• Title/Summary/Keyword: 강영호

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Ultrathin-body MOSFET의 leakage current와 관련한 SiGe alloy substrate의 특성 평가

  • Lee, Dong-Heon;Gang, Yeong-Ho
    • Proceeding of EDISON Challenge
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    • 2014.03a
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    • pp.415-419
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    • 2014
  • 나노스케일 MOSFET에서 leakage current는 중요한 이슈로서 $Si_{1-x}Ge_x$ alloy를 substrate로 사용할 경우 leakage current에 어떤 영향을 미칠 것인지 시뮬레이션을 통하여 알아보았다. $Si_{1-x}Ge_x$ alloy에서 Ge의 비율이 증가할수록 유효질량이 작아졌으나 conduction band minimum의 위치는 Si에 비해 상승하였다. 이로 인해 tunneling 확률이 증가하여 $Si_{1-x}Ge_x$ alloy를 substrate로 사용할 경우 leakage current를 더욱 증가시키게 되었다.

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양자계산을 통한 CuPC의 전자구조 특성 분석

  • Gang, Yeong-Ho
    • Proceeding of EDISON Challenge
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    • 2014.03a
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    • pp.467-471
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    • 2014
  • 유기 반도체 물질로서 활발히 연구되고 있는 CuPC의 기체 및 고체상에 대한 전자구조 분석을 진행하였다. CuPC는 기체상에서는 4 eV 이상의 큰 HOMO-LUMO gap을 가지고 있지만 고체가 되면 ~2 eV 정도의 gap을 나타내게 된다는 것을 밝혔다. 특히 GW 계산을 이용하여 고체에서 전자의 screening 효과는 IP와 EA를 기체에 비해 상당히 변화시킨다는 것을 알아냈고 이는 CuPC와 같은 유기 분자로 이루어진 고체의 전자구조 결정에 polarizable medium을 잘 기술하는 것이 중요한 역할을 한다는 것을 발견하였다.

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용융염 전해방법에 의한 핵연료 Sludge처리

  • 강영호;양영석;국일현
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • v.29 no.6
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    • pp.60-64
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    • 1997
  • 핵연료의 가공공정에서 발생하는 스러지를 건식처리공정으로 회수 정제할 수 있는 건식처리 방법에 대하여 논의하고자 하였다. 건식처리방법은 수용액을 전혀 사용하지 알기 때문에 폐기물의 발생량이 습식처리방법에 비해 훨씬 줄어든다. 산화우라늄은 고온의 용융염중에서 염소개스에 의해 염소화반응을 통하여 우라늄염화물을 생성되게 되어 이들은 전기적으로 이동이 가능한 형태로 바뀌므로 전극에 선택적으로 전착될 수 있기 때문에 다른 금속이온과 분리할 수 있다. 본 보고서에서는 산화우라늄의 염소화공정, 전착공정에 대하여 기술하였고 전착된 산화물의 물리적 특성에 대하여 요약하였다.

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