• 제목/요약/키워드: $Yb^{3+}$ doped YAG

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고출력 microchip laser용 Yb:YAG 단결정의 결정성장 및 분광 특성 (Crystal Growth and Spectroscopic Properties of Yb:YAG Crystals for High Power Microchip Laser Applications)

  • 유영문;정석종;이성영;김병호
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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    • pp.246-247
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    • 2000
  • Yb$^{3+}$ 이온은 InGaAs LD 및 Ti:sapphire 레이저로 펌핑할 수 있는 940 nm에서의 흡수대를 가지고 있고, 1.03 $mu extrm{m}$의 형광방출 특성을 가지고 있으며, 지금까지 알려진 1 $\mu\textrm{m}$ 파장대의 레이저 활성이온 중에서 가장 적게 열을 발생하는 특성을 가지고 있음이 알려져 최근에는 Yb$^{3+}$ 이온을 첨가한 여러 가지 레이저 매질이 연구되고 있다.[1] 그 중에서도 Yb$^{3+}$ ion doped yttrium aluminum garnet (Yb:YAG) 단결정은 충분하게 넓은 흡수선폭, 좋은 열광학적 특성, 고출력 작동을 하게 하는 stokes shift, 그리고 LD에 의한 펌핑을 가능하게 하는 940 nm 영역에서의 흡수 및 긴 여기시간을 가진 이상적인 매질로 알려져 있다.[2] 이러한 특성으로 인해 Yb:YAG 단결정은 femtosecond 레이저 등 각종 레이저 시스템의 소형화[3]를 가져왔으며, 레이저 결정의 양산 가능성 및 레이저 기기의 소형화에 따르는 시스템의 가격 감소가 가능하므로 Yb:YAG microchip 레이저는 향후 고출력 레이저 기기 산업의 중추가 될 것으로 기대된다. (중략)

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YCOB($YCa_4O(BO_3)_3$)의 제2조화파 발생 (Second harmonic generation of YCOB($YCa_4O(BO_3)_3$))

  • 장원권
    • 한국광학회지
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    • 제10권4호
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    • pp.301-305
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    • 1999
  • Czocharlski pulling method에 의해 성장된 새로운 광학결정 YCOB($YCa_4O(BO_3)_3$)의 파장에 따른 위상 정합 조건을 제시하였으며, Nd:YAG 레이저의 1064nm의 출력을 기본파로 하였을 때 제2조화파 발생 효율을 조사하였다. 또한 $Yb^{3+}$이온과 $Nd^{3+}$ 이온이 도핑된 YCOB의 제2조화파 발생효율을 조사하여 희토류 이온 도핑에 따른 비선형성의 변화를 조사하였다.

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Czochralski 법으로 성장된 Yb3+ doped Y3Al5O12 단결정의 성장 분위기 및 도핑 농도에 따른 광학적 특성 (Optical properties of Yb3+ doped Y3Al5O12 single crystals derived by the Czochralski method according to growth atmosphere and doping concentration)

  • 심장보;이영진;강진기;이영국
    • 한국결정성장학회지
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    • 제25권2호
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    • pp.68-73
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    • 2015
  • $Yb^{3+}$ 이온이 25 at.%까지 치환된 $Y_3Al_5O_{12}$ 단결정을 Czochralski 법으로 성장시켰다. 0.8 mm/h의 인상속도와 10 rpm의 회전 속도로 40 mm의 결정 직경과 160 mm의 결정 길이를 가진 단결정을 얻었다. 결정 성장 분위기는 순수한 질 소 혹은 질소와 산소를 혼합한 가스 분위기였다. 순수한 질소 분위기에서는 청록색을 띤 결정이 성장되었고 99 %의 질소와 1 %의 산소를 혼합한 가스 분위기에서 성장한 결정은 무색이었다. 농도 분석결과를 보면, 결정의 길이가 길어짐에 따라 $Yb^{3+}$의 농도는 감소하고, core 영역의 $Yb^{3+}$ 농도는 core 없는 영역보다 다소 높게 검출되었다. $Yb^{3+}$ 이온의 도핑 농도가 증가함에 따라 형광 수명은 감소하였다.