• 대한화학회지
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• 제54권1호
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• pp.120-124
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• 2010

용액침전법에 의해 $TiO_2$ 및 $TiO_{2-x}N_x$를 제조하였다. $TiO_{2-x}N_x$ 시료는 순수한 $TiO_2$의 띠 간격인 3.20 eV (390 nm 흡광)로부터 1.77 eV (700 nm 흡광)까지 띠 간격이 줄어들게 되어 자외선 영역 뿐 아니라 가시광선 전체 영역에서도 흡광이 발생하였다. 가시광선에서의 광촉매 활성에서도 $TiO_{2-x}N_x$ 시료는 순수한 $TiO_2$ 및 P-25보다도 더 높은 활성도를 나타냈다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제55권7호
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• pp.344-348
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• 2006

The effect of x on microwave dielectric properties of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-x(TiO_2,\;CaTiO_3,\;SrTiO_3)$ ceramics for microwave components were investigated. All spcecimens prepared by the conventional mixed oxied method and sintered at $1450^{\circ}C$. Microwave dielectric properties of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-xTiO_2$ ceramics were influenced by $MgTi_2O_5$ phase. Also the microwave dielectric properties of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-x(TiO_2,\;CaTiO_3,\;SrTiO_3)$ ceramics were dominated with an addition of $CaTiO_3\;and\;SrTiO_3$. The dielectric constant $(\varepsilon_r)$, quality factor $(Q{\times}f_r)$ and temperature coefficient of the resonant frequency $(TCRF,\;\tau_f)$ of the $(1-x)Mg_4Ta_2O_9-x(TiO_2,\;CaTiO_3,\;SrTiO_3)$ ceramics were $12.96\sim70.98,\;5,132\sim186,410GHZ$ and $-35.82\sim+75.96ppm/^{\circ}C$, respectively, and depend on x and addition materials.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권9호
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• pp.995-1004
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• 1994

Phase relation and microwave dielectric properties of the system BaO.(Nd1-xSmx)2O3.TiO2 (n=4, 5) were studied. With n=5 (1 : 1 : 5), Ba2Ti9O20 and TiO2 formed in case of X$\leq$0.7, and Ba2Ti9O20 and Sm2Ti2O7 formed at X=1.0 as the second phases dispersed in fine-grained orthorhombic matrix phase. With n=4 (1 : 1 : 4). on the contrary, only fine grains of an ortho-rhombic phase were observed irrespective of Nd/Sm ratio. The compositions of these two stable orthorombic phases having distinct lattic constants even with the same Nd/Sm ratio were estimated as 4BaO.5(Nd1-xSmx)2O3.18TiO2 and BaO.(Nd1-xSmx)2O3.4TiO2 with n=5 and n=4 in the system BaO.(Nd1-xSmx)2O3.TiO2, respectively. Consequently the composition BaO.(Nd1-xSmx)2O3.5TiO2 lies in the compatible triangle of 4BaO.5(Nd1-xSmx)2O3.18TiO2 and the second phases mentioned above. The microwave dielectric properties (~4 GHz) of BaO.(Nd1-xSmx)2O3.5TiO2 can be controlled effectively by adjusting Sm content : with increasing X from 0 to 0.7, both dielectric constant and the temperature coefficient of resonant frequency decreased monotonically from 82 to 65 and from 91 (ppm/$^{\circ}C$) to -19(ppm/$^{\circ}C$), respectively, while unloaded Q(Qo) remained constant at about 2,600.

• 대한화학회지
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• 제57권4호
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• pp.483-488
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• 2013

$CuCl_2$로부터 용액합성법에 의해 CuO를 제조하였다. $CuCl_2$를 용액에 첨가하기 전에 용액내에 anatase형 $TiO_2$ 입자를 분산시켜 CuO가 형성되는 과정에서 $TiO_2$/CuO 결합입자를 합성하였다. 얻어진 $TiO_2$/CuO에 적당량의 글루코스를 가하여 반응시켜 CuO의 일부를 $Cu_2O$로 환원시켰다. 얻어진 시료 $TiO_2/Cu_xO$ (1$TiO_2/Cu_xO$ 복합체는 anatase와는 다르게 가시광선 전 영역에서 흡광이 발생했으며 당연한 결과로 태양광선에서 $TiO_2/Cu_xO$ 복합체의 광촉매 활성은 anatase $TiO_2$에 비하여 매우 뛰어난 것으로 나타났다. 또한 $TiO_2/Cu_xO$ 복합체의 항균성이 대단히 뛰어난 것으로 나타났다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권3호
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• pp.478-486
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• 1998

$CaCO_3,\;LaO_3,\;Nd_2O_3\;TiO_2의 혼합물을 1673K에서 소결하여 마이크로파 유전체 세라믹스재료로 응용이 가능한 (1-x)$CaTiO_3-x(La_{1/3}Nd_{1/3}TiO_3\;(0\letextrm x\le0.8)$계를 합성하였다. (1-x))$CaTiO_3-x(La_{1/3}Nd_{1/3}TiO_3\;(0\lex\le0.8)$계의 격자 정수는 x가 증가함에 따라 증가하였다. XRD의 Rietveld profile-analysis를 통하여 (1-x))$CaTiO_3-x(La_{1/3}Nd_{1/3}TiO_3\;(0\le \textrm {x} \le0.8)$계의 결정구조를 해석하였다. $0\le \textrm {x}\le0.8$의 모든 영역에서 양이온 $La^{3+},Nd^{3+}$는 $Ca^{2+}$ 자리에 점유하였다. x=0.6까지는 $CaTiO_3$와 같은 공간군 Pnma를 그대로 유지하였으며, x가 증가함에 $TiO_6$의 비틀림과 변형은 점차 감소하였다. x=0.8에서는 새로운 공간군 $Pmn2_1$으로 결정구조의 변화를 보였다. (1-x)$CaTiO_3-x(La_{1/3}Nd_{1/3}TiO_3\;(0\le \textrm {x}\le0.8)$계의 비유전율($\epsilon$r)은 x가 증가함에 따라 지수 함수적으로 감소하였다. 공진 주파수의 온도계수($\tau_f$)는 x=0.6까지 증가함에 따라 감소하였으나 x=0.8에서는 결정구조의 변화와 더불어 다시 증가하였다. Q.$\tau_f$값은 x=0.2에서는 13800(GHz)을 나타낸 후 0$0.4\le \textrm {x}\le0.8$ 영역에서는 2000 (GHz)의 매우 낮은 값을 나타내었다.

• 대한화학회지
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• 제38권4호
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• pp.309-318
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• 1994

La$_2O_3$-변형 BaTi$O_3$의 안정한 결함구조와 단일상 영역을 X-선 회절분석기와 주사전자현미경을 사용하여 연구하였다. La$_2O_3$-변형 BaTi$O_3$의 안정한 결함구조는 La$^{3+}$ 이온이 격자구조내의 Ba$^{3+}$ 이온을 치환하고 Ti빈자리가 전하 불균형을 보상하기 위한 결함으로 생성된 [($Ba^x_{Ba})_{1-2x}(La{\cdot}_{Ba})_{2x}][Ti^x_{Ti})_{1-x/2}(V""_{Ti})_{x/2}]O_3$이다. 안정한 결함구조가 형성되도록 BaTi$O_3$에 La$_2O_3{\cdot}3/2TiO_3$를 혼입할 때 단위격자는 약 3 mol%가 혼입될 때부터 정방정에서 입방정으로 변하였고, 고용한계는 약 14 mol%이었다. La2$O_3{\cdot}3/2TiO_2$를 고용한계 이상으로 혼입할 때는 이차상으로 La_4Ba_2Ti_5O){18}$가 생성되었다. La$_2O_3$-변형 BaTi$O_3$ 조성에서 BaO가 과량 존재하면 소결성이 나쁘지만, Ti$O_2$가 과량으로 존재하면 액상소결에 의하여 소결성이 좋아짐을 확인할 수 있다.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권4호
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• pp.448-454
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• 1995

The effect of WO3 addition on microwave dielectric properties of BaTiO3-3{(1-x)TiO2-xWO3} system was studied. Addition of WO3 to this system resulted in the formation of BaWO4 and Ba2Ti9O20 phases. Both the dielectric constant (K) and the temperature coefficientof resonant frequency (Tf) were decreased with the amount of WO3 addition. The value of Q$\times$f0 was increased as the amount of WO3 was increased up to x=0.0275, and then decreased when x exceeded 0.03. At x=0.0275, this ceramic showed excellent microwave proprties of K=34-35, Q$\times$f0=50,000-53,000, and near zero ppm/$^{\circ}C$ of Tf.

• 한국진공학회지
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• 제11권4호
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• pp.240-248
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• 2002

결정성이 좋을 것으로 기대되는 Fe이 도핑된 $Fe_{x}Ti_{l-x}O_2$박막 (x=0.07과 0.16)을 rutile $TiO_2$(110) 기판위에 산소 플라즈마 적층 성장 방법으로 성장시켰다. 도핑되는 Fe의 함량에 따른 표면 특성을 규명하기 위하여 박막 성장은 같은 조건에서 이루어졌다. 여러 가지의 표면분석법을 이용하여 성장된 박막의 표면 특성을 규명하였다. $Fe_{x}Ti_{l-x}O_2$박막에 존재하는 Ti의 산화상태는 +4 이었고 Fe의 경우는 +2와 +3의 산화상태가 섞여있었으며 Fe의 함량이 높은 $Fe_{0.16}Ti_{0.84}O_2$박막에서 $Fe^{3+}$ 이온의 함량이 더 높은 것으로 나타났다. $Fe_{0.07}Ti_{0.93}O_2$박막은 기판과 유사한 평탄한 표면에 막대형과 원통형의 높은 island 형태로 성장되었다. $Fe_{0.16}Ti_{0.84}O_2$박막은 $Fe_{0.07}Ti_{0.93}O_2$ 박막보다는 평탄하지만 적은 island들이 뭉쳐있는 다소 거칠은 표면을 한 다결정성 형태로 성장되어 Fe의 함량에 따라 morphology가 다르게 나타났다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1257-1261
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• 1994

Phsysical and dielectric properties of $(1-x)CaTiO_3-xLa(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ ceramics were investigated at the temperature range of $25^{\circ}C$ to $80^{\circ}C$ at the frequency of 6 GHz. As increasing addition of the amount of $La(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$ to x = 5 mol,Q value was increased due to grain growth and increase of density. For more addition, Q value decreased due to electrical defect. Temperature coefficient of resonant frequency could be controlled by the amount of $La(Zn_{1/2}Ti_{1/2})O_3$, which could be explained by volume mixing rule.

• 한국재료학회지
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• 제8권7호
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• pp.659-663
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• 1998

BaO.$Nd_{2}O_{3}$.$4TiO_{2}$세라믹스에서 Bi 치환위치 및 Bi 치환 량에 따른 상, 미세구조, 마이크로파 유전특성 등을 조사하였다. BaO.$Nd_{2}O_{3}$.$4TiO_{2}$ 세라믹스의 Nd 치환되어 $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$고용체 (0$\leq$x$\leq$0.2)를 형성하였다. $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$에서 Bi 치환 량이 x=0에서 x=0.2까지 증가됨에 따라 입자크기가 계속 증가하였으며, 유전상수는 84에서 108까지 계속 증가하였고, 공진 주파수의 온도계수는 $44 ppm^{\circ}C$에서 $-30ppm^{\circ}C$로 계속 감소하였다. $BaO.(Nd_{1-x}Bi_x)_2O_3.4TiO_2$조성에서 Bi 치환 량이 x=0.04에서 0.08사이일 때 가장 양호한 마이크로파 유전특성이 얻어졌으며 이 때의 유전상수 (${\varepsilon}_r$)는 89~92, Q, f는 5855-6091 GHz, 그리고 공진 주파수의 온도계수 (${\tau}_f$)는 -7.7-7.5 ppm/$^{\circ}C$이었다.