Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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v.2
no.4
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pp.9-15
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2001
In this paper we investigate context dependent acoustic models to improve the performance of the Korean speech recognition . The algorithm are using the Korean phonological rules and decision tree, By Successive State Splitting(SSS) algorithm the Hidden Merkov Netwwork(HM-Net) which is an efficient representation of phoneme-context-dependent HMMs, can be generated automatically SSS is powerful technique to design topologies of tied-state HMMs but it doesn't treat unknown contexts in the training phoneme contexts environment adequately In addition it has some problem in the procedure of the contextual domain. In this paper we adopt a new state-clustering algorithm of SSS, called Phonetic Decision Tree-based SSS (PDT-SSS) which includes contexts splits based on the Korean phonological rules. This method combines advantages of both the decision tree clustering and SSS, and can generated highly accurate HM-Net that can express any contexts To verify the effectiveness of the adopted methods. the experiments are carried out using KLE 452 word database and YNU 200 sentence database. Through the Korean phoneme word and sentence recognition experiments. we proved that the new state-clustering algorithm produce better phoneme, word and continuous speech recognition accuracy than the conventional HMMs.
Transparent and conducting tin oxide films were prepared on Pyrex glass substrates by the remote plasma chemical vapor deposition (RPCVD). The main control variables of the RPCVD process included the deposition time, the flow rates of tetramethyltin, oxygen and argon, the radio-frequency power, and the substrate temperature. Dependence of the deposition rate, electric resistivity, optical transmittance and crystal structure on these parameters was systematically examined to prepare high qualities of tin oxide films and to better understand RPCVD process. The effect of those parameters on the properties of tin oxide films in complicatedly related on another. A tin oxide film parameters on the protimized deposition conditions exhibited deposition rate of 102 $\AA$/min, electric resistivity of $9.7\times 10^{-3}\Omega$cm and visible transmittance of ~80%.
Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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2008.04a
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pp.545-548
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2008
As the corrosion of reinforcing bar in concrete structures exposed to chloride attack is one of main factors to determine the remaining service life, marine concrete structures have to be designed to protect the chloride penetration. Among the durability design methods such as deterministic method and probabilistic method, design method based on the probabilistic theory has been widely studied. However, the most essential material, data of the material properties related to chloride diffusion, are still insufficient. In this paper, the probabilistic distribution of chloride diffusion coefficients and aging coefficients are derived by the experiment and analysis for the chloride coefficients of concrete containing pozzolans, which are generally used in marine structures.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.10
no.4
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pp.318-323
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2000
The intercalated compounds of alkylsulfonates into hydrated zinc were synthesized. From the high temperature powder X-ray diffraction (HTXRD), FT-IR, and molecular size, the temperature dependence of orientation for the intercalated alkylsulfonates were determined. In the temperatures range 1, alkylsulfonates were intercalated into hexa aqua zinc layer with the bilayer structure of $32.9^{\circ}$angle for ${Zn(H_2O_4]^{2+}[C_nH_{2n+1}SO_3]_2\;^-$. In the temperatures range 2, alkylsulfonates were intercalated into tetra aqua zinc layer with the bilayer structure of $55.2^{\circ}$angle for ${Zn(C_nH_{2n+1}SO_3)_2$. In the temperatures range 3, alkylsulfonates were directly bonded to zinc ion with the bilayer structure of $76.5^{\circ}$angle for ${Zn(C_nH_{2n+1}SO_3)_2$.
The magnetic properties of the polycrystalline ${(Fe_{2}O_{3})}_{1-x-y}{(In_{2}O_{3})}_{x}{(Eu_{2}O_{3})}_{y}$(x=0.01, y=0.02과 x=0.02, y=0.03) have been studied by the methods of X-ray diffraction, $M\"{o}ssbauer$ effect, and magnetic hysteresis measurement. The X-ray diffraction patterns show that the samples have a same crystal structure as $\alpha-Fe_{2}O_{3}$. From the analysis of the temperature dependence of the quadrupole splitting and average half-width, it is found that the Morin transition occurs in the sample of x=0.01 and y=0.02 and the spin angle defined as the angle between the [111] crystal axis and antiferromagnetic vector, changes from about $35^{\circ}$ to the (111) plane as increasing the temperature in the sample of x=0.02 and y=O.03. The temperature dependence of magnetic hyperfine field is analyzed by using the spin-wave theory. The isomer shift values at room temperature are found to be given by about 0.35mm/s for the samples which means that the Fe ions belong to $3^{+}ion$. The temperature dependence of isomer shift was analyzed by using the Debye model.
1997년 말 외환위기 이후 한국의 노동시장은 빠르게 변화하고 있다. 외환위기에서 2년이 경과한 현재 실업률이 빠르게 하락하고 임금수준은 위기 이전으로 회복되었으나, 고용수준은 아직 회복되지 않은 상황이다. 현재의 상황에서 우려되는 것은 1970년대 이후 유럽에서 발생한 것처럼 고실업이 지속되는 현상이다. 본고에서는 여러 가지 분석을 통하여 이러한 우려가 현실로 나타날 수 있는 가능성에 대하여 경고하고 있다. 향후 고용 및 실업정책의 최우선 목표는 본원적인 일자리 창출을 통해 구조적 실업률을 저하시키기 위한 종합적인 정책의 시행에 두어져야 한다고 판단된다. 이는 실업과 분배문제를 동시에 해결할 수 있는 기초라 여겨지기 때문이다. 이를 위해서는 일자리의 창출을 위하여 수십년 동안 경험을 축적한 OECD국가의 경험을 참고할 필요가 있을 것이다. 현재 OECD국가에서는 일자리의 창출을 위하여 개별기업의 상황에 맞게 임금결정구조의 분권화를 지속적으로 추구하고 있으며, 임금상승률의 결정은 과거의 물가상승률이나 생산성 증가 등의 지수화에 의존하던 정책을 포기하고 미래지향적으로 물가상승의 예측치만큼 설정한 후 그 변동분은 사후적으로 고려하는 소득정책협약(income policy agreements)을 추구하고 있다. 이는 일자리 창출을 통해 경제의 성과를 기존의 취업자 외에 실업자와 신규근로자에게 분배하기 위한 수단으로 사용하고 있음을 의미한다. 한편 노동시장 유연성 제고를 통한 일자리의 창출은 소득분배를 악화시키는 경향이었다는 점이 유럽과 미국에서 발견된 경험 중의 하나이다. 따라서 일자리의 창출과 분배의 상충관계(trade-off)를 염두에 둘 필요는 있으나, 일자리의 창출은 일자리를 가짐으로써 불평등도를 개선하는 고용효과(employment effect)가 임금격차의 발생으로 불평등도를 확대시키는 임금효과(income effect)를 상쇄할 경우 오히려 분배구조를 개선시킬 수도 있다.
Polycrystalline thin films of La$_{2}$3/Sr$_{1}$3/MnO$_3$(LSMO) were prepared by water-based sol-gel processing on thermally oxidized Si(100) substrate. The thickness dependence of the low-field tunnel-type magnetoresistance properties at room temperature was studied. Tunnel-type magnetoresistance at low-field is found to be strongly dependent on film thickness. Maximum value of tunnel-type magnetoresistance of LSMO thin films was appeared at the film thickness of ~1500 $\AA$. This behavior can be explained in terms of dead layer between LSMO thin film and Si(100) substrate and thermal lattice strain effect in the LSMO thin films.
Park, Sang Hun;Lee, Han Sol;Ahn, Hyung Soo;Yang, Min
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.29
no.4
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pp.179-186
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2019
In this study, we investigated the structural properties of $Ga_2O_3$ thin films and the photo-electrical properties of metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors deposited by Ti/Au electrodes. $Ga_2O_3$ thin films were grown at different temperatures using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The crystal phase of $Ga_2O_3$ changed from ${\varepsilon}$-phase to ${\beta}$-phase depending on the growth temperature. The crystal structure of ${\varepsilon}-Ga_2O_3$ was confirmed by X-ray diffraction (XRD) analysis and the formation mechanism of crystal structure was discussed by scanning electron microscopy (SEM) images. From the results of current-voltage (I-V) and time-dependent photoresponse characteristics under the illumination of external lights, we confirmed that the MSM photodetector fabricated by ${\varepsilon}-Ga_2O_3$ showed much better photocurrent characteristics in the 266 nm UV range than in the visible range.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.193.1-193.1
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2015
실리콘 (Si) 기판 위에 고품질의 갈륨질화물 (GaN) 박막을 성장시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 실리콘 기판은 사파이어 기판 보다 경제적인 측면에서 유리하고, 실리콘 직접화 공정에 GaN 소자를 쉽게 접목 가능하다는 장점이 있다. GaN 박막은 2차원 전자 가스형성을 통한 고속소자, 직접 천이형 밴드갭을 이용한 발광소자 및 고전압 소자로써 활용 가능한 물질이다. 종래에는 Si(100) 및 Si(111) 기판 위에 GaN 박막 성장에 대한 연구가 주로 진행되었다. 하지만 대칭성과 격자 불일치도 등 결정학적 특성을 고려할 때 Si(100) 기판 위에 고품질의 GaN 박막을 성장시키는 것은 쉽지 않다. Si(111) 기판은 실리콘 소자 직접화 공정에 적합하지 못한 단점을 가지고 있다. 반면, 최근 Si(110) 기판 위에서 비등방적 변형 제어를 통한 고품질 GaN 박막 성장이 보고 되어 실리콘 집적 소자와 결합한 고전압 소자 및 고속소자 구현에 관한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 투과전자현미경 연구를 바탕으로 Si(110) 기판 위에 성장된 GaN의 미세구조에 관한 연구를 소개한다. 열팽창계수의 차이에 의한 GaN 박막 내 결함 생성을 줄이기 위하여 AlN 완충층이 사용되었다. GaN 박막을 암모니아 ($NH_3$) 유량이 다른 조건에서 성장시킴으로써 GaN 박막 미세구조의 암모니아 유량 의존성에 관한 연구를 진행하였다. GaN 박막에서 투과전자현미경 연구와 X-ray 회절 연구를 통하여 결함 거동 및 결정성을 확인하였다. $NH_3$ 유랑이 증가함에 따라 GaN의 성장 거동이 3차원에서 2차원으로 변화됨을 관찰하였다. 또한, 전위밀도의 증가도 확인되었다. $NH_3$ 유량이 낮은 경우 GaN 전위는 AlN와 GaN 경계에 주로 위치하고 GaN 표면 근처에는 전위밀도가 감소하였으나, $NH_3$ 유량이 높을 경우 GaN 박막 표면까지 전위가 관통됨을 확인하였다.
The $FeIn_2S_4$ exhibits an inverse spinel which Fe ions are occupied to the octahedral(B) site, while In ions are occupied to both the tetrahedral(A) and the octahedral(B) site. The $N\'{e}el$ temperature($T_N$) is determined to be 13 K. The effective moment of $FeIn_2S_4$ found to be $5.094{\mu}_B$ from the fit of Curie-Weiss inverse susceptibility for the temperature range over $T_N$, implying angular momentum contribution. The angular momentum contribution is shown in $M\"{o}ssbauer$ spectra for the antiferromagnetic ordering region($T{\leq}\;13K$), too. A weak $Fe^{2+}(B)-S^2-Fe^{2+}(B)$ interaction is responsible for a low $N\'{e}el$ temperature($T_N$) in $FeIn_2S_4$ system. The temperature dependence of electric quadrupole interaction is explained by z-axial crystalline field energy.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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