The monodisperse spherical $SiO_2$ particles were overcoated with $Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphor layers via a Pechini sol-gel process and the resulting $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ core-shell phosphors were subsequently annealed at $800^{\circ}C$ at an ambient atmosphere. The crystallographic structure, morphology, and luminescent property of core-shell structured $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors were characterized by X-ray diffraction (XRD), field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), and photoluminescence (PL). The spherical, nonagglomerated $SiO_2$ particles prepared by a Stober method exhibited a relatively narrow size distribution in the range of 260-300 nm. The thickness of phosphor shell layer in the core-shell particles can be facilely controlled by varying the coating number of $Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors. The core-shell structured $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors showed a strong red emission, which was dominated by the $^5D_0-^7F_2$ transition (610 nm) of $Eu^{3+}$ ion under the ultraviolet excitation (263 nm). The PL emission properties of $SiO_2@Y_2O_3:Eu^{3+}$ phosphors were also compared with pure $Y_2O_3:Eu^{3+}$ nanophosphors.
$Ca_3MgSi_2O_8:Eu^{2+}$(x = 0.003, 0.005, 0.007, 0.01, 0.03 mol) white phosphors for Light Emitting Diodes(LED) are synthesized with different concentrations of $Eu^{2+}$ ions using a solid state reaction method. The crystal structures, surface and optical properties of the phosphors are investigated using X-Ray Diffraction(XRD), Scanning Electron Microscope(SEM) and photoluminescence(PL). The X-Ray Diffraction results reveals that the crystal structure of the $Ca_3MgSi_2O_8:Eu^{2+}$ is a monoclinic system. The particle size of $Ca_3MgSi_2O_8:Eu^{2+}$ white phosphors is about $1{\sim}5{\mu}m$, as confirmed by SEM images. The maximum emission spectra of the phosphors are observed at 0.01 mol $Eu^{2+}$ concentration. The decrease in PL intensity in the $Ca_3MgSi_2O_8:Eu^{2+}$ white phosphors with $Eu^{2+}$ concentration is interpreted by concentration quenching. The International Commission on Illumination(CIE) coordinate of 0.01 mol Eu doped $Ca_3MgSi_2O_8$ is X = 0.2136, Y = 0.3771.
We have synthesized an $Eu^{2+}$-activated $Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $Ba_2SiO_4$ green phosphor and $Ba^{2+}$ co-doped $Sr_3SiO_5$ red phosphor investigated an attempt to develop white LEDs by combining it with a GaN blue LED $chip(\lambda_{em}=405 nm)$. Three distinct emission bands from the GaN-based LED and the $(Sr_3MgSi_2O_8:Eu\; +\; Ba_2SiO_4:Eu\; +\; Ba^{2+}\; co-doped\; Sr_3SiO_5:Eu)$ phosphor are clearly observed at 460nm, 520 nm and at around 600 nm, respectively. These three emission bands combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. Our results show that GaN (405 nm chip)-based $(Sr_3MgSi_2O_8:Eu\; +\; Ba_2SiO_4:Eu\; +\; Ba^{2+}\; co-doped\; Sr_3SiO_5:Eu) exhibits a better luminous efficiency than that of the industrially available product InGaN (460 nm chip)-based YAG:Ce.
Ba2-xSrxSiO4:Eu2+ phosphor particles with the high photoluminescence (PL) intensity under long wavelength ultraviolet (UV) were prepared by spray pyrolysis. The photoluminescence, morphological and crystalline characteristics of $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ phosphor particles prepared by spray pyrolysis were investigated. $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ phosphor particles prepared by spray pyrolysis had various colors from bluish green to yellow by changing the ratio of barium and strontium of the host material. In case of x=0, the main emission peak of $Ba_2SiO_4:Eu^{2+}$ phosphor was 500 nm. In case of x=2, the main emission peak of $Sr_2SiO_4:Eu^{2+}$ phosphor was 554nm. $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ phosphor particles obtained by spray pyrolysis had spherical shape and hollow structure. On the other hand, the post-treated $Ba_{2-x.}Sr_{x.}SiO_4:Eu^{2+}$ phosphor particles had large size and irregular shape. The $Ba_{1.488}Sr_{0.5}SiO_4:Eu_{0.012}{^{2+}}$ phosphor particles had the maximum PL intensity after post-treatment at temperature of $1300^{\circ}C$ for 3h under reduction atmosphere.
We uniformly coated Eu(III)- and Tb(III)-doped yttrium oxide onto the surface of $SiO_2$ spheres and then characterized them by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), X-ray diffraction crystallography and UV-Visible absorption. 2D and 3D photoluminescence image map profiles were reported for the core-shell type structure. Red emission peaks of Eu(III) were observed between 580 to 730 nm and assigned to $^5D_0{\rightarrow}^7F_J$ (J = 0 - 4) transitions. The green emission peaks of Tb(III) between 450 and 650 nm were attributed to the $^5D_4{\rightarrow}^7F_J$ (J = 6, 5, 4, 3) transitions. For annealed samples, Eu(III) ions were embedded at a $C_2$ symmetry site in $Y_2O_3$, which was accompanied by an increase in luminescence intensity and redness, while Tb(III) was changed to Tb(IV), which resulted in no green emission.
Kim, Hyun-Ho;Chung, Kang-Sup;Lee, Seoung-Won;Kim, Byoung-Gyu
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.49
no.1
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pp.105-110
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2012
In this paper, a yellow phosphor $Sr_3SiO_5:Eu^{2+}$ that emits efficiently at the 450 nm excitation for warm white LED is studied. In addition, the effects of various flux $BaF_2$, $NH_4Cl$ on the emission spectra were investigated. The samples were synthesized through conventional solid state reaction under reducing atmosphere of 95% $N_2$-5% $H_2$ mixture at the high temperature. All phosphors showed a excitation band from 450 nm and broad band emission peaking at region of 580 nm. The optimal concentration of $BaF_2$ flux is 3 wt% for $Sr_3SiO_5$ with doping 0.05mol Eu phosphors fired in a reductive atmosphere. The phosphor showed highest emission peaking at 582 nm.
We have synthesized bluish-green, highly-efficient $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$ and $(Ba,Sr)Si_2O_2N_2:Eu^{2+}$ phosphors through a conventional solid state reaction method using metal carbonate, $Si_3N_4$, and $Eu_2O_3$ as raw materials. The X-ray diffraction (XRD) pattern of these phosphors revealed that a $BaSi_2O_2N_2$ single phase was obtained. The excitation and emission spectra showed typical broadband excitation and emission resulting from the 5d to 4f transition of $Eu^{2+}$. These phosphors absorb blue light at around 450 nm and emit bluish-green luminescence, with a peak wavelength at around 495 nm. From the results of an experiment involving Eu concentration quenching, the relative PL intensity was reduced dramatically for Eu = 0.033. A small substitution of Sr in place of Ba increased the relative emission intensity of the phosphor. We prepared several white LEDs through a combination of $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$, YAG:$Ce^{3+}$, and silicone resin with a blue InGaN-based LED. In the case of only the YAG:$Ce^{3+}$-converted LED, the color rendering index was 73.4 and the efficiency was 127 lm/W. In contrast, in the YAG:$Ce^{3+}$ and $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$-converted LED, two distinct emission bands from InGaN (450 nm) and the two phosphors (475-750 nm) are observed, and combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. The range of the color rendering index and the efficiency were 79.7-81.2 and 117-128 lm/W, respectively. The increased values of the color rendering index indicate that the two phosphor-converted LEDs have improved bluish-green emission compared to the YAG:Ce-converted LED. As such, the $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$ phosphor is applicable to white high-rendered LEDs for solid state lighting.
Y2SiO5 Powder based on silicon and yttrium is well known as powder phosphors due to their excellent sustainability and efficiency. A new electroluminescence device was fabricated with Y2SiO5:Eu3+ powder phosphors though a simple screen printing method. The powder-dispersed electroluminescence device consisted of the Y2SiO5:Eu3+ powder-dispersed phosphor layer and BaTiO3-dispersed dielectric layer. The annealing temperature of the phosphor for the best powder electroluminescence performance was optimized to high temperature in ambient atmosphere though a solid-state reaction. The Eu3+ concentration for the best device performance was also investigated and furthermore, the thermal dependence of the electroluminescence intensity was investigated at the operating voltage at 100℃, which is the Curie temperature of the BaTiO3 layer. And the intensity was exponentially increased with voltage and increased linearly with frequency.
In this study, green barium strontium silicate phosphor ($BaSrSiO_4:Eu^{3+}$, $Eu^{2+}$) was synthesized using a solid-state reaction method in air and reducing atmosphere. Investigation of the firing temperature indicates that a single phase of $BaSrSiO_4$ is formed when the firing temperature is higher than $1400^{\circ}C$. The effect of firing temperature and doping concentration on luminescent properties are investigated. The light-emitting property was the best when the molar content of $Eu_2O_3$ was 0.025 mol. Also, the luminescent brightness of the $BaSrSiO_4$ fluorescent substance was the best when the particle size of the barium was $0.5{\mu}m$. $BaSrSiO_4$ phosphors exhibit the typical green luminescent properties of $Eu^{3+}$ and $Eu^{2+}$. The characteristics of the synthesized $BaSrSiO_4:Eu^{3+}$, $Eu^{2+}$ phosphor were investigated using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy. The maximum emission band of the $BaSrSiO_4:Eu^{3+}$, $Eu^{2+}$ was 520 nm.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.48
no.5
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pp.211-217
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2015
To fabricate white LED having a high color rendering index value, red color phosphor mixed with the green color phosphor together in the blue chip, namely the blue chips with RG phosphors packaging is most favorable for high power white LEDs. In our previous papers, we reported on successful syntheses of $Sr_{2-}$$Si_5N_8:Eu^{2+}$ and $CaAlSiN_3$ phosphors for red phosphor. In this work, for high power green phosphor, greenemitting ternary nitride $Ba_3Si_6O_{12}N_2:Eu^{2+}$ phosphor was synthesized in a high frequency induction furnace under $N_2$ gas atmosphere at temperatures up to $1400^{\circ}C$ using $EuF_3$ as a raw material for $Eu^{2+}$ dopant. The effects of molar ratio of component and experimental conditions on luminescence property of prepared phosphors have been investigated. The structure and luminescence properties of prepared $Ba_3Si_6O_{12}N_2:Eu^{2+}$ phosphors were investigated by XRD and photoluminescence spectroscopy. The excitation spectra of $Ba_3Si_6O_{12}N_2:Eu^{2+}$ phosphors indicated broad excitation wavelength range of 250 - 500 nm, namely from UV to blue region with distinct enhanced emission spectrum peaking at ${\approx}530nm$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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