• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.05a
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• pp.173-179
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• 2005

본 연구에서는 Nickel-Metal Induced Lateral crystallization(Ni-MILC)에 depart에 따른 영향을 관찰함에 있어 Nickel에 Palladium Metal을 인접시켜(Pd assisted Ni-MILC) 그 결정화 속도를 향상시키는 방법을 제안하였다. a-Si에 Phosphorous가 doping 되어 있는 경우 Ni-MILC의 성장은 intrinsic에 비해 2.5배 감소되는 반면, Boron을 doping한 경우 Ni-MILC의 성장은 intrinsic의 경우보다 5배 이상의 성장을 보이게 되는데, well type의 Pd을 인접시킨 경우 Pd에 의해 유도된 tensile stress가 각 doping에 따른 성장 속도를 더욱 증대시키는 것을 확인할 수 있었으며, 이와 같은 현상을 MILC mechanism으로 설명하였다. 이는 Ni-MILC를 이용하여 다결정 실리콘 TFT 제작 시 결정화 속도로 인하여 문제가 되었던 N-type에서의 적용이 가능함과 동시에 contact MILC 등의 방법에도 이용가능성을 의미한다.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.21-21
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• 2002

극축을 따라 나타나는 결정학적 이방성이 결정성장에 미치는 영향을 알아보기 위해서 SiO₂막 위에서 GaN 미소결정들을 성장시켰다. 미소결정을 구성하는 면들은 PBC이론이 예측한 바와 같이 {10-11], {0001}, {10-10}이었다. 극축인 c축을 따라서 현저한 성장의 이방성을 관찰할 수 있었으며 (0001)면이 매우 빨리 성장 하여 사라지는 현상을 확인하였다. 이것은 sp3결합에서 나타나는 고립전자쌍이 (000-1)면의 성장을 저지함으로서 나타나는 현상이라고 생각된다. 성장 중 결정표면의 전자상태에 따라 수소흡착이 일어날 수 있는데, 특히 {10-11}면과 같은 한 개의 전자로 이루어진 sp3결합 팔은 매우 많은 양의 수소를 흡착하여 {10-11}면의 성장을 저지한다. 따라서 ＋c축 방향의 경우 빨리 성장하고 수소흡착을 위한 전자가 없는 (0001)면 대신 {10-11}면이 외형상 매우 중요한 면으로 나타나게 된다. 저온에서는 {10-10}, {10-12}면들도 나타났으며 극축을 따라 나타나는 쌍정을 대부분의 미소결정 성장과정에서 관찰 하였다. r-plane 사파이어 기판 위에서 성장시킨 GaN 미소 결정을 통하여 극성과 GaN의 성장속도 차이를 확인할 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.2 no.1
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• pp.52-57
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• 1992

The macro defects of $LiNbO_3$ crystals grown by the Czochralski method were strongly influenced by the single crystal growth parameters such as growth rate, thermal gradient and crystal rotation rate. The optimum growth conditions of a $LiNbO_3$ single crystal with 1" in diameter were $70~100^{circ}C/cm$ temperature gradient, 5~10 mm/hr growth rate and 40 rpm crystal rotation rate. In these conditions, we could grow crystals which had no cellular structure with easy diameter control, and any crack was not formed after the crystal was cooled.oled.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.230-230
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• 2010

본 연구에서는 개조된 MOCVD법을 이용하여 (100) GaAs 기판 위에 나노 구조 $Bi_2Te_3$ 열전 필름을 성장시켰다. 기존의 MOCVD법과 달리 서셉터의 모양을 변화시켜 기체상태에서 $Bi_2Te_3$ 나노파티클의 형성과 기판위에서 성장을 유도 하였다. 또한 서셉터의 노즐의 면적을 변화시켜 기체의 속도를 제어함에 따라 $Bi_2Te_3$ 필름을 형성시켰다. 서셉터의 모양의 변화에 따라 기체 상태에서 $Bi_2Te_3$ 나노파티클을 형성하고 이를 기판위에서 성장시켜 $Bi_2Te_3$ 열전 필름의 결정립계를 조절할 수 있었고, 또한 노즐의 면적의 변화에 따른 기체의 속도를 제어하여 $Bi_2Te_3$ 결정립계 및 결정 배향 방향을 조절 하였다. 본 연구결과에서는 MOCVD 반응관의 서셉터의 모양 및 노즐의 면적의 변화에 따라 결정립계 및 결정 성장방향이 조절될 수 있음을 확인하였고 이러한 변화에 따라 열전도도를 제어하여 열전성능지수의 향상을 기대 할 수 있다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.1
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• pp.14-19
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• 2001

The crystal size was determined as a function of reaction temperature, during the crystallization process of NaX zeolite. The measured rate constants for linear growth were as 0.0441$\mu\textrm{m}$/h at $80^{\circ}C$, 0.0595$\mu\textrm{m}$/h at $90^{\circ}C$ and 0.0972$\mu\textrm{m}$/h at $100^{\circ}C$, respectively. The activation energy calculated from the relation between the linear growth rate an the reaction temperature was 43.243kJ/mol. The reaction of crystal growth were revealed as 20 days at $80^{\circ}C$, 16 days at $90^{\circ}C$ and 9 days at $100^{\circ}C$, respectively. Both the final product crystal size an the crystallization time were decreased with increasing reaction temperature.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.4
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• pp.539-543
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• 1998

The relationship of growth-in defects such as crystal originated particles (COP), flow pattern defects(FPD), laser scattering tomography defects (LSTD) was investigated in Cz-Si single crystals which had different pulling speed during crystal growing. It is concluded that the density and radial distribution of grown-in defects is strongly dependent on the pulling speed. And as the generation areas of these grown-in defects in a wafer are identical in radial position, they can be generated from same origin during crystal growing.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.6 no.3
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• pp.449-462
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• 1996

On the reaction crystallization of lanthanum oxalate effects of operation conditions of impeller speed, concentration and feed rate of reactant, and reaction temperature on the nucleation and growth of crystals were investigated experimentally. In general, at low supersation the analysis of crystallization processes is relatively clear. However, at high wupersaturation, which is usually applied in industrial crystallization, the processes are exhibited in much complication. In this study the lanthanum oxalate was crystallized by the reaction crystallization of high concentration of lanthanum chloride and oxalic acid in single-jet semi batch reactor. Agitation of solution and suspension in the reactor influenced to enhance the reaction process and crystal growth process which gave opposite effect on the crystallization of lanthanum oxalate. In our experiment since increase of impeller speed gave more influence on the reaction process rather than on the crystal growth process, the supersaturation concentration increased with increase of impeller speed, then resulted in decrease of mean crystal size. By the same effect of reactant concentration and feed rate, the decrease of mean crystall size of lanthanum oxalate was observed with increasing the reactant concentration and feed rate. In case of increasing reaction temperature, the mean crystal size increased. The morphology of lanthanum oxalate crystal was not changed within the variation ranges of the operation conditions which were applied in our experiment.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.06a
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• pp.709-709
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• 2009

지구 온난화의 주요한 원인인 $CO_2$ 가스 저감을 위한 많은 연구가 현재 수행중이며, 하이드레이트 형성원리를 이용한 $CO_2$ 분리 및 회수에 대한 연구가 보고되고 있다. 하이드레이트 형성에 있어 결정성장 거동에 관한 연구는 $CO_2$ 하이드레이트 형성 메커니즘을 규명하는데 기초자료를 제공할 것으로 사료된다. 본 연구에서는 274.1K의 정온 조건에 서 반회분식 교반 반응기를 이용하여 1.7MPa에서 3.0MPa으로 압력 조건을 바꾸면서 $CO_2$ 하이드레이트를 형성시켰다. 실험에 공급된 기체의 조성은 $CO_2$ (99.999%)이다. 실험 관측은 광학현미경(Nikon, SMZ 1000)에 장착된 CCD카메라(Nikon DS-5M/Fi1/2M-U2)에 의하여 이루어 졌다. 하이드레이트 형성 및 해리 과정을 CCD카메라로 촬영하고 시간에 따른 온도와 압력의 변화를 기록하여 핵생성 시간, 성장 속도, 성장 거동을 관찰하였다. 실험에 적용되는 압력에 따라서 하이드레이트 성장형태와 성장속도에서 매우 큰 차이를 보이는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.04a
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• pp.29-33
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• 2002

종자결정성장법은 단결정형 YBCO 초전도체를 제조하기에 매우 유용한 방법이다. 이 방법은 YBCO 성형체 위에 Sm123나 Nd123 종자를 올려놓고 용융 열처리하여 초전도 결정을 특정한 방위로 성장하게 하는 방법이다. 그러나 이 공정의 단점은 초전도체의 결정성장속도가 매우 느리기 때문에 전체공정시간이 길다는 것이다. 이를 개선하고자 본 연구에서는 성형체 위에 같은 결정방위를 갖는 여러 개의 종자들을 동시에 올려 놓고 열처리하여 단결정형 초전도체의 제조시간을 단축하고자 하였다. 이 공정을 다중종자결정성법이라 명명하였으며, 이 공정의 적용으로 공정시간을 상당히 단축할 수 있음을 증명하였다. 본 연구에서는 초전도체의 결정 성장과정, 종자의 갯수와 공정시간의 관계, 종자에서 생성, 성장된 결정들이 만드는 결정입계특성 동에 대해 논의하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.6 no.1
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• pp.11-18
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• 1996

Grown-in defects like OISF and FPD in the large diameter(> 8 inch)of silicon crystal are characterized. It was revealed that the presence of the ring-patterned OISF would deterorate the minority life time of the silicon crystal. Through the cooling experiment from the $1250^{\circ}C$, the nucleation of the OISF was confirmed to follow the homogeneous nucleation and growth process. In addition to OISF nucleus, crystal originated particle, which was known to be closely related with FPD (Flow Pattern Defects), was found to depend on the pulling rate of the crystal. Combination of the lower rate of the pulling and the faster cooling near the $950^{\circ}C$ is proposed to be effective method in reducing the generation of these grown-in defects.