Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.180-181
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2000
포토닉 결정이란 굴절률(또는 유전률)이 다른 물질들을 빛의 파장 정도의 크기로 주기적으로 배열한 인공적인 결정이다. 포토닉 결정은 1989년 Yabnolovitch에 의해 제안되어, 새로운 광 매체로서의 가능성을 열었다. 1차원 자성 포토닉 결정이란 1차원 포토닉 결정 내에 결함층으로 자성층을 삽입한 것을 말한다. 1996년 Inoue 등에 의해 제안된 1차원 자성 포토닉 결정은 결함층으로 삽입된 자성층에 빛이 국재화되어 거대한 자기광학효과를 나타낸다는 점에서 주목을 받고 있다$^{(1)}$ . 본 논문에서는 1 차원 자성 포토닉 결정과 포토닉 결정과의 차이점 및 1 차원 자성 포토닉 결정의 설계와 그에 따른 특성에 대하여 논하고자 한다 (중략)
Park, Chae-Min;Song, Yeong-Seok;Kim, Sang-Hyeok;Sin, Han-Gyun;Lee, Hyo-Jong
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2014.11a
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pp.132-133
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2014
구리도금 및 적절한 어닐링 공정을 통해 수nm 크기의 초기 도금 미세조직과 수${\mu}m$정도의 결정립 크기를 갖는 재결정이 진행된 결정립이 병존하는 도금막 샘플을 제작하였다. 전기 비저항 측정과 EBSD를 통해 결정립 성장 분율을 측정하였으며 다양한 사이즈와 결정 방향을 갖는 결정립에 대해 질산용액을 이용하여 화학적 에칭방법을 통해 간접적으로 각 구리원자의 화학적 안정성을 평가할 수 있었다. 결과적으로 결정립이 클수록 에칭속도가 느린 것을 확인하였으며, 주요 원인으로 결정립계면이 우선적으로 에칭되는 것이 관찰되었다. 즉, 결정립의 크기가 작을수록 결정립계면의 비율이 커서 에칭속도가 증가하고 Nanosize의 초기 결정립이 빨리 에칭되는 것이 확인되었다.
Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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1996.04a
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pp.190-201
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1996
설계자는 설계를 진행시켜 가면서 많은 의사 결정을 내려야 한다. 그 결정은 크게 선택 결정과 타협 결정으로 나뉘어질 수 있다. 선택 결정은 여러 평가 기준을 고려해 여러 대안들 중 하나를 선택하는 결정이며 타협 결정은 제한 조건과 목표들을 가장 잘 만족하는 설계 대안의 주요 치수를 결정하는 것이다. 이때 두 결정의 결과는 설계자의 의사에 크게 의존하게 된다. 따라서 설계자의 의사를 체계적이고 정확하게 반영시켜줄 필요가 있다. AHP 기법은 불분명한 선택 문제에 있어서 문제를 계층적으로 분석하여 평가함으로써 설계자의 의사를 체계적으로 반영시켜줄 수 있다. 또한 정성적인 성질들을 정량적인 판단 기준에 따라 평가함으로써 설계자의 의사를 보다 일관적으로 반영할 수 있다. 보통 공학 문제의 경우 하나의 설계 대안을 선택하고 또한 그 대안의 주요 치수를 동시에 결정해야 하는 결합된 문제이다. 이때 선택에 필요한 각 대안의 속성이 타협 문제 변수들의 함수로 표현되기 때문에 최적 과정 중에 계속 변화하게 된다. 또한 여러 속성을 고려할 경우 자릿수와 단위가 모두 다르기 때문에 속성들의 평가가 표준적으로 이루어져야 한다. 이 부분에 학습된 인공 신경망을 도입함으로써 변화하는 속성치를 자동적으로 평가할 수 있으며 설계자의 의사와 경험적인 지식도 반영할 수 있게 되었다.
소비자의 집단 구성원에 대한 자아지각은 소비자 의사결정에 어떠한 영향을 미칠까? 집단소비자 상호간에 영향을 미치는 의사결정 상황이나 소비자 개인적 의사결정상황 등 의사결정 상황에 따라 다르게 영향을 미칠까? 본 연구는 소비자가 집단의식을 인식할 때 개인적 차원과 집단적 차원에서 행해지는 의사결정이 어떻게 이루어지는지를 검증하고, 이때, 소비자의 위험회피성향에 따라 소비자 의사결정이 어떻게 조절되는가를 2 가지 실험을 통해 밝히고자 하였다. 미국 오레곤 주립대학교의 아시아계 학생들을 대상으로 2 가지 실험을 실시한 결과, 집단의식을 지각한 소비자는 집단관련 의사결정은 물론 개인관련 의사결정에서도 긍정적 영향을 미치는 것으로 나타났다. 그러나, 위험회피성향의 조절효과에 대한 실험결과는 집단의식을 지각한 소비자와 집단의식을 지각하지 않는 개인적 소비자 모두 처벌에 관한 상황에서 형평성 선호와 협상적 대안을 선택하는 것으로 나타나 집단의식지각의 의사결정에 대한 위험회피성향의 조절효과는 부분적으로 나타났다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.11a
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pp.61-61
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2003
다결정 실리콘 박막은 박막 트랜지스터와 실리콘 태양전지등에 응용되며, 비정질 실리콘을 재결정화 하여 얻어지는 다결정 실리콘 박막이 주로 이용되고 있다. 비정질 실리콘 박막을 금속 원소와 접촉시킨 상태에서 열처리할 경우 결정화 온도가 낮아지고 결정화에 필요한 열처리 시간이 짧아지게 된다. 금속을 실리콘 박막 표면에 가하는 방법은 진공증착법등으로 비정질 실리콘 박막 위에 금속원소 층을 형성하는 방법이 주로 이용되었다. 본 연구에서는 AlCl$_3$와 NiCl$_2$ 금속화합물 분위기에서 LPCVD 비정질 실리콘 박막을 열처리하여 결정화 거동을 관찰하였다. 금속화합물과 결정화할 비정질 실리콘 박막을 각각 다른 온도로 가열해 줄 수 있는 노를 이용하여 열처리를 시행하였다. AlCl$_3$와 NiCl$_2$ 분말을 혼합하여 소스로 이용한 경우 48$0^{\circ}C$ 5시간 열처리로 결정화가 완료되었으며, 박막 전체에 걸친 균일도와 재현성이 우수하였다. AlCl$_3$와 NiCl$_2$를 이용한 결정화 초기 상태에는 박막 전면에 걸쳐 등근 형태의 결정립이 균일한 핵 생성으로 나타났다. 이와 같은 결과는 Al과 Ni이 고상결정화에 동시에 작용하면서 나타난 것으로, Al이 가해진 비정질 실리콘으로 인해 결정화 속도가 빨라지고 결함이 작은 결정립을 얻을 수 있었으며, Ni로 인해 결정화의 균일성과 재현성을 높일 수 있었다.
유비쿼터스 시대가 도래함에 따라 실외에서 뿐만 아니라 실내에서 대상물의 위치를 결정하기 위한 기술의 필요성이 증가하고 있다. 실외에서는 GPS를 이용하여 광범위한 지역에 안정적인 서비스를 제공받을 수 있지만 건물 인근 지역에서는 위치결정에 필요한 수의 위성이 확보되지 않고, 다중경로 오차의 영향 등으로 위치결정이 불가능하고 실내에서 활용 가능한 수준의 위치 정보를 제공하는 것이 어렵다는 단점이 있다. 실내 위치 결정을 위한 다양한 방법 중에 RFID를 이용한 방법은 GPS 에 비해 위치 정확도는 낮지만 실내에서 비교적 적은 비용으로 위치 결정이 가능하므로 GPS로 위치 결정이 불가능한 지역에 시스템을 구축하면 설내/외에서 연속적인 위치결정이 가능하게 된다. 연속적 위치 결정을 위해 GPS 신호 수신이 가능한 실외 지역에서 RFID 시스템을 설치한 건물 안으로 이동하면서 수신된 데이터를 이용하여 실내외에서의 연속적인 위치결정을 수행하였다. 특히,데이터 에포크 간의 거리를 통해 이상점을 탐지하고, 이상점(Outlier)이 발생할 경우 다른 센서로 위치결정을 대체하는 기법을 제안하였고 그 결과 실내외에서 연속적인 위치결정이 가능함을 확인할 수 있었다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.19
no.5
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pp.242-245
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2009
AlN crystals were grown by a sublimation process without seed crystals and the growth morphology of them was characterized. The grown AlN crystals were a polycrystalline phase, which had a diameter of $60\sim200\;{\mu}m$ and were grown with a growth rate of $0.2\sim0.5\;{\mu}n/hr$. It was observed that the as-grown crystals had a hexagonal crystal structure and revealed that these crystals were grown with a morphology of columnar morphology in the initial stage of the growth before they were enlarged in a way of a lateral growth behavior in the final stage. On the surface, a lot of pinholes were observed on the surface of crystals grown. The evolution of a growth morphology was characterized by optical and scanning electron microscopic observation.
This article compares two different auction designs for $CO_2$ emission allowances, namely uniform pricing and multiple pricing, in view of market efficiency. Experimental economic method of Buckley et al. (2004) is applied in this analysis. As a result of this analysis as expected, multiple pricing method brings out Winner's curse. It means that uniform pricing method is more efficient than multiple pricing method.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.375-375
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2012
최근 차세대 평판 디스플레이의 응용에 많은 주목을 받고 있는 AMOLED의 경우 전류구동 방식이기 때문에 a-Si TFT 보다는 LTPS-TFT가 요구되며, 대면적 기판에서의 결정립 크기의 균일도가 매우 중요한 인자이다. 비정질 실리콘 박막 상부 혹은 하부에 도전층을 개재하고, 상기도전층에 전계를 인가하여 그것의 주울 가열에 의해 발생한 고열에 의해 비정질 실리콘 박막을 급속 고온 고상 결정화하는 방법에 관한 기술인 JIC (Joule-heating Induced Crystallization) 결정화 공정은 기판 전체를 한번에 결정화 하는 방법이다. JIC 결정화 공정에 의하여 제조된 JIC poly-Si은 결정립 크기의 균일성이 우수하며 상온에서 수 micro-second내에 결정화를 수행하는 것이 가능하고 공정적인 측면에서도 별도의 열처리 Chamber가 필요하지 않는 장점을 가지고 있다. 그러나 고온 고속 열처리 방법인 JIC 결정화 공정을 수행 하면 Arc에 의하여 시편이 파괴되는 현상이 발견되었다. 본 연구에서는 Arc현상의 원인을 파악하기 위해 전압 인가 조건 및 시편 구조 조건을 변수로 결정화실험을 진행하였다. ARC가 발생하는 Si층과 Electrode 계면을 식각 분리하여 Electrode와 Si층 사이의 계면이 형성되지 않는 조건에서 전계를 인가하는 실험을 통하여 JIC 결정화 공정 중 고온에 도달하게 되면, a-Si층이 변형되어 형성된 poly-Si층이 전도성을 띄게 되고 인가된 전압이 도전층과 Poly-Si 사이에 위치한 $SiO_2$의 절연파괴(Dielectric breakdown)전압보다 높을 경우 전압 인가 방향에 수직으로 $SiO_2$가 절연 파괴되며 면저항 형태의 전도층의 단락이 진행되며 전도층이 완전히 단락되는 순간 Arc가 발생한다는 것을 관찰 할 수 있었다. 본 실험의 연구 결과를 바탕으로 Arc 발생을 방지하는 다양한 구조의 Equi-Potential 방법이 개발되었다.
비정질 실리콘박막의 고상결정화 특성에 대한 비정질 박막의 증착방법, 수소화 정도, 표면결정 활성화 에너지 변화 및 열처리 환경 영향을 X선 회절, EDAX, Raman 분광 분석으로 조사하였다. 저온(58$0^{\circ}C$)열처리 corning 시료에서 기판 barium(Ba), aluminum(AI) 성분의 막내 확산 임계열처리시간 및 확산에 기인 한 불안정 결정화 특성을 관찰하였다. 화학기상증착 석영 수소화 시료에서 hard damage 기계적 활성화 효과로 얻어진 조대결정립 결정화 특성을 X선 회절의 (111) 배향 상대강도 변화로 관찰 할 수 있었으며, 이는 활성화 효과에 의한 고상 결정화 시 핵생성과 성장속도변화로 다결정 실리콘의 전기적물성 향상 가능성을 보여주었다. Soft damage, bare 활성화 처리 수소화막의 결정화는 비정질 상의 혼재, 박막 응력등의 저품위 입계특성 및 미세결정립 성장 특성으로 관찰되었으나, 활성화 전처리에 의한 저온 및 고온(875$^{\circ}C$)단시간(30분) 결정화는 확인 되었다. 스퍼터링 비수소화 막의 결정화는 상변태 상태의 Raman 결정피크로 분석 되었으며, 결정화 거동에 선행막의 스퍼터링 및 비수소화 영향은 활성화효과에 관계없이 불완전 저품위 결정특성으로 확인되었다. AFM 표면형상은 3차원 island 성막특성을 보여주었고 표면거칠기정도는 높은 것으로 관찰되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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