• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.245-246
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• 2009

정전용량형 후막 스트레인 게이지(piezocapacitive thick film strain gage)는 세라믹 ($Al_2O_3$)을 주 원료로 하는 지지대(약 5mm)와 다이어프램(약 $300{\mu}m$) 그리고 가드 링으로 구성된다. 전극 판은 도전성 페이스트를 이용하여 지지대와 다이어프램에 형성되었으며 극판 사이에는 유전체 메이스트를 사용하여 스크린 인쇄로 후막을 형성하였다. 극판 사이의 가드 링 두께는 약 $30{\mu}m$정도로 다이어프램의 변위 최대값을 유지시키는 데 필요한 간격이다. 따라서 정전용랑형 후막 스트레인 게이지는 지지대를 중심으로 다이어프램에 압력 (0.5~1.0bar)이 인가될 때 변위를 발생시키면서 커패시터 값이 압력의 크기에 따라 비례 특성을 가지고 변화하는 것을 이용한 것이다. 압력이 없을때 초기값은 35pF~40pF 정도이고 정격압력의 최대치를 인가시켰을 때 약 55pF~55p를 나타내었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권2호
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• pp.315-320
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• 2001

본 논문은 뇌운의 접근에 따라 변화하는 대지전장 측정을 위하여 필드 밑을 이용한 대지전장 측정장치의 개발에 관하여 기술하였다. 필드 밀은 두 개의 절연된 전극으로 구성되며, 회전전극과 고정 전극이 있다. 고정도 필드 밀 개발을 위하여 회전형 필드 밀의 원리 및 설계기법에 관하여 연구하였으며, 교정실험장치로 원통형 가드전극계 및 평행평판 전극계의 두 가지 방법을 이용하여 주파수 대역 및 응답감도 특성을 조사하였다. 교정 실험결과로부터 주파수 대역 및 응답감도는 DC ~ 200(Hz), 0.267[mV/V/m]로 얻어졌으며 73[V/m] ~ 18.7[㎸/m] 범위의 대지전장 변화의 측정이 가능하다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제20권1호
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• pp.384-398
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• 1996

An improved multi-channel Impedance Void Meter (IVM) is developed to measure an area-averaged void fraction. It consists of a main sensor, a reference sensor and a signal processor. The sensor was designed to be flush-mounted to the inner wall of the test section to avoid the flow disturbances. Guard electrodes are used to obtain evenly distributed electrical field in a measuring volume. A reference sensor is also installed to eliminate the drift in void signal caused by the changes in electrical properties of working fluid. The signal processor with three channels is specially designed so as to minimize the inherent error due to the phase difference between channels. As an example of applications, the mean and fluctuating components of void fraction are measured for bubbly and slug flow regime, and it is shown that IVM has good dynamic resolution which is required to investigate the structural developments of bubbly flow and the propagation of void waves in a flow channel.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.100-101
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• 2003

본 논문은 초고속 광통신용 검출기로 사용되고 있는 InP／InGaAs Avalanche Photodiode (APD)에 대한 연구로서 구조 변화에 따른 APD의 특성에 대해 연구하였다. 채택된 APB의 기본 구조는 Separated Absorption, Grading, Charge and Multiplication (SAGCM)구조로 u-InP 의 두께 3.5$\mu\textrm{m}$에~2.9$\mu\textrm{m}$ 만큼 Zn diffusion 하였으며, u-InGaAs 의 흡수층 두께는 0.8$\mu\textrm{m}$ 로 하였다. charge sheet 층의 도핑 농도는 ~ 3.5 $\times$ 10／sup 12／／cm／sup 2／ 이고, 전극 구조는 back side illumination type이다. (중략)

• 센서학회지
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• 제9권2호
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• pp.120-126
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• 2000

본 논문은 평판형 센서, 아날로그 증폭기, 이득 조성 가능한 A/D 변환기 및 표시장치로 구성되는 휴대용 전장 측정기에 대하여 기술하였다. 극저주파 대역의 시변전장 검출을 위한 센서의 원리를 설명하고, 원통형 가드전극계와 평행평판 전극계의 교정장치를 제안하였다. 교정실험 결과로부터 전장측정기의 주파수 대역과 감도는 각각 $17[Hz]{\sim}7[kHz]$, 4.45[mV/V/m]이었다. 또한 측정 가능한 최대 전장의 세기는 10[kV/m]이며, 측정 결과는 액정화면에 숫자로 표시된다. 본 전장측정기는 전력선, 컴퓨터 및 헤어드라이기나 히터와 같은 가전기기 등에서 방사되는 전장의 세기 측정에 광범위하게 적용될 것이다.