• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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• pp.613-616
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• 2001

공 부활제로 KCI, Cl, S 및 P를 각각 첨가한 발광충을 전자 빔 방법에 의해 성장시킨 2중 절연구조의 SrS:Ce electroluminescent(EL) device를 제작하여, 공 부활제가 EL device의 휘도에 미치는 영향을 조사였다. 휘도 및 발광파장은 첨가되는 공 부활제 및 농도에 의하여 상당한 영향을 받고 있음을 알았다. 어느 공 부활제에서나 전체 휘도는 0.2 mol%에서 최고를 나타냈으며, CeCl$_3$+KCL를 첨가한 소자가 최고 850cd/$m^2$를 나타내었다. 또한 CeP를 첨가한 소자의 경우 전체 휘도는 낮았으나 청색 휘도의 비율은 가장 높았으며, 이 비율은 농도의 상승에 따라 증가했다.

• 대한화학회지
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• 제50권3호
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• pp.237-242
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• 2006

LED는 고휘도 청색 칩의 개발로 인해 단순표시소자로만 이용되던 것이 다양한 분야의 발광소자로 적용되기 시작하였다. 특히, 최근에 InGaN 칩과 황색 형광체(YAG:Ce3+)를 이용한 방법이 많이 연구되어지고 있다. 하지만 이 방법은 2 파장을 이용한 것으로 색연지수가 낮은 단점을 지니며, 황색의 YAG:Ce3+ 형광체 이외에 450~470 nm의 여기 영역에서 효율적으로 발광하는 형광체가 거의 없다. 따라서 본 연구에서는 장파장 영역의 여기 특징을 지닌 thiogallate 형광체의 합성을 시도하였다. 그 중에 가장 잘 알려진 SrGa2S4:Eu2+ 형광체의 모체를 변화시켜 Sr2Ga2S5:Eu2+ 형광체를 합성하였으며, 발광특성을 조사하였다. 그리고 무해성과 제조 공정의 단순화를 위하여, 황화물질과 5 % H2/95 % N2 혼합 기체를 CS2와 H2S 가스 대신에 사용하였다. 이렇게 합성되어진 형광체는 550 nm의 발광 중심을 가지는 황색 형광체로서 300~500 nm에 이르는 넓은 여기원을 통한 발광이 가능하다. 그리고 YAG:Ce3+ 형광체와 비교해 볼 때 강도 면에서 110 % 이상을 보이며, UV 영역의 여기적 특성을 이용해 UV LED에도 응용이 가능하다.

• 한국진공학회지
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• 제9권1호
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• pp.16-23
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• 2000

The epitaxial growth of $CeO_2$ films has been investigated on three different substrates-Si(111), $SrTiO_3$(001), and MgO(001)-over wide range of growth parameters using oxygen-plasma-assisted molecular beam epitaxy. Pure-phase, single-crystalline epitaxial films of $CeO_2$ (001) have been grown only on $SrTiO_3$(001). We discuss the growth conditions in conjunction with the choice of substrates required to synthe-size this oxide, as well as the associated characterization by menas of x-ray diffraction, reflection high-energy electron diffraction, low-energy electron diffraction, and x-ray photoelectron spectroscopy and diffraction. Successful growth of single crystalline $CeO_2$ depends critically on the choice of substrate and is rather insensitive to the growth conditions studied in this investigation. $CeO_2$(001) films on $SrTiO_3$exhibit the sturcture of bulk $CeO_2$ without surface reconstructions. Ti outdiffusion is observed on the films grown temperatures above $650^{\circ}C$.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권7호
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• pp.2148-2150
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• 2014

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1015-1019
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• 2002

The deposition of $SrGa_2S_4$ thin film phosphors doped with Ce or Eu aiming at application for FEDs has been carried out by a multi-source deposition technique. A $SrGa_2S_4$ phase was formed by annealing process and $SrGa_2S_4$ thin films which were deposited using a $Ga_2S_3/Sr$ flux ratio larger than 50 and annealed in $H_2$S showed luminance and luminous efficiency of about 1700 cd/$m^2$ and 2.95 lm/W, respectively, with (0.13, 0.10) chromaticity in the activation with Ce, and about 4000 cd/$m^2$ and 7.05 lm/W, respectively, with (0.36, 0.60) under excitation with 3 kV and 60A/$cm^2$. The results obtained this experiment demonstrate the potential of $SrGa_2S_4$ thin film phosphors for FED screens.

• 한국광학회지
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• 제2권3호
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• pp.115-120
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• 1991

ZnS 완충층이 SrS : Ce, Cl 박막 EL cell의 발광휘도 및 효율에 미치는 영향을 조사하였다. ZnS 완충층을 사용한 cell과 사용하지 않은 cell의 구동전압은 각각 210V, 220V 이상이고 주파수 범위는 500 Hz-20kHz로 하였다. 측정범위 내에서 휘도는 주파수와 이동전하밀도의 곱에 비례하고, 한편 이동전하밀도는 주파수에 무관하고 구동전압에 비례한다. 결과적으로 발광효율은 주파수와 구동전압에 무관하다. 완충층을 사용하므로 활성층의 발광특성을 향상시킬 수 있으며, 발광효율은 완충층 유무에 따라 각각 0.12 lm/W, 0.06 lm/W 이다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권1호
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• pp.45-51
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• 2001

고체산화물 연료전지의 삼상 계면의 길이를 증가시키기 위해 Glycine-Nitrate Process(GNP)를 이용하여 환원극 재료인 L $a_{0.5}$S $r_{0.5}$Mn $O_3$(LSM)과 전해질 재료인 C $e_{0.8}$G $d_{0.2}$ $O_{1.9}$(CGO)를 합성하였다. 적당한 합성조건을 찾기 위하여 글리신의 양을 달리하여 분말을 합성한 결과 LSM의 경우 글리신이 양이온 몰수의 2배일 때 perovskite상이 얻어졌으며 비표면적은 34$m^2$/g 이었다. 합성된 LSM과 CGO 분말을 50:50 wt%로 혼합하여 제작된 환원극을 screen-printing법으로 코팅한 후 각각 1200, 1300, 1350 및 140$0^{\circ}C$에서 4시간 동안 소결한 후 80$0^{\circ}C$에서 power density와 양극과전압 등을 측정한 결과 130$0^{\circ}C$에서 소결한 단위전지에서 최대 309 mW/$ extrm{cm}^2$의 power density를 얻을 수 있었다.다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.18-25
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• 1998

G $d_{0.2}$C $e_{0.8}$ $O_{1.9}$(CGO) for electrolyte and L $a_{0.5}$S $r_{0.5}$Mn $O_3$(LSM50) for cathode in Solid Oxide Fuel Cells(SOFC) were synthesized by citrate process. Specimens were prepared with sintering temperatures at 110$0^{\circ}C$, 120$0^{\circ}C$ and 130$0^{\circ}C$, which were fabricated by slurry coating with citric acid contents. Interfacial resistance was measured between cathode and electrolyte using AC-impedance analyzer. With various citric acid content, the degree of agglomeration for the initial particles changed. Also sintering temperature changed the particle size and the degree of densification of cathode. Factors affecting the interfacial resistance were adherent degree of the electrolyte and cathode, distribution of TPB(three phase boundaries, TPB i.e., electrolyte/electrode/gas phase area) and porosity of cathode. By increasing the sintering temperature, particle size and densification of the cathode were increased. And then, TPB area which occurs catalytic reaction was reduced and so interfacial resistance was increased.sed.sed.d.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제30권4호
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• pp.514-519
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• 2006

SrS:Cu, Cl thin films have been grown by the hot wall technique with S furnace placed on the outside of the growth chamber in order to investigate the crystallographic and optical characteristics. The films have a good crystallinity independent of CuCl wall temperature and PL characteristics showed a peak assigned by the transition form $3d^94s^1\;(^3Eg)$ to $3d^{10}\;(^1A_{1g})$ of $Cu^+$ center. It has also been found that. from the PLE spectra, $Cu^+$ luminescent centers are doped in the host materials. The EL emission from SrS:Cu-based device showed a greenish-blue but shifted to short wavelength compared to SrS:Ce-based EL. The device was obtained the maximum luminance of $110cd/m^2$ and the maximum luminous efficiency of $0.1\;lm/W$ at $V_{40}$.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.1-4
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• 2013

We investigated the effect of Nb substitution for Ru on the structural and magnetic properties of $(Ru_{1-x}Nb_x)\;Sr_2(Sm_{1.4}Ce_{0.6})Cu_2O_z$ Samples. X-ray diffraction measurements indicated that nearly single-phase samples are formed in the range from x = 0 to 1.0. The superconducting transition temperature determined from the inflection in the field-cooled magnetic susceptibility decreased only slightly from $T_c$ = 25 K for x = 0 to $T_c$ = 22 K for x = 1.0, in consistent with the change in room temperature thermopower of the samples. However, the Nb substitution for Ru above x = 0.25 significantly suppressed the weak ferromagnetic component of the field-cooled magnetic susceptibility. It was also found that the Nb substitution for Ru results in an enhanced diamagnetic susceptibility with Nb content above x = 0.5 in both zero field-cooled and field-cooled magnetization measurements, in contrast to the behavior of the samples with $x{\leq}0.5$ in which the diamagnetic susceptibility decreases as the Nb content increases.