We investigated the electrical characterisitics of T $a_2$$O_{5}$ (tantalum pentoxide) film and Ti-O/T $a_2$$O_{5}$ film deposited on $Al_2$$O_3$based substrate. Ta (tantalum) electrode and $Al_2$$O_3$ substrate was used for the purpose of simplifying the manufacturing process in IPD's (integrated passive devices). Dielectric materials (T $a_2$$O_{5}$ and Ti-O/T $a_2$$O_{5}$ films) deposited on Ta/Ti/A $l_2$$O_3$ were annealed at 700 $^{\circ}C$ for 60 sec. in vacuum. The XRD results showed that as-deposited T $a_2$$O_{5}$ film possessed amorphous structure, which was transformed to crystallines by rapid thermal heat treatment. We compared the lnJ- $E^{{\frac}{1}{2}}$, C-V, C-F of both as-deposited and annealed dielectric thin films deposited on Ta bottom electrode. From this results, we concluded that the leakage current could be reduced by introducing Ti-O buffer layer and conduction mechanisms of T $a_2$$O_{5}$ and Ti-O/T $a_2$$O_{5}$ could be interpreted appropriately by Schottky emission effect.
Park, Sang Hyeon;Jang, Du Chang;Jeon, Hara;Gyeong, Oh Yi;Lim, Ae Ran
한국자기공명학회논문지
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제26권1호
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pp.10-16
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2022
The phase transition temperatures of CsCoCl3·2H2O crystals are investigated via differential scanning calorimetry (DSC) and thermogravimetric analysis (TGA). Three endothermic peaks at temperatures of 370 K (=TC1), 390 K (=TC2), and 416 K (=TC3) were observed for phase transitions from CsCoCl3·2H2O to CsCoCl3·1.5H2O, to CsCoCl3·H2O, and then to CsCoCl3·0.5H2O, respectively. In addition, the spin-lattice relaxation time T1ρ in the rotating frame and T1 in the laboratory frame as well as changes in chemical shifts for 1H and 133Cs near TC1 were found to be temperature dependent. Our analyses results indicated that the changes of chemical shifts, T1ρ, and T1 are associated with structural phase transitions near temperature TC1. The changes of chemical shifts, T1ρ, and T1 near TC1 were associated with structural phase transitions, owing to the changes in the symmetry of the structure formed of H2O and Cs+ ions. Consequently, the structural symmetry in CsCoCl3·2H2O crystals based on temperature is discussed by the environments of their H and Cs nuclei.
한반도의 중부에 위치한 북한강에는 하안단구의 발달이 대체로 빈약하며, 하상비고 18-29m의 T1면과 하상비고 25-39m의 T2면이 분포한다. 하안단구 퇴적층의 적색화 지수는 T2면이 평균 0.65, T1면이 0.54이며, 역의 풍화각 두께는 T2면의 편마암이 14.0mm, 화강암은 $\infty$이고, T1면에서는 편마암이 5.0mm, 화강암은 8.0mm로 측정되어, 형성시기가 오래된 T2면 퇴적층이 T1면에 비해 상대적으로 더 강한 풍화작용을 받았다. 규반비(SiO$_2$/Al$_2$O$_3$)와 규철반비 (SiO$_2$/R$_2$O$_3$)는 T2면이 각각 3.32, 2.64, T1면이 각각 4.06, 3.19이고 CIA(Chemical Index of Alteration)는 T2면이 87.85%, T1면이 85.88%로서, 더 오래된 T2면에서 풍화작용이 더 활발한 것으로 나타났다. 그리고 하안단구 T2면 퇴적층에서는 높은 풍화 정도를 의미하는 kaolinite와 halloysite가 발견되고, kaolinite의 용탈에 의해 형성되는 gibbsite도 확인되었다. 그러나 하안단구 T1면에서는 kaolinite가 발견되지 않으며, 풍화에 약한 사장석이 발견되기도 하였다. 하안단구의 하상비고, 퇴적층의 적색화 지수, 역의 풍화각 두께, 원소 함량 및 광물 조성을 토대로 할 때, 북한강 하안단구 T2면의 형성시기는 MIS 6시기(130-190ka), T1면의 형성시기는 MIS 4시기(59-74ka)일 가능성이 높다.
Al2O3와 t-ZrO2 분말의 압분체를 공기중 150$0^{\circ}C$ 및 1$600^{\circ}C$에서 2시간 소결하여 제조된 입자복합체의 미세구조와 기계적 성질을 조사하였다. 소수의 미세한 구상의 ZrO2입자는 Al2O3의 입내에 존재하였으나 대분분은 입계에 존재하여 Al2O3의 입계를 고정시키는 것이 가능하였고, 따라서 Al2O3의 입성장을 둔화시켰다. 소결할 동안 입계 ZrO2 입자의 조대회는 응집된 ZrO2 입자내에서의 입계의 소멸과 Al2P3 입계의 이동에 의해서 끌어 당겨진 ZrO2 입자의 합체(coalescence)에 의해서 일어날 수 있었다. ZrO2의 첨가에 의한 Al2O3의 기계적 성질의 변화는 기지상인 Al2O3의 미세구조와 분산된 ZrO2 입자의 크기와 구조에 의존하였다.
The calculated and measured dielectric constants of (1-x)(A $l_{1}$2/ T $a_{1}$2/) $O_2$-x(M $g_{1}$3/ T $a_{2}$3/) $O_2$ (0$\leq$x$\leq$1.0) solid solutions were investigated by variations of ionic polarizability and crystal structure. (A $l_{1}$2/ T $a_{1}$2/) $O_2$ and (M $g_{1}$3/ T $a_{2}$3/) $O_2$ were orthorhombic and tetragonal trirutile structure, respectively. When (A $l_{1}$2/ T $a_{1}$2/) $O_2$ was substituted by (M $g_{1}$3/ T $a_{2}$3/) $O_2$, the phase transformed to tetragonal structure over 60 mole. Because the total ionic radius of [(Mg+2Ta)/3]$^{4+}$ was slightly bigger than one of [(Al+Ta)/2]$^{4+}$, the lattice parameters increased with an increase of (M $g_{1}$3/ T $a_{2}$3/) $O_2$ substitution. The measured dielectric constant increased with an increase of (M $g_{1}$3/ T $a_{2}$3/) $O_2$ substitution and coincided with dielectric mixing rule and the calculated dielectric constant with the molecular additivity rule. There were some differences between the measured and the calculated dielectric constant. The reason of the lowered dielectric constant comparing with the calculated one was compressed stress due to the electronic structure of tantalum.
이 연구에서는 방사광 연 X선 광흡수 분광법(soft x-ray absorption spectroscopy: XAS)을 이용하여 $TCr_2O_4$(T = Fe, Co, Ni) 스피넬 산화물들의 전자 구조를 연구하였다. 전이금속 이온들의 2p 준위의 흡수에 의한 XAS 측정으로부터 T(T = Fe, Co, Ni) 이온들의 원자가는 공통적으로 2가($T^{2+}$)이며, Cr 이온의 원자가는 3가 ($Cr^{3+}$) 임을 발견하였다. 그리고 T 이온들은 정사면체 대칭성을 가진 A 사이트에 주로 위치하고, Cr 이온은 정팔면체 대칭성을 가진 B 사이트에 주로 위치함을 알 수 있었는데, 이러한 발견을 통하여 $TCr_2O_4$는 정상 스피넬에 가까운 구조를 가지고 있다고 결론지을 수 있다. 또한 $FeCr_2O_4$와 $NiCr_2O_4$에서는 얀-텔러 변형이 중요한 역할을 하지만, $CoCr_2O_4$는 얀-텔러 변형이 없는 입방체 구조를 유지하는 원인을 알 수 있었다. 그러므로 $TCr_2O_4$에서 $Cr^{3+}$ 상태의 이온들과 $T^{2+}$ 상태의 이온들 간의 반강자성 결합이 이 산화물들의 자성 특성을 결정하는데 중요한 역할을 한다고 생각된다.
The thermostable resistor was made by using P.T.C.R-N.T.C.R. ceramics. In this study $BaTiO_3$ type P.T.C.R. ceramics and $SnO_2-Sb_2O_3$ type N.T.C.R. ceramics were cocrystallized in one body and electrical resistance was stable under the temperature variation between $25^{\circ}C$-40$0^{\circ}C$. The ceramics showed the most stable electrical resistance for the mal variation when the composition was 0.6P.T.C.R. $BaTiO_3$,$ 0.4SnO_2$ and 0.01 $Sb_2O_3$.
Objectives : It is demonstrated that oxygen free radicals have cytotoxic effect on NIH3T3 fibroblast cells. Recently, many of herb extracts have an effect of antioxidant in oxygen free radical-induced cytotoxicity. But, the toxic mechanism of oxygen free radical is left unknown. The purpose of this study was to examine the cytotoxicity of hydrogen peroxide ($H_2O_2$) and antioxidant effect of Citri reticulatae pericarpium (CRP) on NIH3T3 fibroblasts. Methods : The cytotoxicy was measured by cell viability by XTT assay in NIH3T3 fibroblasts. XTT assay is regarded as a very sensitive screening method for the determination of the cell viability on various chemicals. Results : In this study, H2O2 decreased cell viability according to the dose- and time dependent manners after NIH3T3 fibroblasts were treated with various concentrations of H2O2 for 4 hours. And also, CRP showed the effect of antioxidant on $H_2O_2-induced $ cytotoxicity in cultured NIH3T3 fibroblasts. Conclusion : These results suggest that $H_2O_2$ has highly cytotoxic effect on cultured NIH3T3 fibroblasts by the decrease of cell viavility, and the herb extract such as CRP was showed the effect of antioxidant on $H_2O_2-induced$ cytotoxicity in these cultures.
대현 금-은광상은 Cambro-Ordovician 석회암질 대리암내에 발달된 NE 방향성의 단열대를 따라 형성된 2개의 열수성 석영맥으로 구성된다. 모암변질시 원소 분산과 이득/손실을 알아보기 위해 모암, 열수변질대 및 금-은 광맥에서 시료를 채취하였다. 모암변질시 뚜렷한 변질대가 관찰되지 않으며 구성광물은 주로 방해석, 돌로마이트, 석영과 소량 녹염석 등이다. 이 광상의 광석광물은 유비철석, 자류철석, 황철석, 섬아연석, 황석석, 황동석, 방연석, 에렉트럼, 자연 창연 및 은 광물 등이 산출된다. 분석된 자료를 기초로, 모암은 주로 $SiO_2$, CaO 및 $CO_2$로 구성되며 소량 $Al_2O_3$, $Fe_2O_3(T)$ 및 MgO 등이 함유되어 있다. 광체로부터 모암으로 감에 따라 $SiO_2$, $Fe_2O_3(T)$, MgO, CaO 및 $CO_2$ 함량은 변화 폭이 크게 관찰된다. 모암변질시 모암의 물리-화학적 물성 때문에 원소 분산은 현저히 관찰되지 않으며 단지 광체 주변부에서만 관찰된다. 모암변질시 이득원소들은 $Fe_2O_3(T)$, 총 S, Ag, As, Bi, Cd, Cu, Ni, Pb, Sb, Sn, W 및 Zn이고 손실원소들은 $SiO_2$, MnO, MgO, CaO. $CO_2$ 및 Sr 이다. 따라서 우리의 결과물은 황강리 광화대내 석회암질 대리암을 모암으로 갖는 광상들의 지화학탐사시 활용될 수 있을 것이다.
0.085Ba(LaS11/2TNbS11/2T)OS13T-0.915Pb(ZrS1yTTiS11-yT)OS13T (0.45$\leq$y$\leq$0.65) transparent electrooptic ceramics were fabricated by two-stage sintering method. The structural, ferroelectric and electrooptic properties were investigated varying composition and second sintering time. Also the possibility of application to electrooptic device was studied. If we increase the PbZrOS13T contents, dielectric constants were increased and Curie temperature was decreased. In the composition of 0.55[mol] PbZrOS13T, electromechanical coupling factor and piezoelectric charge constant were the highest values of 43[%] and 173x10S0-12T[C/N], respectively. Mechanical quality factors were decreased with the increasing PbZrOS13T contents. Light transmittance was increased with wavelength when measured from 300[nm] to 900[nm], and with PbZrOS13T contents in the range of 0.50[mol]-0.65[mol], and had the highest value of 67[%] in the composition of 0.65[mol] PbZrOS13T. From the results of ferroelectric hysteresis loop and transmitted light intensity with electric field, the specimens with compositions of 0.65,0.60,0.55[mol] PbZrOS13T were applicable to electrooptic memory device and those with compositions of 0.50,0.45[mol] PbZrOS13T were applicable to linear electrooptic device.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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