• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제14권4호
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• pp.237-242
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• 2014

본 연구의 목적은 저탄성계수 Ti-30Ta 합금에 Zr 원소를 첨가하여 표면 특성 및 부식 거동을 조사하였다. 저탄성계수 Ti-30Ta-xZr(x : 3, 7, 15 wt %)합금은 아크 멜팅기로 제조하였고, 아르곤 분위기에서 $1000^{\circ}C$ 24시간 동안 열처리하였다. 합금의 미세구조는 FE-SEM 그리고 XRD를 이용하여 조사하였다. 전기화학적 특성은 시편 작업전극, 고밀도 탄소 보조전극 그리고 포화칼로멜 기준전극의 통상적인 3상을 이용하여 수행하였다. Ti-30Ta-xZr 합금의 분극 거동 결과, 균질화 처리된 Ti-30Ta-15Zr 합금의 부동태 전류밀도가 다른 합금에 비해 낮았다.

• 한국재료학회지
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• 제11권8호
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• pp.708-712
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• 2001

($Pb_{0.2}$$Ca_{0.8}$ )[($Ca_{1}$3$Nb_{2}$3/)$_{1-x}$ $Ti_{x}$ ]O$_{3}$ 세라믹스의 $^{4+}$ 치환량 변화에 따른 마이크로파 유전특성을 고찰하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가함에 따라 x=0.05부터 x=0.15까지의 조성범위에서는 단일상의 페롭스카이트상을 얻을 수 있었으며, x=0.2이상에서는 $Ti_2$와 $CaNb_2$$O_{6}$ 가 제 2상으로 존재하였고, 결정구조는 x=0.05에서 사방정(orthorhombic) 구조가 x=0.35에서 이방정(cubic) 구조로 전이하였다. 유전상수(K)는 $Ti^{4+}$ 치환량의 증가에 따라 rattling 효과의 증가로 인하여 증가되었으며, B-자리 양이온의 평균이온반겨의 세제곱의 반비례하였다. 그러나 결정립 크기의 감소와 제 2상의 존재로 인하여 Qf값은 감소하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가됨에 따리 tolerance factor(t)와 B-자리 결합원자가의 영향으로 공진주파수의 온도계수(TCF)는 -27.36ppm/$^{\circ}C$값으로부터 +18ppm/$^{\circ}C$r값으로 조절되었다. $1350^{\circ}C$d서 3시간 소결한 ($Pb_{0.2}$ $Ca_{0.8}$ )[(Ca$_{1}$3$Nb_{2}$3)$_{1-x}$ /$Ti_{x}$]$O_{3}$ 시편에서 K=51.67, Qf=7268(GHz), TCF=0 ppm/$^{\circ}C$의 우수한 특성을 얻을 수 있었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제50권10호
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• pp.504-508
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• 2001

The$(Sr_{1-x}Ca_x)TiO_3$(SCT) thin films are deposited on Pt-coated electrode $(Pt-TiN /SiO_2Si)$ using RF sputtering method at various deposition temperature. The crystallinity of thin films was increased with increased of deposition temperature n the temperature range of 200~500 $[^{\circ}C]$. The capacitance changes almost linearly in temperature ranges of -80~+90$[^{\circ}C]$. All SCT thin films used in the study the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency, and the relaxation frequency is observed above 200[kHz]. V-I characteristics of SCT thin films show the increasing leakage current with the increases of deposition temperature.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권4호
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• pp.178-183
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• 2002

용매제로서 polypropanediol을 사용한 sol-gel법으로, La의 함량을 1, 2, 5, 7 ㏖%로 변화시킨 PLZT(x/50/50) 박막을 제조하고 La 함량에 따른 유전특성의 변화를 연구하였다. 제조한 sol을 사용하여 $Pt/Ti/SiO_2$/Si 위에 10회 코팅한 후, 560~$600^{\circ}C$까지 10분간 열처리하여 600nm 두께의 박막을 얻을 수 있었다 $560^{\circ}C$ 이상에서는 조성에 관계없이 perovskite 단일 상만이 나타났고, La 함량이 증가함에 따라 입자 크기가 증가하였다. 모든 조성의 박막에서 열처리 온도가 증가함에 따라 유전상수 및 잔류분극 값이 증가되었으며 $600^{\circ}C$에서 열처리한 박막이 가장 우수한 유전 특성을 나타내었다. $600^{\circ}C$에서 열처리한 박막에서 La함량이 증가함에 따라 잔류분극, 항전계, 유전상수 모두 감소하였다.

• 한국자기학회지
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• 제13권1호
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• pp.21-28
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• 2003

BaF $e_{12-2x}$ $Co_{x}$ $Ti_{x}$ $O_{19}$ (0$\leq$x$\leq$1.0) 분말을 sol-gel을 이용하여 제조하였다. 결정학적 및 자기적 성질을 x선 회절분석기(XRD), 열분석기(TG/DTA), 적외선분광기(FT/IR), 시료진동형자화율측정기(VSM), 및 Mossbauer 분광기를 이용하여 연구하였다. X선 회절 분석결과 격자상수 $\alpha$와 c는 x=0.0일 때 $\alpha$=5.822, c=23.215 $\AA$에서 x=1.0일 때 $\alpha$=5.895, c=23.295 $\AA$으로 x의 치환량이 늘어남에 따라 증가함을 알 수 있었다. Mossbauer 스펙트럼 분석 결과 $Co^{2+}$- $Ti^{4+}$ 이온의 site 점유도가 포화자화 값과 보자력을 조절할 수 있음을 알 수 있었다. $Co^{2+}$와 $Ti^{4+}$ 의 치환량이 증가함에 따라 Curie 온도는 선형적으로 감소함을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권1호
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• pp.51-56
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• 2003

GPS 안테나 제작을 위하여 $MgTiO_3-CaTiO_3$계 세라믹 유전체의 고주파 유전 특성을 연구하였다. (1-X) $MgTiO_3-X CaTiO_3$계 세라믹에서 X=7mol%이고 소성 온도 $1400^{\circ}C$일 때 유전율 20.6, 품질계수 52,500, 공진주파수 온도계수 -1.5[ppm/$^{\circ}C$]의 유전 특성을 얻었다. X=0.7 mol% 조성에 $P_2O_5$를 0.6wt% 첨가한 결과 소성온도 $1250^{\circ}C$에서 유전율 21, 품질계수 58,000, 공진주파수 온도 계수 2.6 [ppm/$^{\circ}C$]의 고주파 유전 특성을 얻었다. 상기 조성을 이용하여 세라믹 두께 6[mm], 정사각형의 패치 길이 20.5[mm]인 GPS 안테나를 설계 제작하였다. GPS 안테나 제작 결과 중심주파수 1579(MHz), 반사손실-11(dB), 대역폭 22 [MHz]로 설계 결과와 유사함을 볼 수 있었다.

• Journal of Magnetics
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• 제6권2호
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• pp.57-60
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• 2001

Mechanically alloyed $TbCu_7 -type \;Sm_{12.5}Fe_{87.5-x}Ti_x$(x=0, 2.5, 5, 7.5),and their nitrides have been studied systematically by X-ray diffraction, A.C. initial susceptibility, and pulsed magnetization measurement. In this series, the volume expansion by nitriding is 5.6%~7.3%, and the increment of the Curie temperature is in the range of 21$0^{\circ}C$~35$0^{\circ}C$. With increasing Ti content, the remanence decreases linearly due to the substitution of non-magnetic Ti, and the coercivity decreases rapidly from 34.6 kA/cm (43.5 kOe) for $\chi$=0 to 14.3 kA/cm (18 kOe) for $\chi$=7.5. In the $Sm_{12.5}Fe_{87.5-x}Ti_xN_y$ series, the best magnetic properties were obtained from .7Ti7Ny series, the best magnetic properties were obtained from $Sm_{12.5}Fe_{87.5}N_y$($\chi$=0) with $_iH_c$=34.6 kA/cm (43.5 kOe), $B_r=0.75 \;T, \;and (BH)_{max}=113.8 kJ/m^3$(10.9 MGOe).

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1299-1300
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• 2007

In this study, low temperature sintering property of (1-x)$TiTe_{3}O_{8}-xMgTiO_{3}$ ceramics were investigated for LTCC application which enable to cofiring with Ag electrode. $TiTe_{3}O_{8}$ mixed with $MgTiO_3$ to improve the temperature property. In the X-ray diffraction patterns, the columbite structure of $TiTe_{3}O_{8}$ phase and ilmenite structure of $MgTiO_3$ phase were coexisted in all specimens. The bulk densities and dielectric constants were decreased with increasing of $MgTiO_3$. However, the quality factors were increased with $MgTiO_3$ addition. Also, TCRF was shifted to negative(-) direction. Microwave dielectric properties of (1-x)$TiTe_{3}O_{8}-xMgTiO_{3}$ ceramics had similar tendency with calculated value by the mixing rule. The dielectric constant, quality factor and TCRF of $05TiTe_{3}O_{8}-0.5MgTiO_{3}$ ceramics sintered at $830^{\circ}C$ for 3h. were 26.19, 43,290GHz and $-3.9ppm/^{\circ}C$, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 연구회
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• pp.123-126
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• 2001

The $0.98MgTiO_3-0.02BaTiO_3$ ceramics were prepared by the conventional mixed oxide method. The structural properties were investigated with sintering temperature and composition ratio by XRD, SEM and EDS. According to the X-ray diffraction patterns of the $0.98MgTiO_3-0.02BaTiO_3$ ceramics, the hexagonal $BaMg_6Ti_6O_{19}$ and ilmenite $MgTiO_3$ structures were coexisted. The dielectric constant$({\varepsilin}_r)$ and quality factor$(Q{\times}f_r)$ were decreased with increasing the sintering temperature in the range of $1275^{\circ}C{\sim}1350^{\circ}C$. In the case of the $0.98MgTiO_3-0.02BaTiO_3$ ceramics sintered at $1275^{\circ}C$, dielectric constant, quality factor and temperature coefficient of resonant frequency were 20.27, 76,845, $-46.6ppm/^{\circ}C$, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.861-864
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• 2002

Ferroelectric $Bi_{4-x}Nd_xTi_3O_{12}$(BNdT) thin films with the composition(x=0.75) were prepared on pt/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrate by metal-organic deposition. The electrical and structural characteristics of BNdT thin films were investigated to develop ferroelectric thin films for capacitor layers of FRAM. After spin coating, thin films were annealed at $650^{\circ}C$ for 1hour in oxygen atmosphere. Scanning electron micrographs showed uniform surfaces composed of rod-like grains. The $Bi_{4-x}Nd_xTi_3O_{12}$(X=0.75) thin film capacitors with a Pt top electrode showed better ferroelectric properties. At the applied voltage of 5V, the dielectric constant$(\varepsilon_r)$, dissipation factor$(tan{\delta})$, remanent polarization(2Pr) and nonvolatile swiching charge of the $Bi_{4-x}Nd_xTi_3O_{12}$(x=0.75)thin films were about 346.7, 0.095, $56{\mu}C/cm^2$ and $38{\mu}C/cm^2$ respectively. Also the capacitor did not show any significant fatigue up to $8{\times}10^{10}$ read/write switching cycles at a frequency of 1MHz.