• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.4
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• pp.521-527
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• 1997

Ruby single crystals of 6-7 mm in dialneter and 20-25 mm in length were grown by the xenon-arc type floating zone method using a self-designed FZHY1, Calcination and sintering conditions were investigated and optimum growth conditions were established for controlling the factors such as growth rates, rotation speeds and cooling rates. Also the available energy levels of $Cr^{3+}$ were calculated from transmission data. The growth direction of the crystals was [1010] direction identified by Laue back reflection pattern. The distribution of refractive indices on the wafer of the grown crystals was homogeneous except for the edges of the wafer. The crystals could be used as a laser material with a wavelength of 693 nm and a metastate level.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.3 no.2
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• pp.149-156
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• 1993

Polycrystalline silicon was produced from metallurgical-grade Si by unidirectional solidification. Variations of impurity concentration and resistivity in the ingots have been investigated. X-ray diffraction analysis has also been performed to examine the crystal orientation. According to the X-ray diffraction analysis on the polycrystalline silicon, preferential orientation was changed from ( 220) into ( III ) with decreasing growth rate. Also, with increasing growth rate and fraction solidified, the resistivity tends to decrease.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.4
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• pp.536-547
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• 1997

For various angular velocities of crucible and crystal, the characteristics of melt flows, temperatures and concentrations of oxygen are numerically studied in the Czochralski furnace with a uniform axial magnetic field. Buoyancy effect due to the heating of crucible wall and thermocapillary effect due to the temperature gradient at the free surface, can be differentiably suppressed by the centrifugal forces due to the rotations of the crucible and crystal. The most important factor which yields the centrifugal forces is the rotation velocity of the crucible, that influences the fields of velocities, temperatures and concentrations. In the case that the crucible rotation velocity is not high, the rotations of the crystal gives rise to the centrifugal forces effectively.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.13 no.1
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• pp.41-47
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• 2002

La/sub 1-x/Ca/sub x/MnO₃ manganese oxide were grown using the floating zone image furnace with halogen lamps as heat source. The growth condition was 4∼6 mm/hr growth rate in air atmosphere, 45∼50 rpm and 20∼25 rpm of rotation rate of feedrod and growing crystal, respectively. Characterization analyses of the crystal were carried out using XRD, SEM, and EPMA. Orientation of crystal was determined using EBSD. The electromagnetic properties were measured with Quantum Design PPMS by 4 point probe method and resulted MR value of 462% at 215 K.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.14 no.2
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• pp.84-92
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• 2003

The fast pulling is easy to modify the distribution of grown-in defects toward fine size, which can be readily removed by additional treatment. In this experiment, The fast pulled crystals with high pulling late over 1.0 mm/min were grown and their grown-in defect distributions were investigated. In our recent developments in the growth of Cz-Si, it could be found that the cooling rate in a specific temperature range and the uniformity of temperature gradient at solid/liquid interface are more important for the formation of grown-in defect than the pulling rate itself. We analyzed these cooling rates and temperature gradients for the various fast pulled crystals and compared them to the observed formation behavior of the grown-in defects. The effective factor (Ω) for the void defect formation was introduced and it could explain the radial distribution of void defects in the fast-pulled crystals effectively.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2000.10a
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• pp.178-180
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• 2000

제올라이트의 결정성장은 유도기와 결정성장기 안정화기의 3단계로 진행한다 이러한 제올라이트의 결정성장 기구를 이해하고 결정의 성장기를 계속적으로 연장함으로서 조대한 NaX 제올라이트 결정의 성장을 유도하였으며, 선형결정성장속도에 대하여 고찰하였다. NaX 제올라이트의 수열합성 과정 중 결정성장기에 일정하게 3일 간격으로 반응용액내의 액상을 분리하고 반응겔을 보충하여 제올라이트의 합성 반응이 안정화기로 진행하는 것을 억제하고 결정 성장기를 연장하여 30㎛ 이상의 NaX 제올라이트 결정을 얻었다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.10 no.1
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• pp.76-82
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• 1999

융액인상법에 의하여 Garnet 구조내 결정학적 8면체 및 4면체의 양이온 자리에 전하 보상이온 Mg2+, 구조 수식이온 Sc3+ 및 laser 활성이온 Cr4+을 다양한 농도로 주입한 융액으로부터 Cr4+:YAG 단결정을 성장하고, 주입된 불순이온이 흡수계수에 미치는 영향을 규명하였다. 양질의 단결정을 성장하기 위한 인상속도와 회전속도는 각각 1.5 mm/h와 10 rmp이었으며, Cr4+:YAG 단결정은 <111> 방위로 성장하였다. 성장된 결정의 결정구조 동정 및 결정격자 상수를 측정하고, 1.064 ㎛에서의 결정화분율에 따른 흡수계수, 형광방출 스펙트럼, 유효편석계수(keff)를 보고하였다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.51-55
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• 1997

이트륨 옥살레이트 결정화에 있어서 반응물의 농도, 반응 온도, 반응물의 주입속도 변화등의 반응조건(reaction condition)의 변화와 반응기 내에서의 교반속도와 같은 hydrodynamic condition의 변화가 생성된 옥살레이트 결정의 입자크기, 결정형태등에 미치는 영향을 체계적으로 관찰하였다. 그리고 agglomeration의 영향에 의한 particle의 크기변화에 있어 생성물의 과포화는 agglomerates를 결정 짓는 가장 중요한 변수이다. 또한 반응성 결정화에 의해서 얻어진 Yttrium Oxalate가 온도 변화에 따라서 Yttrium Oxide로 열분해되는 온도구간과 결정구조의 변화 및 분자 구조의 변화를 관찰하여 최종의 Yttrium Oxide가 생성되는 것을 확인하였다.

• The Korean Journal of Rheology
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• v.4 no.1
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• pp.52-61
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• 1992

초고분자량 폴리에틸렌을 파라 크실렌에 녹인 희박 용액에 전단흐름을 가해 섬유를 뽑아내는 방법에 대해 연구하였다. 표면성장이라 불리는 이 방법을 용액내에서 회전하는 rotor 의 표면에 흡착된 젤 층에, 결정성이 강한씨(seed)를 접촉시킴으로써 엉킨 분자쇄들이 전단력에 의해 신장되어 분자의 자유에너지가 증가하도록 하여 연속적으로 고강력, 고탄성 률 결정을 뽑아내게 한 것이다. 이표면성장법으로 섬유를 얻는데 있어서 결정화온도 rotor 속도, 권취속도 및 고분자 농도와 같은 결정화 변수를 변화시키면서 섬유의 물리적 성질에 미치는 영향을 관찰하였다. 이방법으로 섬유를 성장시키면 열역학적 평형온도(118.6$^{\circ}C$) 이상 인 12$0^{\circ}C$에서 성장시켰을 때 133GPa의 인장 탄성계수 3.1%의 절단신도에서 5.04GPa의 고 강력을 갖는 섬유를 얻을수 있었다. 또한 이방법에 있어서는 결정화 온도가 물리적 성질에 가장 큰 영향을 미치는 인자로 작용하였다, 고분자 농도의 영향은 0.7wt.% 이상에선 물리적 성질이 더 이상 개선되지 않았으며 오히려 장력의 증가로 불안정한 성장을 보였다. 또한 0.5wt%이하에서는 젤층의 형성이 둔화됨을 볼수 있었다. 결국 물리적 성질의 측면에서 볼 때 0.5~0.7wt%에서 최적조건을 보여주었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.12 no.2
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• pp.63-67
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• 2002

Langasite single crystal was grown by Xenon-arc floating zone method in mixutre of Af and $O_2$ gas atmosphere. Growing and rotation speed were 1.5 much and 15 rPm respectively. The grown crystal had a c-axis and color of orange. Composition of the grown crystal was $La_{3.10}Ga_{4.73}Si_{1.17}O_{14}$. Activation energy of the crystal was 0.23 eV and was PTC characteristics.