산화물 제어봉 물질로서 $Dy_xTi_yO_z$ 소결체를 powder process에 의해 제조하였다. $Dy_2O_3+TiO_2$ 혼합분말의 소결성과 고용체의 상을 TMA와 XRD로써 각각 분석하였으며, 소결체의 비열과 열확산계수를 측정하여 열전도도를 구하였다. $Dy_xTi_yO_z$에서 Dy의 함량에 따라 소결성과 밀도가 변하였고 $3\;g\;Dy/cm^3\;Dy_xTi_yO_z$의 경우 $1580{\circ}C$의 소결온도에서 용융이 일어났다. $4.00\;g\;Dy/cm^3$ 소결체에는 $Dy_2TiO_5+Dy_2Ti_2O_7$의 두 상이 존재하며 $4.54\;g\;Dy/cm^3$의 경우 $Dy_2TiO_5$의 단일 상만이 존재하는 결과를 보였다. $Dy_xTi_yO_z$의 열전도도는 $25~600{\circ}C$ 범위에서 온도에 따라 큰 변화가 없으며 $1600{\circ}C$ 소결체가 1.69∼1.78 W/mK, 1550$^{\circ}C$ 소결체의 경우에는 1.49~1.55 W/mK이었다.
$Sr_xBa_{(1-x)}TiO_3$ red phosphors doped with Pr(0.13 mol%) and Al(O.23 mol%) were synthesized by solid state reaction method. Orthorhombic perovskite structure with increasing value of x in $Sr_xBa_{(1-x)}TiO_3$:Pr,Al phosphors changed to cubic perovskite structure. Emission bands at 615 nm and 492 nm in $Sr_{0.25}Ba_{0.75}TiO_3$:Pr,Al and $BaTiO_3$:Pr,Al phosphors were observed at room temperature. The main cause of green luminescence at 492 nm was explained by the change of the 4f5d band.
본 연구에서는 알콕사이드를 전구물질로 하는 졸겔공정을 이용하여 Bi 과잉 12 mol%의 조성인 B $i_4$$Ti_3$$O_{12}$ 박막과 B $i_4$$Ti_{3-x}$T $a_{x}$$O_{12}$(x=0.1, 0.2, 0.3) 박막을 제조하였다. XPS 분석에 따르면 Ta 치환 x=0.2에서 Bi 4f의 photoemission 곡선이 낮은 결합에너지로 이동하였고 피크 강도가 감소하는 현상이 관측되었다. 이는 x=0.1과 0.2 사이에서 Bi-O 결합이 길어져 인장상태 하에 있었음을 나타내었다. B $i_4$$Ti_3$$O_{12}$(BIT) 박막의 유전상수와 유전손실은 100 kHz에서 340, 0.05이었고, B $i_4$$Ti_{3-x}$T $a_{x}$$O_{12}$ 박막에서 이들 값은 x=0.1에서 가장 높았으며, 각각 480, 0.13이었다. B $i_4$$Ti_3$$O_{12}$ 박막의 잔류분극과 항전계는 1.24$\mu$C/$ extrm{cm}^2$, 31.4 kV/cm 이었으나, Ta 치환 x=0.2에서 이들 값은 각각 19.7$\mu$C/$\textrm{cm}^2$, 49.5 kV/cm 에 이르렀다. 또한, B $i_4$$Ti_3$$O_{12}$ 박막의 누설전류 밀도는 ~$10^{-6}$ A/$\textrm{cm}^2$ 정도이었으며, Ta 치환은 누설전류를 감소시켜 Ta 치환 x=0.2 이상에서 BIT 박막에 비해 한 차수 정도 낮아졌다. Ta 치환에 따른 B $i_4$$Ti_3$$O_{12}$ 전기 물성에서 변화는 Bi-O 결합에서 관측된 인장상태로의 전이와 연관성이 있었으며, 덧붙여 치환에서 생성된 전자에 의한 정공보상이 이에 영향을 끼쳤다. 정공보상이 이에 영향을 끼쳤다.끼쳤다.
A site preference of niobium atom in Rb2-xLa2Ti3-xNbxO10 (0.0 $\leq$ x $\leq1.0)$ and RbLa2-xCaxTi2-xNb1+xO10 (0.0 $\leq$ x $\leq2.0)$, which are the solid-solutions between Rb2La2Ti3O10 and RbCa2Nb3O10, has been investigated by Raman spectroscopy. The Raman spectra of Rb2-xLa2Ti3-xNbxO10 (0.0 $\leq$ x $\leq1.0)$ gave an evidence that niobium atoms substituted for titanium atoms preferably occupy the highly distorted outer octahedral sites rather than the central ones in triple-octahedral perovskite layers. In contrast, the Raman spectra of RbLa2-xCaxTi2-xNb1+xO10 (0.0 $\leq$ x $\leq2.0)$ showed no clear information for the cationic arrangement in perovskite slabs. This difference indicated that a site preference of niobium atoms is observed only when the linear Rb-O-Ti linkage can be replaced by much stronger terminal Nb-O bond with double bond character. From comparison with the Raman spectroscopic behavior of CsLa2-xA’xTi2-xNb1+xO10 (A’ = Ca and Ba; 0.0 $\leqx\leq2.0)$, it is also proposed that a local difference in arrangement of interlayer atoms causes a significantly different solid acidity and photocatalytic activity of the layered perovskite oxides, despite their crystallographically similar structures.
Microwave dielectric properties of (1-x)ZnW $O_4$-xTi $O_2$ ceramic systems were investigated with calcination temperatures and Ti $O_2$ contents. The ZnW $O_4$ ceramic could be suitably sintered at 1075$^{\circ}C$ and showed the dielectric constant of 13.6, quality factor(Q$\times$$f_{O}$value) of 22,000 and temperature coefficient of resonant frequency($\tau$$_{f}$) of -65$\pm$2ppm/$^{\circ}C$. Increasing the amount of Ti $O_2$ in the range of 0.25 to 0.45 mol, the dielectric constant and $\tau$$_{f}$ increased due to the role of Ti $O_2$ but the quality factor decreased due to the increase of phase boundaries. The 0.7ZnW $O_4$-0.3Ti $O_2$ ceramic showed the dielectric constant of 19.8, qualify factor(Q$\times$$f_{0}$) of 20,000 and $\tau$$_{f}$ of -3$\pm$1ppm/$^{\circ}C$.>.EX>.>.>.
Jang, J. S.;Borse, P. H.;Lee, J. S.;Lim, K. T.;Jung, O. S.;Jeong, E. D.;Bae, J. S.;Kim, H. G.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제32권1호
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pp.95-99
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2011
$CaTi_{1-x}Fe_xO_3(0{\leq}x{\leq}0.4)$ solid solution photocatalysts were synthesized by iron doping during the conventional solid state reaction at $1100^{\circ}C$ for 5 h and characterized by ultraviolet-visible (UV-vis) absorption spectroscopy, X-ray diffraction, morphological analysis. We found that $CaTi_{1-x}Fe_xO_3$ samples not only absorb UV but also the visible light photons. This is because the Fe substitution at Ti-site in $CaTi_{1-x}Fe_xO_3$ lattice induces the band transition from Fe3d to the Fe3d + Ti3d hybrid orbital. The photocatalytic activity of Fe doped $CaTiO_3$ samples for hydrogen production under UV light irradiation decreased with the increase in the Fe concentration. There exists an optimized concentration of iron in $CaTiO_3$, which yields a maximum photocatalytic activity under visible light ($\lambda\geq420nm$) photons.
The $0.96MgTiO_{3}-0.04SrTiO_{3}+xCe(x=0{\sim}1.6wt%)$ ceramics were fabricated by the conventional mixed oxide method. The sintering temperature and time were $1300^{\circ}C$, 2hr., respectively. From the X-ray diffraction patterns, it was found that the perovskite $SrTiO_{3}$ and ilmenite $MgTiO_{3}$ structures were coexisted in the $0.96MgTiO_{3}-0.04SrTiO_{3}+xCe(x=0{\sim}1.6wt%)$ ceramics. The dielectric constant$(\varepsilon_{r})$ was increased with addition of Ce. The temperature coefficient of resonant frequency$(\Gamma_{f})$ was gradually varied from positive value to the negative value with increasing the Ce. The temperature coefficient of resonant frequency of the $0.96MgTiO_{3}-0.04SrTiO_{3}+0.2Ce$ ceramics was near zero, where the dielectric constant, quality factor, and $\Gamma_{f}$ were 20.68, 50,272 and ${-0.5ppm/^{\circ}C}$, respectively.
The 0.96MgTiO$_3$-0.04SrTiO$_3$+xCe(x=0∼1.6 wt%) ceramics were fabricated by the conventional mixed oxide method. The sintering temperature and time were 1300$^{\circ}C$, 2hr., respectively. From the X-ray diffraction patterns, it was found that the perovskite SrTiO$_3$ and ilmenite MgTiO$_3$ structures were coexisted in the 0.96MgTiO$_3$-0.04SrTiO$_3$+xCe(x=0∼1.6 wt%) ceramics. The dielectric constant($\varepsilon$$\sub$r/) was increased with addition of Ce. The temperature coefficient of resonant frequency($\tau$$\sub$f/) was gradually varied from positive value to the negative value with increasing the Ce. The temperature coefficient of resonant frequency of the 0.96MgTiO$_3$-0.04SrTiO$_3$+0.2Ce ceramics was near zero, where the dielectric constant, quality factor, and $\tau$$\sub$f/ were 20.68, 50, 272 and -0.5pm/$^{\circ}C$, respectively.
강유천체 $Pb_5Ge_{3-x}Ti_xO_{11}$ 단결정을 x=0.015, 0.021, 0.03의 조성에 대하여 Czochralski법으로 성장시켰으며, 성장시킨 단결정의 색상은 맑고 투명한 연한 노란색이었다. $Pb_5Ge_{3-x}Ti_xO_{11}$ 단결정의 유전완화에 관한 연구를 위한 측정은 주파수범위 100 Hz에서 10 MHz까지 온도범위 $20^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$까지 변화 시키면서 하였다. 측정결과 유전을 최대값이 되는 온도는 Ti 성분이 증가함으로 낮은 온도로 이동하였으며, 유전율의 최대값의 크기는 Ti 성분의 증가에 따라 감소하였다. $Pb_5Ge_{3-x}Ti_xO_{11}$ 단결정의 유전응답의 주파수 의존성은 완화시간 분포와, Debye 완화형태를 가졌으며, 유전적 거동은 캐리어가 우세한 반응의 특징을 나타내었다.
50Li$_2$O-xTiO$_2$-(50-x)P$_2$O$_{5}$의 조성을 가진 유리에서 중간산화물인 TiO$_2$의 치환량을 증가시키면서 유리를 제조하여 전기 전도도의 변화를 고찰하였다 TG-DTA를 이용하여 열적 특성을 관찰하였으며, FT-IR을 이용하여 유리의 구조변화를 관찰하였다. TiO$_2$의 양이 증가함에 따라 밀도와 유리 전이온도는 증가하였다. 이는 유리 내에서 P-O-Ti 교차결합이 형성되면서 결합 강화가 발생하기 때문이다. 전기 전도도는 TiO$_2$치환량과 함께 증가하여 x=20에서 1.27$\times$$10^{-6}$ S/cm(상온)의 최대값을 나타내었다. 전기 전도도는 유리의 지배적 구조가 pyrophosphate unit으로 변화하면서 크게 증가하는 것을 관찰할 수 있었으며, 이는 비가교 산소의 증가로 인한 Li+ 이동도의 증가 때문이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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