• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.33 no.10
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• pp.1117-1123
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• 1996

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.16 no.5
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• pp.397-403
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• 2003

Microwave dielectric properties of (1-x)ZnW $O_4$-xTi $O_2$ ceramic systems were investigated with calcination temperatures and Ti $O_2$ contents. The ZnW $O_4$ ceramic could be suitably sintered at 1075$^{\circ}C$ and showed the dielectric constant of 13.6, quality factor(Q$\times$ $f_{O}$value) of 22,000 and temperature coefficient of resonant frequency($\tau$$_{f}$) of -65$\pm$2ppm/$^{\circ}C$. Increasing the amount of Ti $O_2$ in the range of 0.25 to 0.45 mol, the dielectric constant and $\tau$$_{f}$ increased due to the role of Ti $O_2$ but the quality factor decreased due to the increase of phase boundaries. The 0.7ZnW $O_4$-0.3Ti $O_2$ ceramic showed the dielectric constant of 19.8, qualify factor(Q$\times$ $f_{0}$) of 20,000 and $\tau$$_{f}$ of -3$\pm$1ppm/$^{\circ}C$.>.EX>.>.>.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• v.33 no.7
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• pp.2133-2139
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• 2012

A new system using $TiO_2$ (nano-sized, band-gap 3.14 eV)-impregnated spherical ZnS (micro-sized, band-gap 2.73 eV) nano/micro-composites (Ti 0.001, 0.005, 0.01, and 0.05 mol %/ZnS) was developed to enhance the production of hydrogen from methanol/water splitting. The ZnS particles in a spherical morphology with a diameter of about 2-4 mm which can absorb around 455 nm were prepared by hydrothermal method. This material was used as a photocatalyst with loading by nano-sized $TiO_2$ (20-30 nm) for hydrogen production. The evolution of $H_2$ from methanol/water (1:1) photo splitting over the $TiO_2$/ZnS composite in the liquid system was enhanced, compared with that over pure $TiO_2$ and ZnS. In particular, 1.2 mmol of $H_2$ gas was produced after 12 h when 0.005 mol % $TiO_2$/ZnS nano/micro-composite was used. On the basis of cyclic voltammeter (CV) and UV-visible spectrums results, the high photoactivity was attributed to the larger band gap and the lower LUMO in the $TiO_2$/ZnS composite, due to the decreased recombination between the excited electrons and holes.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.3 no.1
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• pp.1-8
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• 1990

본 논문에서는 TiO$_{2}$첨가함량이 ZnO바리스터의 미세구조에 미치는 영양에 대해 검토하였다. 실험결과, TiO$_{2}$ 첨가함량이 증가함에 따라 ZnO 결정립의 평균크기는 점차적으로 감소하였으며 스피넬상은 증가하였다. 그리고 TiO$_{2}$ 첨가에 의해 ZnO 결정립은 불균일하게 이상형으로 거대 성장되었으며 첨가함량 증가에 따라 거래 성장된 결정립의 크기도 증가하였다. 또한 TiO$_{2}$ 첨가함량 증가에 따라 파괴전압이 저하하였으며 이는 ZnO 입자의 평균크기가 증가하기 때문인 것을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.301-302
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• 2012

본 연구에서는 ripple 형태의 ZnO 박막을 역구조 태양전지의 전자 수집층으로 사용하였으며, 원자층 증착법 (Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 $TiO_2$ 박막을 ZnO 표면에 증착하였다. $TiO_2$가 ZnO 표면 위에 약 <3nm 정도 두께의 초미세 박막으로 형성되었을 경우 태양전지의 성능이 향상되었다. 특히 Jsc (short-circuit current)와 전환효율 값의 향상을 보였다. 반면 $TiO_2$를 더 두껍게 증착되었을 경우 오히려 태양전지 성능이 떨어지는 결과를 얻었다. 이와 같은 결과 전자를 수집하는 ZnO 위에서 $TiO_2$가 장벽으로 작용함으로써 전자의 이동을 억제하기 때문으로 풀이된다. 반면 $TiO_2$가 초미세 박막으로 형성되었을 때 ZnO 표면에 존재하는 결함자리, 즉 전자와 정공이 재결합하는 자리를 덮어줌으로써 오히려 태양전지의 성능을 향상시키게 된다. 본 연구에서는 ALD 방법을 이용하여 $TiO_2$의 미세한 두께조절을 통해 태양전지 성능향상이 가능함을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07b
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• pp.898-901
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• 2004

[ $ZnCr_2O_4$ ]를 모물질로 하고 MgO, $TiO_2$를 몰비로 2:1, 4:1, 6:1, 및 8:1이 되게 정량적으로 조합한 후, 조사하였다. $ZnCr_2O_4$-MgO와 $ZnCr_2O_4-TiO_2$를 X-선 분석한 결과 Spinel 결정구조를 형성하였으며, 또한 SEM과 EDX 분석결과 각각 $Li_2CrO_4$와 $Li_3VO_4$의 형성으로 인하여 저항 특성이 나타나는 것을 알 수 있었다. $ZnCr_2O_4-MgO$, $ZnCr_2O_4-TiO_2$에서 MgO의 양이 증가할수록 저항값은 약간 감소하는 반면, $TiO_2$의 양이 증가할수록 저항값이 급격히 증가하는 특성을 나타내었고, 감습 특성에서도 M??보다 TiO2가 더 높게 나타내었다. 습에 따른 복원 특성의 경우 $700^{\circ}C$에서 소결한 ($ZnCr_2O_4:MgO=4:1$)과 ($ZnCr_2O_4:TiO_2=6:1$) 조성의 센서가 가장 양호하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1989.06a
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• pp.70-73
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• 1989

(1-x-y)Pb($Zn_{1/3}Nb_{2/3})O_3-Ba(Zn_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbTiO_3(0.12{\leq}x{\leq}0.21, 0.24{\leq}y{\leq}0.33$) ternary compound ceramics were fabricated by the mixed oxide method. The sintering temperature and time were 1050 [$^{\circ}C$], 2[hr]. Morphotropic phase boundary region was chosen for the composition. 0.55 PZN-0.21 BZN-0.24 PT specimen had the highest value of relative dielectric constants, 5353. The curie temperature of specimens were increased linearly with PT content. Near the morphotropic phase boundary, electro-mechanical coupoling factor and mechanical quality factor of the specimens had the highest values.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.19 no.1
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• pp.29-34
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• 2006

The effects of $B_2O_3$ addition on the low-temperature sintering behavior and microwave dielectric properties of $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ ceramic system were investigated. Highly dense samples were obtained at the sintering temperatures below $900^{\circ}C$. The $Q{\times}f_o$ values were determined by the microstructures and sintering shrinkages which are affected by the amount of $B_2O_3$ and sintering temperature. Temperature coefficient of resonance frequency($T_f$) changes to a positive value with increasing the amount of $B_2O_3$ due to the increased amount of rutile phase which is one of the reaction products between $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ and $B_2O_3$. For $6.19 moi.{\%}B_2O_3$-added $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ system, it exhibits ${\epsilon}_r$ = 23.5, $Q{\times}f_o$ = 53,000 GHz, and $T_f$ = 0 ppm/$^{\circ}C$ when sintered at $900^{\circ}C$ for 5 h.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.400-400
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• 2012

산화물 반도체는 넓은 에너지갭을 가지고 높은 이동성과 높은 투명성을 가지기 때문에 초고 속 박막 트랜지스터(Thin film transistor; TFT)에 많이 응용되고 있다. 그러나 ZnO 및 $In_2O_3$ 산화물 반도체를 박막트랜지스터에 사용할 경우 소자가 불안정하여 전기적 성질이 저하되고 문턱전압의 이동이 일어난다. TFT에 사용되는 산화물 반도체로는 GaInZnO, ZrInZnO, HfInZnO 및 GaSnZnO의 전기적 특성에 관한 연구가 많이 되었다. 그러나 titanium-indium-zinc-oxide (TIZO) TFT에 대한 연구는 비교적 적게 수행 되었다. 본 연구에서는 TFTs의 안정성을 향상하기 위하여 TFT의 채널로 사용되는 TiInZnO를 형성하는데 간단한 제조 공정과 낮은 비용의 용액 증착방법을 사용하였다. 졸-겔 전해액은 Titanium (IV) isopropoxide $[Ti(OCH(CH_3)_2)_4]$, 0.1 M Zinc acetate dihydrate $[Zn(CH_3COO)_2{\cdot}2H_2O]$ 그리고 indium nitrate hydrate $[In(NO_3)_3{\cdot}xH_2O]$을 2-methoxyethanol의 용액에 합성하였다. $70^{\circ}C$에서 한 시간 동안 혼합 하였다. Ti의 몰 비율은 10%, 20% 및 40% 로 각각 달리하여 제작하였다. $SiO_2$층 위에 2,500 rpm 속도로 25초 동안 스핀 코팅하여 TFT를 제작하였다. TIZO 박막에 대한 X-선 광전자 스펙트럼 관측 결과는 Ti 몰 비율이 증가함에 따라 Ti 2p1/2피크의 세기가 증가함을 보여주었다. TiZO 박막에 Ti 원자를 첨가하면 $O^{2-}$ 이온이 감소하기 때문에 전하의 농도가 변화하였다. 전하 농도의 변화는 TiZO 채널을 사용하여 제작한 TFT의 문턱전압을 양 방향으로 이동 하였으며 off-전류를 감소하였다. TiZO 채널을 사용하여 제작한 TFT의 드레인 전류-게이트 전압 특성은 on/off비율이 $0.21{\times}107$ 만큼 크며 이것은 TFT 소자로서 우수한 성능을 보여주고 있다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1987.11a
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• pp.234-238
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• 1987

In this paper, the used specimen composition was added basic additives ($Bi_2O_3\;lmol%$, $Sb_2O_3\;lmol%$, CoO 0.5 mol%, MnO 0.5mol%) to ZnO powder, and $TiO_2$ (1,2,3,4 mol%) to the above basic composition. It appears that there are four regions of conduction current depended upon the strength of the applied electric field ; Ohimic region, Poole-Frenkel region, Schottky region and Tunneling region. Increasing of $TiO_2mol%$, the breakdown voltages of ZnO ceramic varistors are decreased. The decrease of breakdown voltages was explained with the decrease of potential barrier height. Moreover, V-I characteristics with temperature dependence are decreased with increasing of $TiO_2mol%$.