• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.379-379
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• 2012

본 연구에서는 고품질의 ZnO 박막을 제작하기 위해 사파이어 기판 위에 ZnO 박막을 Pulsed Laser Deposition (PLD) 법으로 성장하였다. 레이저 에너지 밀도와 펄스주파수를 고정시켰으며, 성장온도와 산소 분압은 각각 $450{\sim}600^{\circ}C$ 및 5~20 sccm으로 변화를 주어 성장 온도와 산소 분압이 박막 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 제작된 박막의 전기적 특성을 측정한 결과 성장온도의 증가에 따라 캐리어 농도는 $9.18{\times}10^{18}cm^{-3}$에서 $3.9{\times}10^{16}cm^{-3}$까지 감소하였고, 캐리어 이동도는 $0.95cm^2/Vs$에서 $8.47cm^2/Vs$ 까지 증가하는 경향을 나타내었으며, 산소분압의 변화에는 특정 임계조건을 갖는 것을 확인하였다. 이러한 이유는 PLD 법 성장 메커니즘에서 플라즈마 플럼(plasma flume) 내에 결합된 ZnO 분자가 기판으로 직접 성장이 이루어지는 과정에서 성장 온도가 증가함에 따라 플럼 내에서 결합 된 ZnO 분자의 열적 안정성이 향상되었으며, 유입되는 산소량의 감소로 인해 원자들의 표면 확산 거리 및 확산 시간이 길어져 보다 안정적인 박막 형성에 기인한 것으로 보인다.

• Korean Journal of Metals and Materials
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• v.46 no.8
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• pp.495-505
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• 2008

With the high proportion of zinc coated steels in body-in-white assembly, newly developed surface roughness textured galvannealed steel sheets have been introduced. In this study, zinc coated and surface roughness textured steel sheets were welded by resistance spot welding to investigate its weldability including electrode wear test. Based on the results of tensile-shear test, nugget diameter changes, and electrode tip growth test, it was clear that both surface roughness textured steels (GA-T and GA-E) showed good weldability. Also, there was no large difference in weldability and electrode wear behavior between GA-T and GA-E steels which have different surface roughness morphology. An analysis of electrode degradation showed Fe and Zn penetration through the electrode tip surface at 2400 welds reached $55{\sim}60{\mu}m$ and $75{\sim}80{\mu}m$, respectively. Therefore, there is no significant effect of surface roughness morphology on spot weldability of surface roughness textured galvannealed steel sheets. However, slight difference in thickness of alloying layers existing on electrode tip was found between GA-T and GA-E steels.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.354-355
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• 2013

최근 디스플레이 분야에서 amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin film transistors (TFTs)는 a-Si:H에 비해 비정질 상태에서도 비교적 높은 이동도를 가지고 다결정 Si 반도체에 비해 저온공정이 가능하고 대면적화가 용이한 장점 때문에 주목받고 있다. 또한 넓은 밴드갭을 가지기 때문에 가시광선 영역에서 투명하여 투명소자에도 응용이 가능하다. 본 연구에서는 RF magnetron sputtering법을 이용하여 RF power의 변화에 따라 IGZO 박막의 positive bias stress (PBS)에 대한 안정성을 조사하였다. 소결된 타겟으로는 In:Ga:ZnO를 각각 2:2:1 mol%의 조성비로 소결하여 이용하였고, 공정 조건은 초기 압력 Torr, 증착 압력 Torr, Ar：O2=18：12 sccm로 고정하였다. 공정 변수로는 130 W, 150 W, 170 W, 200 W로 변화를 주어 실험을 진행하였다. PBS 측정은 gate bias를 10 V로 고정하여 stress 시간을 각각 0, 30, 100, 300, 1,000, 3,000, 7,000초를 적용하였다. 측정 결과 RF power가 증가할수록 문턱전압의 변화량이 증가하는 것을 보였다. 130 W의 경우 4.47 V의 변화량을 보였지만 200 W의 경우는 10.01 V로 증가되어 나타났다. 따라서 RF power을 낮추어 만들어진 소자의 경우 RF power를 높여 만들어진 소자에 비해 PBS에 대한 안정성이 더 높은 결과를 확인하였다.

• Korean Journal of Metals and Materials
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• v.46 no.2
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• pp.58-64
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• 2008

Surface-void defects observed on the galvannealed(GA) steel sheets in Interstitial-free high-strengthened steels containing Si and Mn have been investigated using the combination of the FIB(Focused Ion Beam) and FE-TEM(Field Emission-Transmission Electron Microscope) techniques. The scanning ion micrographs of cross-section microstructure of defects showed that these defects were identified as craters which were formed on the projecting part of the substrate surface. Also, those craters were formed on the Si or Mn-Si oxides film through the whole interface between galvannealed coating and steel substrate. Interface enrichments and oxidations of the active alloying elements such as Si and Mn during reduction annealing process for galvanizing were found to interrupt Zn and Fe interdiffusion during galvannealing process. During galvannealing, Zn and Fe interdiffusion is preferentially started on the clean substrate surface which have no oxide layer on. And then, during galvannealing, crater is developed with consumption of molten zinc on the oxide layer.

• Food Science and Preservation
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• v.31 no.1
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• pp.126-137
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• 2024

In this study, zinc oxide nanoparticles (ZnONPs) were synthesized using three distinct zinc salts: zinc acetate, zinc chloride, and zinc nitrate. These ZnONPs were subsequently utilized in the fabrication of carrageenan-ZnONPs (Car-ZnONPs) composite films. The study assessed influence of the various ZnONPs on the morphological, water vapor barrier, color, optical, and antimicrobial properties of the Car-ZnONPs composite films. The surface morphology and UV-blocking attributes of the composite films were affected by the type of ZnONPs used, but their surface color, transparency, and chemical structure remained unaltered. The composite film's thickness and elongation at break (EB) significantly increased, while the tensile strength significantly decreased. In contrast, film's elastic modulus (EM) and water vapor permeability coefficient (WVP) showed no significant difference. All the composite films with added ZnONPs demonstrated potent antibacterial activity against Escherichia coli O157:H7 and Listeria monocytogenes . Among the carrageenan-based composite films, Car-ZnONPs^ZC showed the highest antibacterial and UV-blocking properties, and its elongation at break was significantly higher than that of the pure carrageenan films. This suggests that ZnONPs composite films have the potential to be used as an active packaging film, preserve the safety of the packaged food and extend shelf life.

• Clean Technology
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• v.18 no.1
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• pp.83-88
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• 2012

In order to improve the stability of ${\gamma}-Al_2O_3$ on hydrolysis of $SF_6$, the catalytic promoters were investigated in this study. The crystal phase of ${\gamma}-Al_2O_3$ is transformed to their ${\alpha}$-phase during hydrolysis of $SF_6$. Various metal oxides were applied as the promoter material that is Ga, Mg, and Zn and the promoter of 1, 5, and 10 wt% was impregnated over ${\gamma}-Al_2O_3$ by the impregnation method. Specially, it were confirmed in the catalytic activity tests and XRD analysis that ZnO/${\gamma}-Al_2O_3$ catalyst had the high activity for decomposition of $SF_6$ by catalytic hydrolysis and the crystal phase of ZnO promoted ${\gamma}-Al_2O_3$ was not transformed. From these results, it could be known that the stability of ${\gamma}-Al_2O_3$ is enhanced with the catalytic promotion of ZnO impregnated over the surface of catalyst.

• Korean Journal of Plant Resources
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• v.4 no.2
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• pp.39-45
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• 1991

Proximate compositions of the roots of cultured and wild Codonopsis lanceolata were examined as tile basic reasearch for the study of their source of processed foods.No significant difference in the contents was found between the wild root and thecultivated at 3$0^{\circ}C$ in biotronroom. In view of the results to have measured mineralswhich is included in 14 sorts of Codonopsis lanceolata and surveyed their distribution.12 kinds of minerals including T1, Co, Ge, Sm, Mo, Sc, Be, Cd, As, Ga, Bi, ph are ne-vel or little included in almost source. Other twenty-one sorts of minerals (Ni, Se,Ba, Sb, Si, Ti, B, Li, Ifs, Ca, Sr, Mn, Fe, Cu, Zn, p, Al, Na, V, Cr, K) are more or less in-cluded in all source and Ca, Mg, p, K, and Fe are metals that are included in large qu-entities in comparison with others. No minerals difference in the contents was foundbetween the cultivated temperature. The content of elements of inorganic metal differsaccording to the part of C. lanceolata.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.170-170
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• 2012

최근 주목받고 있는 amorphous InGaZnO (a-IGZO) thin film transistors (TFTs)는 수소가 첨가된 비정질 실리콘 TFT (a-Si;H)에 비해 비정질 상태에서도 높은 이동도와 뛰어난 전기적, 광학적 특성에 의해 큰 주목을 받고 있다. 또한 넓은 밴드갭에 의해 가시광 영역에서 투명한 특성을 보이고, 플라스틱 기판 위에서 구부러지는 성질에 의해 플랫 패널 디스플레이나 능동 유기 발광 소자 (AM-OLED), 투명 디스플레이에 응용되고 있다. 하지만, 실제 디스플레이가 동작하는 동안 스위칭 TFT는 백라이트 또는 외부에서 들어오는 빛에 지속적으로 노출되게 되고, 이 빛에 의해서 TFT 소자의 신뢰성에 악영향을 끼친다. 또한, 디스플레이가 장시간 동안 동작 하면 내부 온도가 상승하게 되고 이에 따른 온도에 의한 신뢰성 문제도 동시에 고려되어야 한다. 특히, 실제 AM-LCD에서 스위칭 TFT는 양의 게이트 전압보다 음의 게이트 전압에 의해서 약 500 배 가량 더 긴 시간의 스트레스를 받기 때문에 음의 게이트 전압에 대한 신뢰성 평가는 대단히 중요한 이슈이다. 스트레스에 의한 문턱 전압의 변화는 게이트 절연막과 반도체 채널 사이의 계면 또는 게이트 절연막의 벌크 트랩에 의한 것으로 게이트 절연막의 선택에 따라서 신뢰성을 효과적으로 개선시킬 수 있다. 본 연구에서는 적층된 $Si_3N_4/SiO_2$ (NO 구조) 이중층 구조를 게이트 절연막으로 사용하고, 완충층의 역할을 하는 $SiO_2$막의 두께에 따른 소자의 전기적 특성 및 신뢰성을 평가하였다. a-IGZO TFT 소자의 전기적 특성과 신뢰성 평가를 위하여 간단한 구조의 pseudo-MOS field effect transistor (${\Psi}$-MOSFET) 방법을 이용하였다. 제작된 소자의 최적화된 $SiO_2$ 완충층의 두께는 20 nm이고 $12.3cm^2/V{\cdot}s$의 유효 전계 이동도, 148 mV/dec의 subthreshold swing, $4.52{\times}10^{11}cm^{-2}$의 계면 트랩, negative bias illumination stress에서 1.23 V의 문턱 전압 변화율, negative bias temperature illumination stress에서 2.06 V의 문턱 전압 변화율을 보여 뛰어난 전기적, 신뢰성 특성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.371.1-371.1
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• 2016

다양한 물질계의 2차원 나노구조는 그래핀과 함께 그 고유특성으로 최근 광전소자, 전자소자, 센서, 에너지 생성 및 저장과 수소에너지 생성 등의 응용으로 매우 많은 관심을 받고 있다. 특히 층상이중수산화물 (layered-double hydroxide; LDH) 2차원 나노구조는 생성의 용이성과 층상 내 금속 이온의 교환을 통한 특성의 자유로운 제어가 가능하므로 많은 관심을 받고 있다. 층상이중수산화물 화합물은 [Zn(1-x) MIII(x)(OH)2][$An-x/n{\cdot}mH2O$] (MIII = Al, Cr, Ga; An- = CO32-, Cl-, NO3-, CH3COO-) 구조로써, Brucite-type 구조 내에서 3가 양이온의 상태에 따라서 다양한 특성을 제어할 수 있는 장점이 있다. 이러한 장점으로 인해 층상이중수산화물 화합물은 촉매나, 에너지 저장, 음이온 교환 및 흡착, 화학적 촉매, 바이오 소자 등에 응용이 연구되고 있으며, 다양한 금속 산화물을 제조하기 위한 중간자 precursor로써도 연구되고 있다. 하지만, 이러한 대부분의 연구들을 통한 결과물들이 분말 및 수용액 상태로 남게 되며, 이러한 화합물의 특성을 제어하기 어려운 문제점이 있다. 더욱이 이러한 나노구조물들을 다양한 소자로 응용하기 위해서는 상용의 실리콘이나 glass 등의 기판형태의 물질상에 성장시킬 수 있어야 하며, 그러한 기판 위에서의 형상 및 특성 제어가 용이해야 한다. 따라서 본 연구에서는 실리콘 기판을 적용한 Zn기반의 층상이중 수산화물 화합물을 성장하고, 하부물질의 조성제어를 통한 층상이중수산화물 화합물의 형상제어가 가능한 기술에 관한 연구를 보고하고자 한다. 이를 위한 하부물질의 조성은 Zn와 Al을 통해 이루어지며, 기형성된 Al2O3박막을 핵형성층으로 활용한다. 이러한 방법으로 형성된 층상이중수산화물 화합물에 대해 이차전자주사현미경, 투과전자현미경 및 X-ray회절기법을 통해 구조분석을 하고, Raman 및 광발광스펙트럼 분석을 통해 광학적 분석을 시행함으로써, 층상이중수산화물이 기판상에서 형성되는 메커니즘에 관한 규명을 시행하였다. 이러한 분석연구를 통해 핵형성층의 에칭 따라 실리콘 기판상에서 성장하는 층상이 중수산화물 화합물의 형상 및 조성이 제어되는 메커니즘을 구명하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.145-145
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• 2010

In this paper, we report that the effects of hydrogen doping on the electrical and optical properties of typical transparent conducting oxide films such as ZnO and $SnO_2$ prepared by magnetron sputtering. Recently, density functional theory (DFT) calculations have shown strong evidence that hydrogen acts as a source of n-type conductivity in ZnO. In this work, the beneficial effect of hydrogen incorporation on Ga-doped ZnO thin films was demonstrated. It was found that hydrogen doping results a noticeable improvement of the conductivity mainly due to the increases in carrier concentration. Extent of the improvement was found to be quite dependent on the deposition temperature. A low resistivity of $4.0{\times}10^{-4}\;{\Omega}{\cdot}cm$ was obtained for the film grown at $160^{\circ}C$ with $H_2$ 10% in sputtering gas. However, the beneficial effect of hydrogen doping was not observed for the films deposited at $270^{\circ}C$. Variations of the electrical transport properties upon vacuum annealing showed that the difference is attributed to the thermal stability of interstitial hydrogen atoms in the films. Theoretical calculations also suggested that hydrogen forms a shallow-donor state in $SnO_2$, even though no experimental determination has yet been performed. We prepared undoped $SnO_2$ thin films by RF magnetron sputtering under various hydrogen contents in sputtering ambient and then exposed them to H-plasma. Our results clearly showed that the hydrogen incorporation in $SnO_2$ leads to the increase in carrier concentration. Our experimental observation supports the fact that hydrogen acting as a shallow donor seems to be a general feature of the TCOs.