• Applied Chemistry for Engineering
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• v.23 no.2
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• pp.169-175
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• 2012

In the study, the effects of $130{\sim}150^{\circ}C$ annealing condition and 1~10 wt% isopropylphenyl diphenyl phosphate (IPPP) on crystallization behavior and flame retardancy of a full name (PLA) film were determined. The crystallization kinetics of PLA films with adding 1, 5, and 10 wt% IPPP at $140^{\circ}C$ were higher than those at 130 and $150^{\circ}C$. The average crystallinity and crystallite size of PLA film with 1 wt% IPPP were 21.3% and 24.8 nm, respectively. With an increasing IPPP content, the crystallinity of PLA film increased and the crystallite size decreased. The burning rate lowered with an increasing IPPP content as well.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.4
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• pp.655-659
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• 1998

The effect of quenching speed of melt-spinning on intrinsic coercivity ($_iH_c$$) of annealed ribbons and the crystallization behavior from amorphous $Nd_{14.73}Fe_{78.67}B_{6.60}$ alloy have been studied. We have found that the intrinsic coecivity for annealed melt-spun ribbon is reduced with increasing of quenching rate. $\alpha$-Fe and $Fe_3B$ were formed as intermediate phases prior to the formation of $Nd_2Fe_{14}B$ phase during crystallization. The $Fe_3B$ is disappeared with crystallization of $Nd_2Fe_{14}B$ phase. But the $\alpha$-Fe phase is retained in fully crystallized ribbon by annealing. The intrinsic coercivity loss of annealed ribbon with increasing of quenching speed is believed to be due to existence of soft magnetic phase $\alpha$-Fe in annealed ribbons.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
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• v.9 no.6
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• pp.5-13
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• 1990

본 논문에서는 16Kbps 및 32 Kbps 전송속도에서 ADM의 음질을 개선하기 위하여 두 가지 방 식을 적용한다. 첫째로, 고차 예측기 또는 적응 예측기를 ADM에 활용한다. ADM의 경우에 2차 또는 3 차 예측기를 사용하면 16Kbps 전송속도에서는 별로 개선이 없지만 32Kbps 전송속도에서는 SQNR\sub SEG\척도로 약 3-4dB의 상당한 이득이 얻어진다. 또한 ADM에 적응 예측기를 활용하면 최대 성능은 SZNR\sub SEG\ dir 2dB 정도 개선되지만 양자화 잡음의 축적 때문에 동작 범위가 매우 좁아진다. 둘 째로, 지연 결정 방식을 ADM에 이용한다. 지연 결정 방식을 2차 예측기를 갖고 있는 ADM에 적용하면 약 2dB 정도 개선되지만 양자화 잡음의 축적 때문에 동작 범위가 매우 좁아진다. 둘째로 지연 결정 방 식을 ADM 에 이용한다. 지연 결정 방식을 2차 예측기를 갖고 있는 ADM에 적용하면 1차 예측기를 갖 고 있는 ADMDP 적용했을 때 보다 16또는 32Kbps일 때 SQNR\sub SEG\척도로 재래의 ADM 보다 약 5dB 정도의 성능 개선이 얻어진다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2007.04a
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• pp.315-318
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• 2007

본 논문에서는 이동로봇 바닥에 설치된 여유 개수의 광 마우스를 이용하여 주행 중인 이동로봇의 속도를 효율적으로 추정하는 방안에 대해 기술한다. 먼저, 이동로봇의 속도 벡터와 광 마우스의 속도 벡터간의 관계를 과결정 선형시스템(Overdetermined Linear System)으로 표현한다. 다음, 과결정 시스템에 대한 최소자승 해(Least Squares Solution)로써 이동로봇의 주행 속도를 효율적으로 추정한다. 마지막으로 시뮬레이션을 통해 제안된 이동로봇 주행 속도 추정법의 유효성을 확인한다.

• The Korean Journal of Rheology
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• v.4 no.1
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• pp.52-61
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• 1992

초고분자량 폴리에틸렌을 파라 크실렌에 녹인 희박 용액에 전단흐름을 가해 섬유를 뽑아내는 방법에 대해 연구하였다. 표면성장이라 불리는 이 방법을 용액내에서 회전하는 rotor 의 표면에 흡착된 젤 층에, 결정성이 강한씨(seed)를 접촉시킴으로써 엉킨 분자쇄들이 전단력에 의해 신장되어 분자의 자유에너지가 증가하도록 하여 연속적으로 고강력, 고탄성 률 결정을 뽑아내게 한 것이다. 이표면성장법으로 섬유를 얻는데 있어서 결정화온도 rotor 속도, 권취속도 및 고분자 농도와 같은 결정화 변수를 변화시키면서 섬유의 물리적 성질에 미치는 영향을 관찰하였다. 이방법으로 섬유를 성장시키면 열역학적 평형온도(118.6$^{\circ}C$) 이상 인 12$0^{\circ}C$에서 성장시켰을 때 133GPa의 인장 탄성계수 3.1%의 절단신도에서 5.04GPa의 고 강력을 갖는 섬유를 얻을수 있었다. 또한 이방법에 있어서는 결정화 온도가 물리적 성질에 가장 큰 영향을 미치는 인자로 작용하였다, 고분자 농도의 영향은 0.7wt.% 이상에선 물리적 성질이 더 이상 개선되지 않았으며 오히려 장력의 증가로 불안정한 성장을 보였다. 또한 0.5wt%이하에서는 젤층의 형성이 둔화됨을 볼수 있었다. 결국 물리적 성질의 측면에서 볼 때 0.5~0.7wt%에서 최적조건을 보여주었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.4
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• pp.436-445
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• 1996

비정질 실리콘박막의 고상결정화 특성에 대한 비정질 박막의 증착방법, 수소화 정도, 표면결정 활성화 에너지 변화 및 열처리 환경 영향을 X선 회절, EDAX, Raman 분광 분석으로 조사하였다. 저온(58$0^{\circ}C$)열처리 corning 시료에서 기판 barium(Ba), aluminum(AI) 성분의 막내 확산 임계열처리시간 및 확산에 기인 한 불안정 결정화 특성을 관찰하였다. 화학기상증착 석영 수소화 시료에서 hard damage 기계적 활성화 효과로 얻어진 조대결정립 결정화 특성을 X선 회절의 (111) 배향 상대강도 변화로 관찰 할 수 있었으며, 이는 활성화 효과에 의한 고상 결정화 시 핵생성과 성장속도변화로 다결정 실리콘의 전기적물성 향상 가능성을 보여주었다. Soft damage, bare 활성화 처리 수소화막의 결정화는 비정질 상의 혼재, 박막 응력등의 저품위 입계특성 및 미세결정립 성장 특성으로 관찰되었으나, 활성화 전처리에 의한 저온 및 고온(875$^{\circ}C$)단시간(30분) 결정화는 확인 되었다. 스퍼터링 비수소화 막의 결정화는 상변태 상태의 Raman 결정피크로 분석 되었으며, 결정화 거동에 선행막의 스퍼터링 및 비수소화 영향은 활성화효과에 관계없이 불완전 저품위 결정특성으로 확인되었다. AFM 표면형상은 3차원 island 성막특성을 보여주었고 표면거칠기정도는 높은 것으로 관찰되었다.

• Polymer(Korea)
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• v.25 no.6
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• pp.840-847
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• 2001

The crystallization characteristics of metallocene linear low density polyethylene (m-LLDPE)/linear low density polyethylene (LLDPE) blends were investigated. The effect of blending on the induction time for crystallization, spherulites growth rate, and maximum size of spherulites was mainly considered in this study. The formation of separate crystal which is well known crystallization behavior in LLDPE/LDPE blend was not found in m-LLDPE/LLDPE blends. The blending m-LLDPE to LLDPE caused the dramatic decrease in the induction time of m-LLDPE/LLDPE blends but it seems that the blend composition shows less effect on the induction time. Lower branching number in m-LLDPE resulted in the increasing of spherulites growth rate and the maximum size of spherulites is depend upon both the induction time and spherulites growth rate of LLDPE component affected by m-LLDPE.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.1
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• pp.14-19
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• 2001

The crystal size was determined as a function of reaction temperature, during the crystallization process of NaX zeolite. The measured rate constants for linear growth were as 0.0441$\mu\textrm{m}$/h at $80^{\circ}C$, 0.0595$\mu\textrm{m}$/h at $90^{\circ}C$ and 0.0972$\mu\textrm{m}$/h at $100^{\circ}C$, respectively. The activation energy calculated from the relation between the linear growth rate an the reaction temperature was 43.243kJ/mol. The reaction of crystal growth were revealed as 20 days at $80^{\circ}C$, 16 days at $90^{\circ}C$ and 9 days at $100^{\circ}C$, respectively. Both the final product crystal size an the crystallization time were decreased with increasing reaction temperature.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.61-61
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• 2003

다결정 실리콘 박막은 박막 트랜지스터와 실리콘 태양전지등에 응용되며, 비정질 실리콘을 재결정화 하여 얻어지는 다결정 실리콘 박막이 주로 이용되고 있다. 비정질 실리콘 박막을 금속 원소와 접촉시킨 상태에서 열처리할 경우 결정화 온도가 낮아지고 결정화에 필요한 열처리 시간이 짧아지게 된다. 금속을 실리콘 박막 표면에 가하는 방법은 진공증착법등으로 비정질 실리콘 박막 위에 금속원소 층을 형성하는 방법이 주로 이용되었다. 본 연구에서는 AlCl$_3$와 NiCl$_2$ 금속화합물 분위기에서 LPCVD 비정질 실리콘 박막을 열처리하여 결정화 거동을 관찰하였다. 금속화합물과 결정화할 비정질 실리콘 박막을 각각 다른 온도로 가열해 줄 수 있는 노를 이용하여 열처리를 시행하였다. AlCl$_3$와 NiCl$_2$ 분말을 혼합하여 소스로 이용한 경우 48$0^{\circ}C$ 5시간 열처리로 결정화가 완료되었으며, 박막 전체에 걸친 균일도와 재현성이 우수하였다. AlCl$_3$와 NiCl$_2$를 이용한 결정화 초기 상태에는 박막 전면에 걸쳐 등근 형태의 결정립이 균일한 핵 생성으로 나타났다. 이와 같은 결과는 Al과 Ni이 고상결정화에 동시에 작용하면서 나타난 것으로, Al이 가해진 비정질 실리콘으로 인해 결정화 속도가 빨라지고 결함이 작은 결정립을 얻을 수 있었으며, Ni로 인해 결정화의 균일성과 재현성을 높일 수 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.50 no.2
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• pp.198-203
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• 2012

Salting-out technique was adopted to crystallize dye crystals from dye solution. In this research solubility of dye solution and crystallization kinetics of Reactive dye (RB-8, RB-49, RR-218) was investigated. The empirical expressions of salting-out crystallization kinetics for Reactive dye (RB-8, RB-49, RR-218) in continuous MSMPR crystallizer was RB-8 in crystal growth kinetics $G=7.1{\times}10^{-4}{\Delta}C^{0.67}$ and nucleation kinetics $B^0=3.1{\times}10^{15}{\Delta}C[1.2{\times}10^{-8}+{\Delta}C^{0.7}M_T{^2}]$, RB-49 in crystal growth kinetics $G=5.2{\times}10^{-4}{\Delta}C^{0.3441}$ and nucleation kinetics $B^0=7.2{\times}10^{15}{\Delta}C[3.3{\times}10^{-8}+({\Delta}C)^{0.7}M_T{^2}]$, RR-218 in crystal growth kinetics $G=4.4{\times}10^{-4}{\Delta}C^{0.2361}$ and nucleation kinetics $B^0=6.3{\times}10^{15}{\Delta}C[7.9{\times}10^{-8}+({\Delta}C)^{0.7}M_T{^2}]$. Also, comparison of calculated crystal size distribution applying to characteristic curve method with experimental crystal size showed good agreement.