 성장시킨 막은 공명선폭이 크고 두께의 증가에 따라서 선폭이 증가하였으며, Y/La가 20과 30일 때 성장시킨 막에서는 공명선폭의 절대값도 작고 두께에 따른 공명선폭의 변화도 관찰되지 않았다.

• Proceedings of the Korean Society of Soil and Groundwater Environment Conference
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• 1998.06a
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• pp.87-90
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• 1998

본 연구의 목적은 방향족 화합물의 생분해능이 우수한 토양 방선균을 분리하여 방선균에 의한 방향족 화합물의 생분해 기작 및 생분해 특성을 연구하는 것이다. 본 연구실에서는 phenol을 model compound로 실험한 결과, 일반 토양에서 분리한 많은 방선균들이 비록 농노의 차이를 보이기는 하지만 phenol의 생분해능을 갖고 있었다. 그러나 이들 대다수의 방선균들을 낮은 농도의 phenol에서만 일정 기간 성장을 하며, morphological differentiation 및 포자의 형성과 같은 일반적인 방선균의 성장 특성은 전혀 관찰되지 않았다. 이들 중 몇 종류의 분리된 방선균들 낮은 농도에서의 우수한 성장은 물론이고 상당히 높은 농도 (7mM)에서도 phenol을 유일한 탄소 및 에너지원으로 사용하여 성장하며 정상적인 morphological differentiation을 진행시킴이 관찰되었다. 특히 PD001로 명명된 phenol 분해능이 우수한 방선균에서는 일반적인 방선균 성장 온도 (3$0^{\circ}C$) 보다 높은 45$^{\circ}C$의 고온에서 더 빠른 성장을 보이는 고온성 방선균의 특징도 관찰되었다.

• Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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• 2007.05a
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• pp.447-449
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• 2007

유해성 적조생물인 C. polykrikoides에 대한 해역별 적조잠재력 평가를 위하여 유해성 적조가 자주 발생하는 남해안의 소리도 부근해역, 광양만, 남해도 주변해역, 거제만, 부산연안의 해수 및 해저퇴적물을 채집하여 배양실험을 실시하였다. 실험을 위한 기본배지는 f/2배지에서 배양조건은 온도 $20^{\circ}C$, 염분 34, 조도 2000Lux, 그리고 실험생물은 대수증식기의 C. polykrikoides를 $300cells/m{\ell}$접종하였다. 해역별 해수에 대한 적조생물 성장은 광양만에서 가장 높아 적조발생 잠재력이 가장 높았고, 다음은 부산 기장, 거제, 남해연안 순서로 성장이 높게 나타났으며, 질산성 질소 농도는 $0.35{\sim}24.74{\mu}M$ 범위로 적조생물의 성장과 같은 순서를 나타내었다. 한편 해저 퇴적물 용출액은 적조생물의 성장을 현저히 촉진시켰으며, 남해도 미조연안의 해저 퇴적물 용출액에서 적조발생 잠재력이 가장 높았고, 부산 형제도연안, 광양만, 거제만, 소리도연안의 해저퇴적물 순서로 적조생물의 성장을 촉진시키는 결과를 나타내었다. 그리고 적조생물의 성장은 인산염의 농도에 의해서 성장이 결정되었던 것으로 추정되며, 용출된 인산염의 농도 $1.59{\sim}10.39{\mu}M$ 범위로 남해 미조연안, 부산 형제도 연안, 광양만, 거제만, 소리도 연안 순서로 C. polykrikoides의 성장과 같은 순서로 나타났다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.5
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• pp.450-456
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• 1998

후막 GaN성장에 있어서 uniformity와 controllability를 향상시키기 위해 $GaCI_{3}$를 이용한 수직형 HVPE(Hyderide Vapor Phase Epitaxy)를 자체 제작하여 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도를 $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$까지 변화시키면서 성장된 GaN의 특성을 분석한 결과 온도가 증가할수록 표면특성과 광학적 특성은 향상되었으나 DCXRD( Double Crystal X-Ray diffractometer)의 FWHM(Full width of Half Maximum)은 온도와 무관하게 500-1000arcsec을 나타내었다. GaN의 성장이 1x1cm의 시편에 걸쳐 균일하게 이루어 졌으며, 또한 반응기 내부의 기하학적 특성이 시편의 표면특성과 성장속도에 많은 영향을 끼침을 알 수 있었다. 성장속도는 $GaCI_{3}$의 유량에 비례하였으나, $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$로 온도를 증가조건하에서 최대 28$\mu\textrm{m}$/hr의 GaN성장을 얻을 수 있었다.