• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.31A no.9
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• pp.121-127
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• 1994

The capability for application of rf magnetron sputterred and post annealed BaTiO$_{3}$ thin films in dielectrics AC drived TFELD(thin film electroluminescent device) was investigated. The dielectric constant of the thin films slightly increased up to about 25 with increase fothe post annealing temperature in the range of 210$^{\circ}C$-480$^{\circ}C$. The dielectric loss was about 0.005-0.01 except for the high frequency range above 100kHz and nearly independent on post annealing temperature. The BaTiO$_{3}$ thin film used for TFELD was annealed at 480.deg. C and Si$_{3}$N$_{4}$ thin film was inserted between BaTiO$_{3}$, lower dielecrics and ZnS:Mn, phosphor layer for stable driving of the device and for fear of interdiffusion. Regardless of the frequency of the applied sine wave voltage, the threshold voltage of the prepared TFELD was 65volt and saturated brightness was about 3000cd/m$^{2}$ at 130volt(2kHz sine wave), 65volt above V$_{TH}$.

• Analytical Science and Technology
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• v.13 no.2
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• pp.215-221
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• 2000

Analysis of fly ashes from the MSW incinerators was carried out using XRF, ICP-MS and ICP-AES. It was found that the major elements of fly ash were Ca, K, Na, Si, Al, S, Cl and O by the XRF analysis. The XRD spectra showed that the fly ashes were mainly consisted with the chlorides, hydroxides, carbonates and also oxides of former elements. For the determination of minor elements such as Zn, Pb, Cu, Cr, and Cd, we used ICP-AES and ICP-MS after microwave digestion and the results were compared with the result of XRF.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.13 no.1
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• pp.16-24
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• 1969

Ni, Co, Zn, Cd, Mn, Mg, Ca, Sr, Ba 등의2가 금속과 U(VI) 및 V(IV)의 이온이 만드는 $MCup_2$ 조성의 cupferrates 착화합물에 관하여, 그 용해도가 좋은 dioxane-$H_2O$, methanol-$H_2O$, ethanol-$H_2O$ 및 2-propanol-$H_2O$의 혼합용매를 사용하여, 그들의 몰분율을 변화시키면서 제 1, 제 2 및 전체의 열역학적인 안정도상수를 전위차적정법에 의하여 측정하고, 안정도 상수와 유기용매의 몰분율에 관한 실험식을 얻었다. 한편 분광광전법에 의하여 가능한 cupferrates의 전체 안정도 상수를 측적하여 이들과 비교하였다. 2가 금속 cupferrates의 안정도상수는 위에 적은 금속의 순서로 감소하고, 이들의 log $K_1$은 log $K_2$보다 크지만, U(VI)과 V(IV)의 cupferrates는 log $K_1$$K_2$여서 1:1과 1:2 착화합물 사이에 구조 변화가 있는듯하다. 몰분율이 영인 점에서의 안정도상수는 금속 cupferrates의 수용액에서의 용해반응의 평형상수에 해당하며, 금속의 착화합물의 안정도상수와 용해도와는 무관하고, K<$10^5$인 cupferrates에 관해서는 분광전법을 적용하기 어렵다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.114-114
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• 2012

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)의 critical dimension (CD)가 sub 45 nm로 줄어듬에 따라 기존에 gate dielectric으로 사용하고 있는 SiO2에서 발생되는 high gate leakage current 때문에 새로운 high dielectric constant (k) 물질들이 연구되기 시작하였다. 여러 가지 high-k 물질 중에서, aluminum-oxide (Al2O3)는 높은 dielectric constant (~10)와 전자 터널링 barrier height (~2eV) 등을 가지기 때문에 많은 연구가 되고 있다. 그러나 Al2O3를 anisotropic한 patterning을 하기 위해 주로 사용되고 있는 halogen-based 플라즈마 식각 과정에서 나타나는 Al2O3와 하부 layer간의 낮은 식각 selectivity 뿐만 아니라 표면에 발생되는 defect, stoichiometry modification, roughness 변화 등의 많은 문제점들로 인하여 device performance가 감소하기 때문에 이를 해결하기 위한 많은 연구들이 진행중이다. 따라서 본 연구에서는 실리콘 기판위의 atomic layer deposition (ALD)로 증착된 Al2O3를 BCl3/Ar 중성빔을 이용하여 원자층 식각한 후 식각 특성을 분석해 보았다. Al2O3 표면을 BCl3로 absorption시킨 후 Ar 중성빔으로 desorption 시키는 과정에서 volatile한 aluminum-chlorides와 boron oxychloride가 형성되어 layer by layer로 제거됨을 관찰 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.387-387
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• 2012

결정 Si 및 비정질 Si 태양전지는 환경친화적이며 안정적인 물질로 전력변환 및 에너지 저장 장치에 중요하기 때문에 연구가 활발하게 진행되고 있다. 고효율 Si 태양전지를 제작하여 상용화하기에는 여러 가지 문제점이 있다. 공기와 비교하여 높은 굴절률을 갖고 있기 때문에 발생하는 반사를 줄이기 위해서 필요한 무반사 코팅층(Anti-reflective coating; ARC)은 주로 SiO2 와 SiNx 와 같은 유전체를 이용하여 사용하지만 이들 ARC 증착은 PECVD와 같은 진공장비를 사용하므로 제작 비용이 높아지는 단점이 있다. 나노선 또는 나노 팁과 같은 sub-wavelength 구조를 표면에 만들어 반사율을 줄이는 작업을 통해 ARC 공정비용을 감소하고 효율을 증진하는 연구가 활발히 진행되고 있다. CdS 양자점을 태양전지 표면에 형성함으로 ARC로 해결할 수 없는 단파장영역에 해당하는 부분을 줄이는 연구가 진행되었으며, 비정질의 경우 원기둥 형태의 태양전지 형태와 더불어 지름 방향으로의 PN 접합 나노로드 배열을 만들어 흡수면을 증가하여 효율을 증가한 연구도 진행되었다. 태양전지 표면의 형태를 V-groove 형태로 형성하여 입사하는 태양전지의 광밀도를 증가하는 이론적 결과도 발표되었다. 본 연구에서는 Si 태양전지의 표면변형에 따른 태양전지의 전력변환효율의 변화를 관찰하기 위하여 태양전지 표면의 texture 지름을 $3{\sim}15{\mu}m$, 간격을 $5{\sim}20{\mu}m$로 변화하고, 태양전지 표면의 나노 패턴을 2~10 nm 로 변화하여 반사율과 전력변환효율을 비교하였다. 나노와 마이크로 패턴은 각각 polystyrene nanosphere 와 photo mask를 이용하여 제작하였으며 PN junction Si 태양전지는 spin on dopant 방식으로 제작하여 성능을 조사하였다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• v.29 no.4
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• pp.251-256
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• 2004

CsI(Tl), $CdWO_4(CWO),\;Bi_4Ge_3O_{12}(BGO)\;and\;Gd_2SiO_5:Ce(GSO)$ scintillators were studied to manufacture a phoswich detector. The maximum wavelengths of the CsI(Tl), CWO, BGO and GSO scintillators are 550 nm, 475 nm, 490 nm and 440 nm for the radioluminescence, and the absolute light outputs of the CsI(Tl), CWO, BGO and GSO scintillators are 54890 phonon/MeV, 17762 phonon/MeV, 8322 phonon/MeV and 8932 phonon/MeV with a neutral filter, and the decay time of the CsI(Tl), CWO, BGO and GSO scintillators is $1.3{\mu}s,\;8.17{\mu}s$, 213 ns and 37 ns by a single photon method. The phoswich detector which was manufactured with plastic and CsI(Tl) scintillators could separate the ${\beta}$ particle and ${\gamma}$ ray. The phoswich detector could also measure the pulse height spectra of the ${\beta}$ particle and ${\gamma}$ ray by a PSD method.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2008.05a
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• pp.436-437
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• 2008

Flexible CIGS thin film solar cell was fabricated using STS430 plate as a flexible substrate in this work. A diffusion barrier layer of $SiO_2$ thin film was deposited on STS430 substrate by PECVD followed by deposition of double layered Mo back contact. After depositing CIGS absorber layer by co-evaporation, CdS buffer layer by chemical bath deposition, ZnO window layer by RF sputtering and Al electrode by thermal evaporation, the solar cell fabrication processes were completed and its performance was evaluated. Corresponding solar cell showed an conversion efficiency of 8.35 % with $V_{OC}$ of 0.52 V, $J_{SC}$ of 26.06 mA/$cm^2$ and FF of 0.61.

• Journal of environmental and Sanitary engineering
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• v.5 no.1
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• pp.7-13
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• 1990

The water environmental characters of the Nakdong River, Geumho River and Sin Stream, both before-flood (Aug. 24) and after-flood (Sept. 8), have been compared, and their effects on the growth of Spirodela polyrhiza Shleiden have been examined. Before the flood, the concentrations of most of the chemical components of the Geumho River were similar to those of the Sin Stream; (COD, 19.6~21.4; alkalinity, 177~183; $NH_4\;^+$, 20.7~24.4; $NO_3\;^-$, 3.9~4.3; $PO_\;4^{3-}$, 3.4~3.7; $Mg^{2+}$, 42; $Ca^{2+}$, 68.5~69.7; $Cl^-$, 90~92; $SiO_2$, 10.4~11.2; , 11~32; LAS, 3.0~3.8; , 0.007~0.010ppm) but much higher than those of the Nakdong River (30~40 fold for $NH_4\;^+$, , $PO_\;4^{3-}$ and LAS, and 2~5 fold for COD, alkalinity, $NO_3\;^-$, $Mg^{2+}$, Cl- and ). Especially in the Geumho River, Secchi disk transparency was very low (17cm) and DO was not detected. The flood caused significant increases in some chemical components: $NH_4\;^+$, 1.0;$NO_3\;^-$, 9.6; , 12.8 and , 5.4 ppm in the Nakdong River; DO, 1.0; $NO_2\;^-$, 0.92; $NO_3\;^-$, 22.2 and $SiO_2$, 17.6ppm in the Geumho River; DO, 3.0; $NO_2\;^-$, 1.4; $NO_3\;^-$, 22.2; SiO2$SiO_2$, 19.2 and , 25.0ppm in the Sin Stream. General species diversity index (H) of phytoplankton community in the Nakdong River, Geumho River and Sin Stream before flood was 3.1, 2.7 and 1.6, respectively. After the flood, the phytoplankton growth was highly sparse in each river water, hence indices have no significance. The growth of S. polyrhiza was enhanced in Geumho River water (max. RGR=26%/day), while it ceased within 7days in Nakdong River water.

• Journal of The Korean Society of Agricultural Engineers
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• v.55 no.2
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• pp.37-45
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• 2013

The aim of this study was to investigate chemical characteristic of livestock compost in association with livestock manure types (poultry, cattle, swine, and mixed manure). The livestock compost was collected from local nonghyup branches on a si-gun level. Chemical composition (nutrients, heavy metals etc.) of the samples was analyzed and Pearson's correlation analysis was performed. Quality of most compost samples met the standard of fertilizer specifications. Poultry compost contains greater nutrients especially $P_2O$ (p-value<0.01) and $NH_4$-N (p-value<0.05). Meanwhile swine compost has higher concentration in water content (p-value<0.05) and heavy metals (p-value<0.01 for Cd, Cu and Zn). Overall, poultry compost was correlated positively with nutrients while swine compost has positive correlation with water content and heavy metals. We expect that the study results can provide base data for determining compost types and amount for crop production.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.463-463
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• 2012

ITRS (international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 MOS(metal-oxide-semiconductor)의 CD (critical dimension)가 45 nm node이하로 줄어들면서 poly-Si/$SiO_2$를 대체할 수 있는 poly-Si/metal gate/high-k dielectric이 대두된다고 보고하고 있다. 일반적으로 high-k dielectric를 식각시 anisotropic 한 식각 형상을 형성시키기 위해서 plasma를 이용한 RIE (reactive ion etching)를 사용하고 있지만 PIDs (plasma induced damages)의 하나인 PIED (plasma induced edge damage)의 발생이 문제가 되고 있다. PIED의 원인으로 plasma의 direct interaction을 발생시켜 gate oxide의 edge에 trap을 형성시키므로 그 결과 소자 특성 저하가 보고되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 이에 차세대 MOS의 high-k dielectric의 식각공정에 HDP (high density plasma)의 ICP (inductively coupled plasma) source를 이용한 원자층 식각 장비를 사용하여 PIED를 줄일 수 있는 새로운 식각 공정에 대한 연구를 하였다. One-monolayer 식각을 위한 1 cycle의 원자층 식각은 총 4 steps으로 구성 되어 있다. 첫 번째 step은 Langmuir isotherm에 의하여 표면에 highly reactant atoms이나 molecules을 chemically adsorption을 시킨다. 두 번째 step은 purge 시킨다. 세 번째 step은 ion source를 이용하여 발생시킨 Ar low energetic beam으로 표면에 chemically adsorbed compounds를 desorption 시킨다. 네 번째 step은 purge 시킨다. 결과적으로 self limited 한 식각이 이루어짐을 볼 수 있었다. 실제 공정을 MOS의 high-k dielectric에 적용시켜 metal gate/high-k dielectric CMOSFETs의 NCSU (North Carolina State University) CVC model로 구한 EOT (equivalent oxide thickness)는 변화가 없으면서 mos parameter인 Ion/Ioff ratio의 증가를 볼 수 있었다. 그 원인으로 XPS (X-ray photoelectron spectroscopy)로 gate oxide의 atomic percentage의 분석 결과 식각 중 발생하는 gate oxide의 edge에 trap의 감소로 기인함을 확인할 수 있었다.