• Journal of the Korea institute for structural maintenance and inspection
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• v.16 no.5
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• pp.98-111
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• 2012

In this study, a longitudinal joint connection was proposed for the short-span slab-type precast modular bridges with rapid construction. The slab-type modular bridge consists of a number of precast slab modules and has the joint connection between the modules in the longitudinal direction of the bridge. The finite element based parameter analysis and the push-out test were conducted to design the shape and the dimensions of the longitudinal joint connection. Number of shear keys within the joint, height and depth of the shear key, tooth angle, and the spacing were considered as the design parameters. Using the local cracking load obtained from the analytical and experimental results, an efficiency factor was proposed to evaluate the effectiveness of the longitudinal joint connection. The dimensions of shear key were determined by comparing the efficiency factors.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.22 no.6
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• pp.267-274
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• 2021

Among several methods for determining the allowable lateral resistances of piles, the subgrade reaction method and ultimate lateral resistance method are generally used. To determine the effects of the soil conditions, pile head restraint conditions, and pile lengths on determining the allowable lateral resistances of piles, computations of the allowable lateral resistances of piles using the two methods were executed, and the computation results were compared. For piles in soft cohesive soil, the pile design is governed by the allowable lateral resistance of a pile from subgrade soil reaction method regardless of the pile head restraints conditions and pile lengths. The allowable lateral resistance of a pile from the ultimate lateral resistance governs the design as the undrained shear strength increases. Except for the case of a short pile, which is installed in loose granular soil, the allowable lateral resistance of a pile from ultimate lateral resistance governs the design of laterally loaded piles. According to this study, computation of the ultimate lateral resistance of a pile is needed, even though some opinions suggest that the design of a laterally loaded pile is satisfied only by the subgrade reaction method. The pile width barely influences the coefficient of horizontal subgrade reaction. Realistically, the effect of the pile width can be disregarded in the condition of common pile widths of 20~90cm.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.337-337
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• 2012

단일 결정의 Ge 박막은 0.67 eV의 작은 밴드갭을 가지고 있기에 장파장의 빛을 흡수하기 위한 목적으로 태양전지 분야에서 집중적인 연구가 진행되어지고 있다. 또한, Si에 비하여 높은 전하 이동도를 가지고 있기에 박막 트랜지스터로의 응용 연구들이 진행되고 있는 중이다. 전자 소자로써 큰 효과를 가지고 오기 위해서는 양질의 Ge 결정박막을 성장하여야 한다. 이를 위하여 다양한 공정 방법으로 Ge 박막의 결정성 향상에 대한 연구들을 진행하고 있다. 그중 본 연구에서는 ICP-assisted DC sputtering 방법을 이용하여 저온(${\sim}230^{\circ}C$) Ge 박막 결정성장에 대한 연구를 진행하였다. Ge 박막을 유리기판(Eagle 2000) 위에 증착하였으며, $6{\times}10^{-6}$ Torr 이하의 기본 압력에서 공정을 진행하였다. 7 mTorr의 Ar 분위기에서 타겟에 인가되는 전압 및 전류를 변화 시키며 Ge 박막 증착에 미치는 영향에 대해서 연구를 진행하였다. 기본적인 DC sputtering 방법을 이용하여 박막을 증착하였을 경우 증착한 모든 샘플에서 결정성을 확인하였으며, 낮은 전압에서도 결정화가 일어나는 것을 확인 할 수 있었다. 또한 전압을 증가시켜도 결정화 정도가 일정하게 유지됨을 확인 할 수 있었다. 다만 이 경우에는 결정의 방향이 랜덤하게 형성되었으며, DC sputtering 방법을 이용하여 저온에서 공정을 진행하였기에 박막은 수십 nm의 columnar grain을 형성하였다. ICP를 이용한 DC sputtering 방법을 이용하여 박막을 증착 하였을 경우, 일정 전압 이하에서는 비정질의 Ge 박막이 균일하게 형성됨을 확인 할 수 있었으며, 이후 결정화 정도가 타겟에 인가되는 전압에 비례하여 증가하였다. 또한, 이때 증착된 Ge 박막은 단일 결정으로 형성되었음을 확인 할 수 있었다. 이는 박막 성장시 ICP에 의해서 생성된 Ar 이온이 표면으로 가속화됨으로 인하여 Ge 박막 표면에서 channeling 효과가 나타남으로 인하여 <110> 방향으로 결정이 정열된 것으로 보인다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.41.2-41.2
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• 2010

최근 태양전지 제조비용 절감을 위해 초박형 실리콘 태양전지 개발이 활발히 이루어지고 있다. 이에 따라 후면전계(Back Surface Field, BSF) 특성에 대한 관심이 높아지는 추세이다. 이에 본 연구에서는 후면의 결정방향 및 표면구조에 따라 형성되는 후면전계(BSF)의 특성에 대해 알아보고자 하였다. 후면이 절삭손상층 식각(Saw damage etching) 후 (100)면이 드러난 실리콘 기판과 텍스쳐링(Texturing) 후 (111)면이 드러난 실리콘 기판에 후면 전극을 스크린 인쇄 후 Ramp up rate을 달리 하여 소성 공정(RTP system)을 통해 후면전계(BSF)를 형성하여 비교하였다. 후면전계(BSF)의 형상과 특성만을 평가하기 위하여 염산을 이용하여 후면 전극층을 제거하였다. 후면 전극 제거 후 주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy)과 3차원 미세형상측정기(Non-contacting optical profiler)로 후면전계(BSF)의 형상을 비교하였다. 또한 후면전계(BSF)의 특성을 평가하고자 Quasi-Steady-State Photo Conductance(QSSPC)를 사용하여 포화전류(Saturation current, $J_0$)을 측정하였고, 면저항 측정기(4-point probe)로 면저항을 측정하여 비교하였다. 후면 전계(BSF)는 (100)면과 (111)면에서 모두 Ramp up rate이 빠를수록 향상된 특성을 보였고, (111)면에서 더 큰 차이를 보였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.12 no.2
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• pp.63-67
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• 2002

Langasite single crystal was grown by Xenon-arc floating zone method in mixutre of Af and $O_2$ gas atmosphere. Growing and rotation speed were 1.5 much and 15 rPm respectively. The grown crystal had a c-axis and color of orange. Composition of the grown crystal was $La_{3.10}Ga_{4.73}Si_{1.17}O_{14}$. Activation energy of the crystal was 0.23 eV and was PTC characteristics.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.4
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• pp.521-527
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• 1997

Ruby single crystals of 6-7 mm in dialneter and 20-25 mm in length were grown by the xenon-arc type floating zone method using a self-designed FZHY1, Calcination and sintering conditions were investigated and optimum growth conditions were established for controlling the factors such as growth rates, rotation speeds and cooling rates. Also the available energy levels of $Cr^{3+}$ were calculated from transmission data. The growth direction of the crystals was [1010] direction identified by Laue back reflection pattern. The distribution of refractive indices on the wafer of the grown crystals was homogeneous except for the edges of the wafer. The crystals could be used as a laser material with a wavelength of 693 nm and a metastate level.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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• v.15 no.5
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• pp.1472-1478
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• 1991

본 연구에서는 Rectangular Computer Tension(CT) 시편을 수정하여 만든 표준 시편인 MRL-CLWL시편(material research laboratorycrack line wedge loaded specimen )으로 균열정지 인성치를 결정하였다. 그리고 CT시편과 같은 효과를 갖는 Newman등 이 제안한 round compact tension(RCT)시편을 수정한 Round-CLWL 시편으로 균열정지인 성치를 결정하여 상호 비교평가하였다. Round-CLWL 시편은 시편제작시 round-bar를 절단하여 시편으로 가공할 수 있으므로 가공성이 좋으며 따라서 가공비가 적게 든다. 특히 균열 위치 및 방향을 임의로 선택하여 가공하기가 용이하므로 방향성이 있는 소 재의 균열정지 인성치를 결정하는 데 매우 편리한 시편이라 생각된다. 본 논문에서 는 Round-CLWL 시편으로 $K_{1a}$ 값을 계산하는데 필요한 형상계수를 결정하였으며, Polymethylmethacrylate(PMMA)를 사용하여 Round-CLWL 시편 채택의 타당성 확인을 위 한 MRL-CLWL과 Round-CLWL 시편 채택의 타당성 확인을 위한 MRL-CLWL과 Round-CLWL시 편의 $K_{1a}$결정 실험을 하였다.하였다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.8 no.1
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• pp.33-37
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• 1997

The optical properties of (1210) GaN epitaxy films grown on the (1012) $\alpha-A1_2O_3$ substrates have been studied. The hetero-epitaxy films were grown by the halide vapor phase epitaxy (HVPE) method using $Ga/HC1/NH_3/He$ system at $990^{\circ}C$. XRD, RHEED and SEM are used for the identification of the hetero-epitaxy films structure and surface morphology. The confirmed (1210) GaN epitaxy films were characterized by PL and Raman. By the Raman scattering, the active phonon modes of single-phase GaN films are varied with the arrangement of both polarization and propagation directions of laser beam with reference to the axis in single-phase crystal films. The Y(Z, Y & Z) X geometry allows scattering pat-terns of $A_1(TO)=533\;cm^{-1},\;E_1(TO)=559\;cm^{-1}\;and\;E_2=568 cm^{-1}$ modes, whereas in the Z(Y, Y & Z) X geometry the only $E_2$ mode are observed.

• The Journal of the Petrological Society of Korea
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• v.6 no.3
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• pp.166-184
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• 1997

The Wondong caldea is a deeply eroded structure that offers spectacular exposures through the core and margins of a resurgent caldera. The Wondong Tuff and the postcollapse intrusions range from medium-silica rhyolite to rhyodacite in composition and the postcollapse lava and tuff, preresurgent and resurgent intrusions also range from medium-silica rhyolite to an-desite, which jump to gap dacite composition. The continuous compositional zonations generally define a large stratified magma system in the postcollapse and resurgent magma chamber. Isotopic and trace element evidence suggest that the compositional zonations might have resulted from the differentiations from crystal fractionations of a parental andesitic magma, accompanying a little contamination from the crustal assimilations near the chamber roof and wall. But chemically and isotopically distinct late intusions might have resulted from emplacement of any different magma batch.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.190-190
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• 2003

현재 a-Si TFT는 평판 디스플레이 소자로서 주로 사용되고 있으나 점차 고속응답속도 특성, 고화질이 요구됨에 따라 높은 전계효과 이동도를 가진 poly-Si TFT로 대체하기 위한 연구가 진행되고 있으며 특히 poly-Si TFT를 상용 유리 기판에 적용하기 위해 비정질 실리콘의 저온 결정화에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 본 연구에서는 극박막의 Ni을 선택적으로 증착하여 전계 유도방향성 결정화 (Field Aided Lateral Crystallization : FALC) 공정을 이용하여 결정화를 진행하였으며 전계를 인가하지 않은 경우와 전계를 인가한 경우, 전계 세기에 따른 결정화에 대하여 비교하였다.