• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.07a
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• pp.71-72
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• 2015

배터리의 랜들 등가회로 모델은 기본적으로, 전달 저항 Rct, 전기 이중층 커패시턴스 Cdl, 내부저항 Ri, 그리고 개방회로전압 Voc의 4가지 파라미터로 구성 된다. 본 논문은 실험에 의해 리튬이온 배터리의 모델링을 위한 기본적 4가지 파라미터를 추출하고 운전조건에 따른 특성을 분석한다. 분석 결과를 이용하여 본 연구자에 의하여 제작된 전기 스쿠터의 SOC(State of Charge)를 추정하는 알고리즘을 제안한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.46 no.1
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• pp.102-106
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• 2009

This paper presents the design and optimization of output matching network according to envelope for class F power amplifier(PA) which is to apply to envelope elimination and restoration(EER) transmitter. In this paper, to increase the PAE of class F power amplifier which applies to EER transmitter, the varactor diode has been used on output matching network. As envelope changes, it optimizes constitution of harmonic trap that is short circuit in 2nd-harmonic and is open circuit in 3rd-harmonic. When drain voltage changes from 25 V to 30 V, some percentage is improved in the PAE.put the abstract of paper here.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2011.10a
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• pp.425-428
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• 2011

This paper presents a micro-scale solar energy harvesting circuit with a simple MPPT control. Solar Energy is harvested using a small off-chip PV cell generating output voltages under 0.5V instead of an on-chip PV cell. A simple MPPT is implemented using a pilot PV cell and utilizing the relationship between the open-circuit voltage of a PV cell ($V_{OC}$) and its MPP voltage ($V_{MPP}$). With applying the MPPT control, the designed circuit delivers the MPP voltage to load even though the loads is heavy such that the load circuit can operate properly. The proposed circuit is designed in TSMC 0.18um CMOS process.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.14 no.6
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• pp.575-583
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• 2003

In thesis we applied the short or open reflection type for IQ vector modulator The open or short type is operated even exception of other redundancy circuit. Generally IQ vector modulator uses MESFET in performing reflection open or short, then minus voltage which is having complex structure is required to operate MESFET via IQ signal. However BJT can be substituted for MESFET, BJT is improved characteristics like as cutoff frequency, electron mobility and so on. We used BJT in IQ vector modulator which is compatible with TTL level in I,Q digital signal, and attached AGC function. We got the result of operations within ${\pm}$ 1$^{\circ}$ phase and ${\pm}$ 0.6 dB amplitude Variation With full range of 20 dB and Variation of ${\pm}$ 6$^{\circ}$ Phase and ${\pm}$ 0.5 dB amplitude Versus full temperature range.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.21 no.1
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• pp.1-7
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• 2017

In this paper, a design method for a compact stepped open slot antenna for an operation in the UWB band is studied. The proposed antenna is miniaturized by inserting L-shaped slots on the ground plane of the stepped open slot antenna through the creation of a resonance in the low frequency, and a strip director is appended to the antenna in order to increase the gain in the middle and high frequency regions. The effects of varying the length of the L-shaped slots, the distance between the director and the slot antenna, and the director length on input reflection coefficient and realized gain characteristics of the proposed antenna are analyzed. The optimized antenna with the size of $30mm{\times}30mm$ is fabricated on an FR4 substrate, and the experiment results show that the antenna has a frequency band of 3.02-11.04 GHz for a VSWR < 2, which assures the operation in the UWB band.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.6
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• pp.40-51
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• 2009

To analyze influences under open faults in switching devices of the PWM inverter and under the isolation between the inverter and motor terminal, a faulty model for the inverter-driven permanent magnet synchronous motor is presented. Even though the conventional dq motor model obtained through the transformation of phase voltage model is widely used to analyze and control AC motor, it can not be used under open faults in switching devices since the 3-phase balanced condition is no longer hold under the open fault and it is not easy to obtain motor input voltages in open phase from the pole voltage. To deal with this problem, a faulty model for an inverter-driven permanent magnet synchronous motor is derived by using the line voltage of motor according to switch open, which can be effectively used for performance evaluation of the diagnostic algorithm. The validity of the proposed faulty model is verified through comparative simulations and experiments using DSP TMS320F28335.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.15 no.6
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• pp.1349-1354
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• 2011

In this work, we fabricated the CdZnS/CdTe heterojunction and investigated the C-V characteristics to determine the depletion width and the charge density distribution. A parallel experiment on CdS/CdTe heterojunction was also carried out for comparison. The depletion region width, for CdZnS/CdTe heterojunction, was nearly constant, regardless of bias voltage. However, the depletion region was wider than that of CdS/CdTe heterojunction due to high resistivity of CdZnS film. The interface charge density of CdZnS/CdTe heterojunction was increased linearly with the bias voltage and showed lower values than those for CdS/CdTe junction. The open circuit voltage of CdZnS/CdTe heterojunction solar cells increased with zinc mole ratio due to reducing of the electron affinity difference between CdZnS and CdTe films. However, the increase of series resistance due to the high resistivity of Cd1-xZnxS films results in reducing conversion efficiency.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.10a
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• pp.477-480
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• 2015

In this paper a low-voltage vibration energy harvesting circuit with MPPT(Maximum Power Point Tracking) control is proposed. By employing bulk-driven technique, the minimum operating voltage of the proposed circuit is as low as 0.8V. The designed MPPT control circuit traces the maximum power point by periodically sampling the open circuit voltage of a full-wave rectifier circuit connected to the piezoelectric device output and delivers the maximum available power to load. The proposed circuit is designed using a $0.35{\mu}m\;CMOS$ process, and the chip area including pads is $1.33mm{\times}1.31mm$. Simulation results show that the maximum power efficiency of the designed circuit is 85.49%.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.210-210
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• 2012

Ge 기판을 이용한 GaInP/GaAs/Ge 삼중접합 태양전지는 43.5%의 높은 광전효율을 기록하고 있으며, 이를 지상용 태양광 발전시스템에 이용하려는 연구가 진행 중이다[1]. 그러나, 이러한 다중접합 태양전지는 셀 제작 비용에 있어 Ge기판의 가격이 차지하는 비중이 높고 대면적 기판을 이용하기 힘든 단점이 있다. 한편, 무게, 기계적 강도와 열전도도 측면에서 Si 기판은 Ge 기판에 비해 장점이 있다. 아울러, 상대적으로 낮은 가격의 대면적 기판을 사용할 수 있기 때문에 Si 기판으로 Ge 기판을 대체할 경우 다중접합 태양전지의 높은 제작 비용을 낮추는 효과도 기대할 수 있다. Si 기판의 장점을 취하며 고효율 태양전지를 제작하기 위해, 이번 실험에서 우리는 Ge 에피층이 성장된 Si 기판 위에 GaAs 태양전지를 제작하였다. GaAs, GaInP와 비슷한 격자상수를 갖고 있는 Ge과 달리, Si은 이들 물질(GaAs, GaInP)과 4%의 격자상수 차이를 갖고 있으며 이로 인해 성장과정에서 관통전위가 발생하게 된다. 이러한 관통전위는 소자의 개방전압을 감소시키는 원인으로 작용한다. 실제로 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지에서 관통전위 밀도에 따른 개방전압 감소를 확인할 수 있었다. 관통전위로 인한 영향 이외에, Si 기판위에 제작된 태양전지에서는Ge 기판 위에 제작된 태양전지에 비하여 낮은 fill factor가 관찰되었다. 이것은 Si 기판 위에 제작된 GaAs/Ge 이중접합 태양전지가 높은 직렬저항을 가지고 있기 때문이다. 따라서 이번 실험에서는 Si 기판 위에 제작한 GeAs/Ge 이중접합 태양전지의 직렬저항의 원인을 전산모사와 실험을 통하여 규명하였다. TCAD (APSYS-2010)를 이용한 전산모사 결과, Si 기판의 낮은 불순물 농도 ($1{\times}10^{15}/cm^3$)에 따른 직렬저항의 원인으로 파악되었으며, 전류-전압 특성을 측정하여 실험적으로 이를 확인하였다. 이러한 직렬저항 성분을 줄이기 위하여 Si 기판의 p형 불순물 농도가 전류 전압 특성 곡선에 미치는 영향을 전산모사를 통하여 알아보았으며, Si 기판의 불순물 농도가 $1{\times}10^{17}/cm^3$ 이상으로 증가할 경우, 직렬저항 성분이 크게 감소 하는 것을 전산모사 결과로 예상할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.684-685
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• 2013

p-형 반도체인 Cu(In,Ga)$Se_2$ (CIGS) 광 흡수 층은 이보다 에너지 밴드 간격이 큰 n-형 반도체와 이종 접합을 형성한다. 흡수층과 윈도우층 사이의 결정구조 차이와 밴드갭 에너지 차이를 완화시키기 위해 버퍼층이 필요하다. 버퍼층을 형성하는 물질로 화학적 용액 성장법(Chemical Bath deposition)을 사용한 CdS가 많이 적용되어 왔으나 Cd의 유해성 및 습식 공정으로 인한 연속공정에 대한 어려움이 있다. 따라서 버퍼층을 Cd을 포함하지 않는 ZnS, $In_2S_3$, (Zn, Mg)O 등과 같은 물질로 대체하여 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition), 펄스레이져증착법(Pulsed Laser Deposition), 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 건식으로 성장시키는 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 $ZnO_{1-x}S_x$ ($0.2{\leq}x{\leq}0.4$)를 반응성 스퍼터링으로 증착하여 큰 밴드갭 에너지와 높은 광투과율를 갖는 버퍼층을 제작하였다. CIGS 박막의 손상을 줄여주기 위하여 RF 파워는 240, 200, 150, 100 W로 변화시켰다. CIGS 태양전지의 I-V 측정 결과, RF 파워가 150 W일 때 10.7%의 가장 높은 변환 효율을 보였고, 150 W 이상에서는 파워가 증가할 때 단락전류는 감소하였으며 개방전압은 다소 증가하였다. 반면 100 W에서 단락전류는 다소 증가하는 것에 반해 개방 전압이 급격히 낮아졌다. 이것은 파워에 따라 결합되는 산소의 양이 다르기 때문으로 생각된다.