• Journal of KIISE:Computer Systems and Theory
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• v.33 no.7
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• pp.448-453
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• 2006

We extend a parallel depth-first search (DFS) algorithm for planar graphs to deal with (non-planar) solid grid graphs, a subclass of non-planar grid graphs. The proposed algorithm takes time O(log n) with $O(n/sqrt{log\;n})$ processors in Priority PRAM model. In our knowledge, this is the first deterministic NC algorithm for a non-planar graph class.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.10 no.3
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• pp.220-224
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• 2017

In this paper, a method of feeding for the near field beam scanning array antenna with three dimensional focal point has been studied. The conventional array antenna theory is mostly about the far field points. The basic idea is to feed the transmitted signal so that it is in phase at the desired point. In this study, a method is proposed to compensate the phase to have the maximum received power at the point where the measurement point distance is near to the array antenna size. In the proposed method, 11 point source antennas are arrayed in three ways in free space. And the contour map is plotted by calculating the radiation patterns in the three dimensional space and the received signal intensities in the plane within the near space. As a result, it was confirmed that 3 dimensional beam scanning is possible also in the near field of the array antenna.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.16 no.9
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• pp.6360-6367
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• 2015

The location selection of the element that should guarantee easy visual perception, like the landmark, is the a topic that appears much in the design process. Recently, a graph analysis technique using computers has been applied in order to evaluate the visibility of the visual element, but the analytic frame is flat and the setting of the visual pont and the matrix are fixed so there were great limitations in obtaining the results of the practical analysis. Thus, this study presented Nondirectional Multi-Dimensional Calculation (MDVC-N), an analytic methodology available for the analysis of the dynamic visual point in the 3D environment. It thus attempted to establish the analytic application using the 3D computer graphics technology and designed a script structure to set the visual point and the matrix. In addition to that, this study tried to verify the analytic methodology by applying the complex land as an example model, where buildings in various heights of terrains with a high-differences are located, verifying the same analytic methodology. It thus tried to identify the visual characteristics of each alternative location. The following results were gained from the study. 1) The visibility can be measured quantitatively trough the application of the 6-alternatives. 2) Using the 3dimensional graph, intuitive analysis was possible. 3) It attempted to improve the analytic applicability by calculating the results corrected as a variable behavior from the local integration variable of the space syntax.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.20 no.2
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• pp.401-407
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• 2016

We can consider the following problems for two given points p and q in a simple polygon P. (1) Compute the set of points of P which are visible from both p and q. (2) Compute the set of points of P which are visible from either p or q. They are corresponding to the problems which are to compute the intersection and the union of two visibility polygons. In this paper, we consider algorithms for solving these problems on a reconfigurable mesh(in short, RMESH). The algorithm in [1] can compute the intersection of two general polygons in constant time on an RMESH with size O($n^3$), where n is the total number of vertices of two polygons. In this paper, we construct the planar subdivision graph in constant time on an RMESH with size O($n^2$) using the properties of the visibility polygon for preprocessing. Then we present O($log^2n$) time algorithms for computing the union as well as the intersection of two visibility polygons, which improve the processor-time product from O($n^3$) to O($n^2log^2n$).

• Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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• v.35 no.4
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• pp.215-226
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• 2022

Significant efforts have been devoted to developing high-performance composite materials by emulating the structure of biological creatures with superior mechanical characteristics. Nacre has been one of the most sought-after natural structures due to its exceptional fracture toughness compared with the constituent materials. However, the effect of manipulating the nacre-like geometry on the impact performance has not been fully investigated thus far. In this study, composites of randomly manipulated nacreous geometry are numerically developed and the impact performance is analyzed. We develop an algorithm by which the planar area of platelets in the nacre-like design is randomly resized. Thereafter, the numerical models of nonuniform nacre-patterned multi-layer structures are developed and the drop-weight impact simulation is performed. The impact behaviors of the model are evaluated by using the ratio of absorbed energy, the von Mises stress distribution, and the impact force-time curve. Therefore, the effect of the geometric irregularity on the nacre-patterned design is elucidated. This insight can be efficiently utilized in establishing the optimum design of the nacre-patterned structure.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.244-245
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• 2010

최근 광전자 분야에서는 미래 에너지 자원에 대한 관심과 함께 GaN 기반 발광다이오드 및 태양전지 연구가 활발히 진행되고 있다. GaN는 높은 전자 이동도와 높은 포화 속도 등의 광전자 소자에 유리한 특성을 가지고 있으나, 고 인듐 함유량과 막질의 우수한 특성을 동시에 구현하는 것은 매우 어렵다. 이를 극복하기 위한 방법으로써 선택 영역 박막 성장법(Selective Area Growth)은 마스크 패터닝을 통해 제한된 영역에서만 박막을 성장하는 방법으로써 GaN의 막질을 향상 시킬 수 있는 방법으로 주목받고 있다. 본 논문에서는 대면적 기판에서 GaN의 막질 향상뿐만 아니라 고인듐 InGaN 박막 성장을 위하여 서브마이크로미터 주기와 크기를 갖는 홀 패턴을 포토리소그라피 공정 최적화를 통해 구현할 수 있는 방법에 대해 논의한다. 그림. 1은 사파이어 기판 위에 선택 영역 박막 성장법을 이용하여 성장한 n-GaN/활성층/p-GaN의 구조를 나타낸 그림이다. 이를 통하여 서브마이크로미터 스케일의 반극성 InGaN면 위에 높은 인듐 함유량을 가지면서도 우수한 특성을 갖는 박막을 얻을 수 있다. 본 실험을 위하여 사파이어 기판 위에 SiO2를 증착한 후 포토레지스트(AZ5206)을 도포하고 포토리소그라피 공정을 진행하여 2um 크기 및 간격을 갖는 패턴을 형성했다. 그림. 2는 AZ5206에 UV를 조사(5초)하고 현상(23초)한 패턴을 윗면(그림. 2(a))과 $45^{\circ}$ 기울인 면(그림. 2(b)) 에서 본 SEM(Scanning Electron Microscope) 사진이다. 이를 통해 약 2.2um의 홀 패턴이 선명하게 형성 됨을 볼 수 있다. 그 후 수백나노 직경의 홀을 만들기 위해서 리플로우 공정을 수행한다. 그림. 3은 리플로우 온도에 따른 패턴의 홀 모양을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 측정한 표면의 사진이다. 이를 통해 2차원 평면에서 리플로우 온도 및 시간에 따른 변화를 볼 수 있다. 그림.3의 (a)는 리플로우 공정을 진행하기 전 패턴이고, (b)는 $150^{\circ}C$에서 2분, (c)는 $160^{\circ}C$에서 2분 (d)는 $170^{\circ}C$에서 2분 동안 리플로우 공정을 진행한 패턴이다. $150^{\circ}C$와 $160^{\circ}C$에서는 직경에 큰 변화가 없었고, $160^{\circ}C$에서는 시료별 현상 시간 오차에 따라 홀의 크기가 커지는 경향이 나타났다. 그러나 $170^{\circ}C$에서 2분간 리플로우 한 시료 (그림. 3(d))의 경우는 홀의 직경이 ~970nm 정도로 줄어든 것을 볼 수 있다. 홀의 크기를 보다 명확히 표현하기 위해 그림.3에 대응시켜 단면을 스캔한 그래프가 그림.4에 나타나 있다. 그림.4의 (a) 및 (b)의 경우 포토레지스트의 높이 및 간격이 일정하므로, 리플로우에 의한 영향은 거의 없었다. 그림. 4(c)의 경우 포토레지스트의 높이가 그림.4(a)에 비해 ~25nm 정도 낮은 것으로 볼 때, 과도 현상 및 약간의 리플로우가 나타났을 가능성이 크다. 그림. 4(d)에서는 ~970nm의 홀 크기가 나타나서 본 연구에서 목표로 하는 나노 홀 크기에 가장 가까워짐을 확인할 수 있었다. 따라서, $170^{\circ}C$ 이상의 온도와 2분 이상의 리플로우 시간 조건에서 선택 영역 성장을 위한 나노 홀 마스크의 크기를 제어할 수 있음을 확인하였다.